发明申请
- 专利标题: ガスバリア性フィルムおよびその製造方法、ならびにこれを用いた電子素子用基板
- 专利标题(英): Gas barrier film, production method therefor, and electronic element substrate using same
- 专利标题(中): 气体阻隔膜,其制造方法和使用其的电子元件基板
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申请号: PCT/JP2012/071454申请日: 2012-08-24
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公开(公告)号: WO2013031687A1公开(公告)日: 2013-03-07
- 发明人: 河野 純一 , 江連 秀敏
- 申请人: コニカミノルタホールディングス株式会社 , 河野 純一 , 江連 秀敏
- 申请人地址: 〒1007015 東京都千代田区丸の内二丁目7番2号 Tokyo JP
- 专利权人: コニカミノルタホールディングス株式会社,河野 純一,江連 秀敏
- 当前专利权人: コニカミノルタホールディングス株式会社,河野 純一,江連 秀敏
- 当前专利权人地址: 〒1007015 東京都千代田区丸の内二丁目7番2号 Tokyo JP
- 代理机构: 八田国際特許業務法人
- 优先权: JP2011-189749 20110831
- 主分类号: B32B23/02
- IPC分类号: B32B23/02 ; B29C41/24 ; B29C47/00 ; B29C55/02 ; B29C71/02 ; B32B5/02 ; B32B9/00 ; G02F1/1333 ; B29K1/00 ; B29L7/00 ; B29L9/00
摘要:
本発明のガスバリア性フィルムは、セルロースナノファイバーの水酸基の水素原子の少なくとも一部が炭素数1~8のアシル基で置換された、表面修飾セルロースナノファイバーを含有し、マトリックス樹脂の含有量が前記セルロースナノファイバーと前記マトリックス樹脂との合計量に対して10質量%以下であるシート状基材と、前記シート状基材の少なくとも片面に形成されたガスバリア層と、を有する。また、本発明のガスバリア性フィルムの製造方法は、セルロースナノファイバーの水酸基の水素原子の少なくとも一部を炭素数1~8のアシル基で置換して表面修飾セルロースナノファイバーを得、前記表面修飾セルロースナノファイバーを溶融押出法または溶液キャスト法で製膜してシート状基材を得る工程Aと、前記シート状基材上にガスバリア層を形成する工程Bと、を有する。