微細なトランジスタを提供する。 または、 寄生容量の小さいトランジスタを提供する。 または、 周波 数特性の高いトランジスタを提供する。またはオン電流の大きなトランジスタを提供する。または、 該トランジスタを有する半導体装置を提供する。 または、 集積度の高い半導体装置を提供する。 また は、新規な電極を提供する。 第１の導電層の上方に絶縁層を形成し、 絶縁層の上方にマスク層を形成し、 マスク層上にリソグラフ ィー法によりレジストマスクを形成し、 レジストマスクの側面に生成物を形成し、 レジストマスクお よび生成物をエッチングマスクとして、 マスク層をエッチングし、 マスク層をエッチングマスクとし て、絶縁層を第１の導電層の上面に達するまでエッチングすることにより絶縁層に開口部を形成し、 開口部に第２の導電層を形成する電極を作製する。