Invention Application
- Patent Title: CeドープのPZT系圧電体膜形成用組成物
- Patent Title (English): Composition for forming cerium-doped pzt piezoelectric film
- Patent Title (中): 用于形成陶瓷PZT压电薄膜的组合物
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Application No.: PCT/JP2015/058618Application Date: 2015-03-20
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Publication No.: WO2015146863A1Publication Date: 2015-10-01
- Inventor: 土井 利浩 , 桜井 英章 , 曽山 信幸
- Applicant: 三菱マテリアル株式会社
- Applicant Address: 〒1008117 東京都千代田区大手町一丁目3番2号 Tokyo JP
- Assignee: 三菱マテリアル株式会社
- Current Assignee: 三菱マテリアル株式会社
- Current Assignee Address: 〒1008117 東京都千代田区大手町一丁目3番2号 Tokyo JP
- Agency: 志賀 正武
- Priority: JP2014-065627 20140327
- Main IPC: H01L41/187
- IPC: H01L41/187 ; C01G25/00 ; H01L41/318
Abstract:
このCeドープのPZT系圧電体膜形成用組成物は、複合金属酸化物を構成する各金属原子を含むPZT系前駆体と、ジオールと、ポリビニルピロリドン等とを含む。組成物中の金属原子比(Pb:Ce:Zr:Ti)が、(1.00~1.28):(0.005~0.05):(0.40~0.55):(0.60~0.45)を満たし、かつZrとTiの金属原子比の合計割合が1となる割合で、PZT系前駆体を含む。組成物100質量%中に占めるPZT系前駆体の濃度が酸化物濃度で17~35質量%であり、組成物100質量%中のジオールの割合が16~56質量%であり、ポリビニルピロリドン等の割合がPZT系前駆体1モルに対してモノマー換算で0.01~0.25モルである。
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IPC分类: