一种铸造法生产类似单晶硅锭晶种制作方法，采用的单晶硅晶向为 ，电阻率≥0.1Ω⋅cm，极性不限；依次进行以下工序：a.该圆柱状单晶硅的直径选择在130〜250mm之间；b.断棱处反切50〜350mm；c.采用开方机将单晶硅加工成方棒；d.采用平磨机对方棒四边进行抛光；e.采用截断机将硅单晶切割成每块高度在5〜50mm的晶块；f.采用化学抛光或机械抛光，对晶块进行抛光，去除表面损伤层；清洗干净，烘干包装，待用。通过本方法的控制，可有效地减少晶种引起的缺陷，使得铸锭炉生长类似单晶的质量提高。