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    TRANSPARENT PIEZOELECTRIC DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
    1.
    发明申请
    TRANSPARENT PIEZOELECTRIC DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME 审中-公开
    透明压电装置及其制造方法

    公开(公告)号：WO2017202652A1

    公开(公告)日：2017-11-30

    申请号：PCT/EP2017/061757

    申请日：2017-05-16

    Applicant: LUXEMBOURG INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY (LIST)

    Inventor： SETTE, Daniele ,  DEFAY, Emmanuel

    IPC: H01L41/047 ,  H01L41/08 ,  H01L41/318 ,  H01L41/29

    Abstract: The invention is directed to a transparent piezoelectric device (2) comprising a transparent substrate (4); a transparent piezoelectric layer (6); a transparent layer (8) of interdigitated electrodes. The transparent piezoelectric layer (6) is disposed between the substrate (4) and the layer (8) of interdigitated electrodes. A transparent dielectric layer (10) of l-30nm thickness is disposed between the substrate (4) and the piezoelectric layer (6).

    Abstract translation: 本发明涉及包括透明基板（4）的透明压电器件（2）; 透明压电层（6）; 一个交叉电极的透明层（8）。 透明压电层（6）设置在基板（4）和交叉电极层（8）之间。 在衬底（4）和压电层（6）之间设置1〜30nm厚的透明电介质层（10）。

    A PIEZOELECTRIC THIN FILM ELEMENT
    2.
    发明申请
    A PIEZOELECTRIC THIN FILM ELEMENT 审中-公开
    压电薄膜元件

    公开(公告)号：WO2017158344A1

    公开(公告)日：2017-09-21

    申请号：PCT/GB2017/050695

    申请日：2017-03-14

    Applicant: XAAR TECHNOLOGY LIMITED

    Inventor： MARDILOVICH, Peter ,  KO, Song-Won ,  TROLIER-MCKINSTRY, Susan ,  BORMAN, Trent ,  ZHU, Wanlin

    IPC: H01L41/187 ,  H01L41/318

    Abstract: A method for the manufacture of a piezoelectric thin film element comprising a first electrode,a second electrode and one or more piezoelectric thin films there between which method comprises forming a piezoelectric thin film comprising PZT by a chemical solution deposition using three solutions wherein the forming of the PZT thin film comprises forming a bulk PZT thin film layer from the three solutions, wherein each solution has a Zr/Ti content which is different from that of any other solution and at least one solution has an excess lead content greater than that of any other solution, such that the bulk PZT thin film layer has a substantially uniform lead content and Zr/(Zr+Ti) ratio in its thickness direction.

    Abstract translation: 一种用于制造压电薄膜元件的方法，所述压电薄膜元件包括第一电极，第二电极和一个或多个压电薄膜，在所述压电薄膜元件之间包括通过化学溶液形成包含PZT的压电薄膜 使用三种溶液进行沉积，其中形成PZT薄膜包括由三种溶液形成块体PZT薄膜层，其中每种溶液具有不同于任何其他溶液的Zr / Ti含量，并且至少一种溶液具有 过量的铅含量大于任何其它溶液的铅含量，使得体PZT薄膜层在其厚度方向上具有基本均匀的铅含量和Zr /（Zr + Ti）比率。

    Ｍｎ及びＮｂドープのＰＺＴ系圧電体膜
    4.
    发明申请
    Ｍｎ及びＮｂドープのＰＺＴ系圧電体膜 审中-公开
    锰和磷酸镉PZT压电薄膜

    公开(公告)号：WO2015146609A1

    公开(公告)日：2015-10-01

    申请号：PCT/JP2015/057319

    申请日：2015-03-12

    Applicant: 三菱マテリアル株式会社

    Inventor： 土井　利浩 ,  桜井　英章 ,  曽山　信幸

    IPC: H01L41/187 ,  C04B35/491 ,  H01L41/318 ,  C01G25/00

    CPC classification number: C04B35/493 ,  C01G25/006 ,  C01P2002/50 ,  C01P2002/52 ,  C04B35/491 ,  C04B35/62218 ,  C04B2235/3234 ,  C04B2235/3249 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3255 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/3268 ,  C04B2235/3296 ,  H01L41/1876 ,  H01L41/318

