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公开(公告)号：WO2012171308A1
公开(公告)日：2012-12-20
申请号：PCT/CN2011/083714
申请日：2011-12-08
Applicant: 安阳市凤凰光伏科技有限公司 , 石坚 , 熊涛涛
CPC classification number: C30B11/00 , C30B11/003 , C30B11/006 , C30B28/06 , C30B29/06
Abstract: 本发明公开了一种铸造法生产类似单晶硅的方法，涉及铸造法生产类似单晶硅的方法，包括对GT或四面及顶面加热器的铸锭炉设备的改进与类似单晶的生长控制，所述的铸锭炉设备的改进指类似单晶硅锭热场梯度改进装置，所述的类似单晶的生长控制，包括投炉硅料和晶种摆放方法，化料加热方法，炉内融化后晶种稳定炉底的方法之一或组合。本发明的有益效果是：通过改变GT炉或四面加热器加顶部加热器的热场装置及材料、完善投炉硅料和晶种摆放方法、化料加热方法、炉内融化后晶种稳定炉底的方法等措施，从而改变热场内部温度曲线，可显著改善化料及生长等温曲线；进而可解决类似单晶晶种熔化问题，解决类似单晶生产的高成本、可靠性低、成功率低的问题。
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公开(公告)号：WO2012171306A1
公开(公告)日：2012-12-20
申请号：PCT/CN2011/083699
申请日：2011-12-08
Applicant: 安阳市凤凰光伏科技有限公司 , 石坚 , 熊涛涛
Abstract: 一种铸造法生产类似单晶硅锭晶种制作方法，采用的单晶硅晶向为 ，电阻率≥0.1Ω⋅cm，极性不限；依次进行以下工序：a.该圆柱状单晶硅的直径选择在130〜250mm之间；b.断棱处反切50〜350mm；c.采用开方机将单晶硅加工成方棒；d.采用平磨机对方棒四边进行抛光；e.采用截断机将硅单晶切割成每块高度在5〜50mm的晶块；f.采用化学抛光或机械抛光，对晶块进行抛光，去除表面损伤层；清洗干净，烘干包装，待用。通过本方法的控制，可有效地减少晶种引起的缺陷，使得铸锭炉生长类似单晶的质量提高。
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公开(公告)号：WO2012171307A1
公开(公告)日：2012-12-20
申请号：PCT/CN2011/083709
申请日：2011-12-08
Applicant: 安阳市凤凰光伏科技有限公司 , 石坚 , 熊涛涛
IPC: C30B11/00
CPC classification number: C30B11/00 , C30B11/003 , C30B11/006 , C30B28/06 , C30B29/06
Abstract: 一种铸造法生产类似单晶硅锭热场梯度改进装置，其在GT铸锭炉或四面及顶部加热器的铸锭炉内，在坩埚护板或坩埚外，设置有4面的保温层。保温层可固定在坩埚护板上，或固定在坩埚与护板之间，或固定在隔热笼上，或固定在加热器上，或固定在导热块上；保温层的高度为l〜650mm；保温层的厚度为0.01〜100mm。采用该装置，可显著改善化料及生长等温曲线；进而可使晶种固化在炉底，不熔化或漂浮，同时可以进一步降低晶种高度，降低成本。
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公开(公告)号：WO2011113356A1
公开(公告)日：2011-09-22
申请号：PCT/CN2011/071872
申请日：2011-03-16
Applicant: 湖南三一智能控制设备有限公司 , 三一重工股份有限公司 , 易小刚 , 缪雄辉 , 刘石坚
CPC classification number: F04B15/02 , F04B7/003 , F04B9/113 , F04B9/1178
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