ワイドバンドギャップ半導体を基材とする半導体素子（１８）の上にめっき法によりＣｕ配線電極（１７）を形成する工程と、ＮＨ ３ 雰囲気下でＣｕ配線電極（１７）を還元する還元工程と、還元工程と同時にＣｕ配線電極（１７）を加熱する加熱工程と、加熱工程の後にＣｕ配線電極（１７）を被覆する拡散防止膜（１１）を形成する工程と、拡散防止膜（１１）を有機樹脂膜（１０）で被覆する封止工程とを備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。