    Abstract: 　本発明のＭｎ及びＮｂドープのＰＺＴ系圧電体膜は、Ｍｎ及びＮｂドープの複合金属酸化物からなり、膜中の金属原子比（Ｐｂ：Ｍｎ：Ｎｂ：Ｚｒ：Ｔｉ）が（０．９８～１．１２）：（０．００２～０．０５６）：（０．００２～０．０５６）：（０．４０～０．６０）：（０．４０～０．６０）を満たし、かつ前記Ｍｎ及びＮｂの金属原子比の合計を１としたときの前記Ｍｎの割合が０．２０～０．８０、前記Ｚｒ及びＴｉの金属原子比の合計を１としたときの前記Ｚｒの割合が０．４０～０．６０、前記Ｍｎ、Ｎｂ、Ｚｒ及びＴｉの金属原子比の合計を１としたときの前記Ｚｒ及びＴｉの合計割合が０．９３００～０．９９０２である。

    Abstract translation: 掺杂锰和铌的PZT压电薄膜包括锰和铌掺杂的复合金属氧化物。 膜中金属铅，锰，铌，锆和钛的原子比例分别为0.98〜1.12，0.002〜0.056，0.002〜0.056，0.40〜0.60，0.40〜0.60， 锰的原子比例为锰和铌总原子比例的20％至80％; 锆的原子比例为锆和钛的总原子比例的40％至60％; 锆和钛的总原子比例为锰，铌，锆和钛的总原子比例的93.00％至99.02％。

    METHODS OF FORMING PIEZOELECTRIC MATERIALS, PIEZOELECTRIC DEVICES, AND ASSOCIATED TOOLING AND SYSTEMS
    6.
    发明申请
    METHODS OF FORMING PIEZOELECTRIC MATERIALS, PIEZOELECTRIC DEVICES, AND ASSOCIATED TOOLING AND SYSTEMS 审中-公开

    公开(公告)号：WO2023069876A1

    公开(公告)日：2023-04-27

    申请号：PCT/US2022/078132

    申请日：2022-10-14

    Applicant: BAKER HUGHES OILFIELD OPERATIONS LLC

    Inventor： WISE, Peter Leonard ,  AVAGLIANO, Aaron ,  SAKTHIVEL, Navin

    IPC: H01L41/318 ,  H01L41/39 ,  H01L41/27 ,  H01L41/187

    Abstract: A method of forming a piezoelectric device may include depositing a sol-gel film over a substrate and curing the sol-gel film by impinging light onto an exposed surface of the sol-gel film to form a piezoelectric ceramic element. The method may produce a piezoelectric composite material including at least two piezoelectric ceramic pillars over the substrate. The at least two piezoelectric pillars may include at least one layer. The at least one layer having a gradient density, such that a first portion of the at least one layer proximate the substrate has a density lower than a second portion that is located a greater distance from the substrate than the first portion. The piezoelectric composite material may further include a resin separating the at least two piezoelectric ceramic pillars.

    基板及び膜基板生産方法
    7.
    发明申请
    基板及び膜基板生産方法 审中-公开

    公开(公告)号：WO2018225415A1

    公开(公告)日：2018-12-13

    申请号：PCT/JP2018/016866

    申请日：2018-04-25

    Applicant: 国立大学法人熊本大学

    Inventor： 小林　牧子 ,  中妻　啓 ,  田邉　将之

    IPC: H01L41/318 ,  H01L21/316 ,  H01L41/113 ,  H01L41/187 ,  H01L41/257 ,  H04R17/00 ,  H04R31/00

    Abstract: 基板の上に、強誘電体の粉末と誘電体のゾルゲル溶液を混合して、高温下において動作可能な膜を作製して膜基板を生産する膜基板生産方法を提案する。基板の上に、粉末とゾルゲル溶液の混合体を用いて膜を作製して、膜基板を生産する。粉末はＣａＢｉ 2 Ｔａ 2 Ｏ 9 である。また、粉末とゾルゲル溶液の混合体は、ＣａＢｉ 4 Ｔｉ 4 Ｏ 15 の粉末と、Ｂｉ 4 Ｔｉ 3 Ｏ 12 及び／又は（Ｂａ，Ｓｒ）ＴｉＯ 3 のゾルゲル溶液の混合体である。これにより、７００℃、さらには、８００℃を超える極めて高い温度下でも正常に動作する高音波トランスデューサや感圧センサを作製することができる。さらに、分極処理は、例えば４００℃、さらには室温程度の温度で可能である。

    A PIEZOELECTRIC THIN FILM ELEMENT
    8.
    发明申请
    A PIEZOELECTRIC THIN FILM ELEMENT 审中-公开
    压电薄膜元件

    公开(公告)号：WO2017158345A1

    公开(公告)日：2017-09-21

    申请号：PCT/GB2017/050696

    申请日：2017-03-14

    Applicant: XAAR TECHNOLOGY LIMITED

    Inventor： MARDILOVICH, Peter ,  KO, Song-Won ,  TROLIER-MCKINSTRY, Susan ,  BORMAN, Trent

