Invention Application
WO2011128001A2 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES PHOTOVOLTAIKMODULS MIT RÜCKSEITENKONTAKTIERTEN HALBLEITERZELLEN UND PHOTOVOLTAIKMODUL
审中-公开
用于制造具有反向接触的半导体电池和光伏模块的光伏模块的方法
- Patent Title: VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES PHOTOVOLTAIKMODULS MIT RÜCKSEITENKONTAKTIERTEN HALBLEITERZELLEN UND PHOTOVOLTAIKMODUL
- Patent Title (English): Method for producing a photovoltaic module comprising semiconductor cells contact-connected on the rear side, and photovoltaic module
- Patent Title (中): 用于制造具有反向接触的半导体电池和光伏模块的光伏模块的方法
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Application No.: PCT/EP2010/066122Application Date: 2010-10-26
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Publication No.: WO2011128001A2Publication Date: 2011-10-20
- Inventor: SCHAAF, Ulrich , KUGLER, Andreas , ZERRER, Patrick , ZIPPEL, Martin , STIHLER, Patrick , KOYUNCU, Metin
- Applicant: ROBERT BOSCH GMBH , SCHAAF, Ulrich , KUGLER, Andreas , ZERRER, Patrick , ZIPPEL, Martin , STIHLER, Patrick , KOYUNCU, Metin
- Applicant Address: Postfach 30 02 20 70442 Stuttgart DE
- Assignee: ROBERT BOSCH GMBH,SCHAAF, Ulrich,KUGLER, Andreas,ZERRER, Patrick,ZIPPEL, Martin,STIHLER, Patrick,KOYUNCU, Metin
- Current Assignee: ROBERT BOSCH GMBH,SCHAAF, Ulrich,KUGLER, Andreas,ZERRER, Patrick,ZIPPEL, Martin,STIHLER, Patrick,KOYUNCU, Metin
- Current Assignee Address: Postfach 30 02 20 70442 Stuttgart DE
- Agency: ROBERT BOSCH GMBH
- Priority: DE102010027747.9 20100414
- Main IPC: H01L21/268
- IPC: H01L21/268
Abstract:
Di e Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines Photovoltaikmoduls mit rückseitenkontaktierten Halbleiterzellen (1) mit jeweils auf einer Kontaktseite (2) vorgesehenen Kontaktbereichen (3) mit den Verfahrensschritten : Bereitstellen eines folienartigen nichtleitenden Trägers (4) mit einer mindestens einseitigen und mindestens abschnittsweisen elektrisch leitfähigen Trägerbeschichtung (5) auf einer ersten Trägerseite, Auf setzen der Kontakt seit en der Halbleiterzellen auf eine zweite Trägerseite, Ausführen einer den Träger und die Trägerbeschichtung durchbrechenden lokalen Perforation zum Erzeugen von Durchbrüchen (10) an den Kontaktbereichen (3) der Halbleiterzellen (1), Aufbringen eines Kontaktiermittels (11) zum Verfüllen der Durchbrüche (10) und zum Ausbilden einer Kontaktierung zwischen der Trägerbeschichtung auf der ersten Trägerseite und den Halbleiterzellen auf der zweit en Trägerseite.
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