Invention Application
WO2016132784A1 絶縁膜の製造方法および絶縁膜、レーザーアブレーション用樹脂組成物、ならびに電子部品 审中-公开
绝缘膜绝缘方法,绝缘膜,激光烧结用树脂组合物及电子元件

  • Patent Title: 絶縁膜の製造方法および絶縁膜、レーザーアブレーション用樹脂組成物、ならびに電子部品
  • Patent Title (English): Method for producing insulating film, insulating film, resin composition for laser abrasion, and electronic component
  • Patent Title (中): 绝缘膜绝缘方法,绝缘膜,激光烧结用树脂组合物及电子元件
  • Application No.: PCT/JP2016/050972
    Application Date: 2016-01-14
  • Publication No.: WO2016132784A1
    Publication Date: 2016-08-25
  • Inventor: 土井 貴史西村 功
  • Applicant: JSR株式会社
  • Applicant Address: 〒1058640 東京都港区東新橋一丁目9番2号 Tokyo JP
  • Assignee: JSR株式会社
  • Current Assignee: JSR株式会社
  • Current Assignee Address: 〒1058640 東京都港区東新橋一丁目9番2号 Tokyo JP
  • Agency: 特許業務法人SSINPAT
  • Priority: JP2015-031505 20150220
  • Main IPC: G03F7/36
  • IPC: G03F7/36 G03F7/039 H01L21/312 H05K1/03 H05K3/00
絶縁膜の製造方法および絶縁膜、レーザーアブレーション用樹脂組成物、ならびに電子部品
Abstract:
 本発明の課題は、レーザー光に対する樹脂膜の感度が高い、レーザーアブレーション法を用いた絶縁膜の製造方法を提供することにある。本発明の絶縁膜の製造方法は、式(A1)で表される繰り返し構造単位を有するポリアリーレン(A)および溶剤(B)を含有する樹脂組成物の樹脂膜を基板上に形成する工程1と、樹脂膜を加熱処理する工程2と、レーザーアブレーション法により、加熱後の樹脂膜にパターンを形成する工程3とを有する。 [式(A1)中、Arは芳香族環であり;水酸基は前記芳香族環に結合する置換基であり;R 1 は前記芳香族環に結合する置換基であり、ハロゲン原子または炭素数1~10のアルキル基であり、R 1 は、複数存在する場合、互いに同一でもよく異なっていてもよく;aは1以上の整数であり、bは0以上の整数である。]
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