    IPC: H01L41/187 ,  H01L41/318 ,  H01L41/08

    CPC classification number: H01L41/318 ,  B41J2/14233 ,  B41J2/161 ,  B41J2/1642 ,  B41J2002/14266 ,  B41J2202/03 ,  H01L41/0477 ,  H01L41/0805 ,  H01L41/0973 ,  H01L41/1876 ,  H01L41/29

    Abstract: A piezoelectric thin film element comprising a first electrode, a second electrode and one or more piezoelectric thin films there between wherein the first electrode is a platinum metal electrode having an average grain size greater than 50 nm and wherein a piezoelectric thin film adjacent the platinum metal electrode comprises a laminate having a plurality of piezoelectric thin film layers wherein a piezoelectric thin film layer contacting the platinum metal electrode comprises lead zirconate titanate (PZT) of composition at or about PbZr x Ti 1 - x O 3 where 0

    Abstract translation: 一种压电薄膜元件，包括第一电极，第二电极和位于其间的一个或多个压电薄膜，其中第一电极是平均晶粒尺寸大于50nm的铂金属电极，并且其中 邻近铂金属电极的压电薄膜包括具有多个压电薄膜层的层压体，其中与铂金属电极接触的压电薄膜层包括在PbZr x或Pb zr或其附近的组成的锆钛酸铅（PZT） sub> 1 0 3 3其中0 < x≤0.60并且具有大于或等于90％的假立方{100}取向的程度。

    ＰＴＺＴ圧電体膜及びその圧電体膜形成用液組成物の製造方法
    10.
    发明申请
    ＰＴＺＴ圧電体膜及びその圧電体膜形成用液組成物の製造方法 审中-公开
    压电陶瓷膜及其制造用于形成压电薄膜的液体组合物的方法

    公开(公告)号：WO2016133045A1

    公开(公告)日：2016-08-25

    申请号：PCT/JP2016/054292

    申请日：2016-02-15

    Applicant: 三菱マテリアル株式会社

    Inventor： 土井　利浩 ,  曽山　信幸

    IPC: H01L41/187 ,  B41J2/14 ,  B41J2/16 ,  C01G35/00 ,  H01L41/318 ,  H01L41/319 ,  H01L41/43

    CPC classification number: H01L41/18 ,  B41J2/14 ,  B41J2/16 ,  C01G35/00 ,  C01G35/006 ,  C04B35/499 ,  H01L41/187 ,  H01L41/318 ,  H01L41/319 ,  H01L41/43

    Abstract: 　ＰＴＺＴ圧電体膜は、Ｐｂ、Ｔａ、Ｚｒ及びＴｉを含有するペロブスカイト構造の金属酸化物からなり、前記金属酸化物が更に炭素を含有し、前記炭素の含有量が８０～８００質量ｐｐｍである。この圧電体膜形成用液組成物の製造方法では、Ｔａアルコキシド、Ｚｒアルコキシド、β－ジケトン類及びジオールを還流し、還流して得られた第１合成液にＴｉアルコキシドを添加して再び還流し、再び還流して得られた第２合成液にＰｂ化合物を添加して更に還流し、更に還流して得られた第３合成液から溶媒を除去した後、アルコールで希釈してＰＴＺＴ圧電体膜形成用液組成物が製造される。このＰＴＺＴ圧電体膜形成用液組成物は、Ｔａアルコキシド、Ｚｒアルコキシド及びＴｉアルコキシドを合計した量を１モルとするとき、ジオールを７～１１モル、β－ジケトン類を１．５～３．０モルとなる割合でそれぞれ含む。

    Abstract translation: 一种包含含有Pb，Ta，Zr和Ti的钙钛矿结构的金属氧化物的压电PTZT膜，其中金属氧化物还含有碳，碳含量为80-800质量ppm。 用于制造用于压电PTZT膜形成的液体组合物的方法包括：回流Ta醇盐，Zr醇盐，β-二酮化合物和二醇; 向通过回流得到的第一合成液中加入Ti醇盐，再次回流混合物; 向通过第二次回流得到的第二合成液中添加Pb化合物，进而回流该混合物; 从第三回流得到的第三合成液中除去溶剂; 然后用醇稀释所得残余物，从而制备用于压电成膜的液体组合物。 用于压电PTZT膜形成的液体组合物分别含有每摩尔Ta烷氧化物，Zr醇盐和Ti醇盐的总和为7-11mol和1.5-3.0mol的二醇和β-二酮化合物。

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