Invention Application
- Patent Title: エッチング液及びこれを用いた半導体装置の製造方法
- Patent Title (English): Etchant and method for manufacturing semiconductor device using same
- Patent Title (中): 用于制造使用其的半导体器件的蚀刻和方法
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Application No.: PCT/JP2010/073367Application Date: 2010-12-24
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Publication No.: WO2011078335A1Publication Date: 2011-06-30
- Inventor: 細見 彰良
- Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社 , 細見 彰良
- Applicant Address: 〒1008324 東京都千代田区丸の内二丁目5番2号 Tokyo JP
- Assignee: 三菱瓦斯化学株式会社,細見 彰良
- Current Assignee: 三菱瓦斯化学株式会社,細見 彰良
- Current Assignee Address: 〒1008324 東京都千代田区丸の内二丁目5番2号 Tokyo JP
- Agency: 大谷 保
- Priority: JP2009-296078 20091225
- Main IPC: H01L21/308
- IPC: H01L21/308 ; C23F1/18 ; H01L21/3205 ; H01L21/3213 ; H01L21/60 ; H01L23/12 ; H01L23/52
Abstract:
電極を有する半導体基板を用いた半導体装置の製造に用いられ、ニッケルをエッチングせずに銅を選択的にエッチングできるエッチング液及びこれを用いた半導体装置の製造方法を提供する。 過酸化水素と有機酸と有機ホスホン酸とを含み、有機酸がクエン酸及びリンゴ酸から選ばれる少なくとも一種であり、過酸化水素の含有量が0.75~12質量%であり、有機酸の含有量が0.75~25質量%であり、かつ有機ホスホン酸の含有量が0.0005~1質量%である、電極を有する半導体基板を用いた半導体装置の製造に用いられるエッチング液、及びこれらのエッチング液を用いた半導体装置の製造方法である。
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IPC分类: