Invention Application
- Patent Title: 나노 패턴의 형성방법
- Patent Title (English): Method for forming nano-pattern
- Patent Title (中): 形成纳米图案的方法
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Application No.: PCT/KR2013/002176Application Date: 2013-03-18
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Publication No.: WO2013162174A1Publication Date: 2013-10-31
- Inventor: 김동호 , 권정대 , 나종주
- Applicant: 한국기계연구원
- Applicant Address: 305-343 대전시 유성구 가정북로 156 (장동), Daejeon KR
- Assignee: 한국기계연구원
- Current Assignee: 한국기계연구원
- Current Assignee Address: 305-343 대전시 유성구 가정북로 156 (장동), Daejeon KR
- Agency: 이인행
- Priority: KR10-2012-0042492 20120424; KR10-2012-0081787 20120726
- Main IPC: B82B3/00
- IPC: B82B3/00 ; C23C16/04 ; C23C14/04 ; C23F1/02 ; H01L21/02
Abstract:
마스크층을 식각 보호층으로 이용하는 나노 패턴의 형성방법 및 이로부터 제조된 나노 구조물이 제공된다. 일 실시예에 따르면, 기판 상에 나노 응집 입자들을 포함하는 마스크층을 형성한다. 상기 마스크층은 상기 나노 응집 입자들 사이로 상기 기판을 노출하는 개구를 갖는다. 상기 마스크층을 식각 보호층으로 이용하여 상기 개구로부터 노출된 상기 기판의 표면을 선택적으로 식각하여, 상기 기판 상에 나노 패턴을 형성한다.
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