Invention Application
- Patent Title: 半導体装置及びその製造方法
- Patent Title (English): Semiconductor device and method for manufacturing same
- Patent Title (中): 半导体器件及其制造方法
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Application No.: PCT/JP2012/079799Application Date: 2012-11-16
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Publication No.: WO2013073671A1Publication Date: 2013-05-23
- Inventor: 黒田 理人 , 寺本 章伸 , 須川 成利
- Applicant: 国立大学法人東北大学 , 黒田 理人 , 寺本 章伸 , 須川 成利
- Applicant Address: 〒9808577 宮城県仙台市青葉区片平二丁目1番1号 Miyagi JP
- Assignee: 国立大学法人東北大学,黒田 理人,寺本 章伸,須川 成利
- Current Assignee: 国立大学法人東北大学,黒田 理人,寺本 章伸,須川 成利
- Current Assignee Address: 〒9808577 宮城県仙台市青葉区片平二丁目１番１号 Miyagi JP
- Agency: 池田 憲保
- Priority: JP2011-251556 20111117
- Main IPC: H01L21/336
- IPC: H01L21/336 ; H01L21/316 ; H01L21/318 ; H01L21/8238 ; H01L21/8247 ; H01L27/092 ; H01L27/115 ; H01L29/78 ; H01L29/788 ; H01L29/792
Abstract:
従来の半導体装置のゲート絶縁膜は、半導体層側界面と電極側界面の中の少なくともいずれか一方の凹凸が大きいために、ゲート絶縁膜に印加される電界に局所的集中が起きたり、その強度にばらつきが発生したりして低い電界強度で絶縁破壊を起し使用寿命が短かった。 この課題は、ゲート絶縁膜の両界面の凹凸の大きさを特定化することで解決される。
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IPC分类:
