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Invention Application
WO2015106854A1 MIKROMECHANISCHE DRUCKSENSORVORRICHTUNG UND ENTSPRECHENDES HERSTELLUNGSVERFAHREN 审中-公开
MICRO机械压力传感器装置及相应方法

  • Patent Title: MIKROMECHANISCHE DRUCKSENSORVORRICHTUNG UND ENTSPRECHENDES HERSTELLUNGSVERFAHREN
  • Patent Title (English): Micromechanical presssure sensor and corresponding production method
  • Patent Title (中): MICRO机械压力传感器装置及相应方法
  • Application No.: PCT/EP2014/074748
    Application Date: 2014-11-17
  • Publication No.: WO2015106854A1
    Publication Date: 2015-07-23
  • Inventor: CLASSEN, Johannes
  • Applicant: ROBERT BOSCH GMBH
  • Applicant Address: Postfach 30 02 20 70442 Stuttgart DE
  • Assignee: ROBERT BOSCH GMBH
  • Current Assignee: ROBERT BOSCH GMBH
  • Current Assignee Address: Postfach 30 02 20 70442 Stuttgart DE
  • Priority: DE10 20140114
  • Main IPC: G01L9/00
  • IPC: G01L9/00 ;  B81C1/00
MIKROMECHANISCHE DRUCKSENSORVORRICHTUNG UND ENTSPRECHENDES HERSTELLUNGSVERFAHREN
Abstract:
Die Erfindung schafft eine mikromechanische Drucksensorvorrichtung und ein entsprechendes Herstellungsverfahren. Die mikromechanische Drucksensorvorrichtung umfasst einen ASIC-Wafer (1) mit einer Vorderseite (VS) und einer Rückseite (RS), eine auf der Vorderseite (VS) gebildeten Umverdrahtungseinrichtung (1a) mit einer Mehrzahl von Leiterbahnebenen (LB0, LB1, LB2) und dazwischenliegenden Isolationsschichten (I), eine über einer obersten Leiterbahnebene (LB0) der Mehrzahl von Leiterbahnebenen (LB0, LB1, LB2) gebildeten strukturierten Isolationsschicht (6), eine auf der Isolationsschicht (6) gebildeten mikromechanischen Funktionsschicht (2; 2"), welche einen mit Druck beaufschlagbaren Membranbereich (M; Μ'; M") über einer Aussparung (A1; A1 ") der Isolationsschicht (6) als eine erste Druckdetektionselektrode aufweist, und eine in der obersten Leiterbahnebene (LB0) beanstandet vom Membranbereich (M; M'; M") in der Aussparung (A1; A1") gebildeten zweiten Druckdetektionselektrode (7; 7"), welche vom Membranbereich (M; Μ'; M") elektrisch isoliert ist. Der Membranbereich (M; Μ'; M") ist durch ein oder mehrere erste Kontaktstöpsel (P1, P2; P1", P2") mit der obersten Leiterbahnebene (LB0) elektrisch verbunden, welche durch den Membranbereich (M; Μ'; M") und durch die Isolationsschicht (6) geführt sind.
Abstract(Chinese):

本发明提供了一种微机械压力传感器装置和相应的制造方法。 微机械压力传感器装置包括（1）具有前侧（VS）和后侧（RS），一个上形成再布线（1A）与多个导体路径平面（LB0，LB1，LB2）和中间体的前侧（VS）的ASIC晶片 所述多个导体路径平面（LB0，LB1，LB2）的绝缘层（I），一个在顶部导体电平（LB0）来形成结构化的绝缘层（6），一个绝缘层（6）上形成的微机械的功能层（2; 2“），其具有 “;通过的凹部;（M“（A1; A1加压膜部分MΜ）‘）的所述绝缘层作为第一压力检测电极，并在最上面的导体轨道平面（LB0）反对（6）（从隔膜区域M; M’ ; M “）在所述凹部（A1; A1” 形成第二压力检测电极）（7; 7 “），其（从隔膜区域M;Μ“; M”）电从膜片区域（M ;.Μ绝缘'; M“） 是通过 或多个第一接触插塞（P1，P2的; P1”，P2" ）（与最上面的导体轨道平面LB0）电连接，其（通过膜区域M;Μ“; M“）和（通过绝缘层6）被引导。

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