Invention Application
- Patent Title: 고전자이동도 트랜지스터 및 그의 제조방법
- Patent Title (English): High-electron-mobility transistor and method for fabricating same
- Patent Title (中): 高电子迁移率晶体管及其制造方法
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Application No.: PCT/KR2016/011541Application Date: 2016-10-14
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Publication No.: WO2017069464A1Publication Date: 2017-04-27
- Inventor: 이상민 , 정연국 , 구황섭 , 김현제 , 정희석
- Applicant: (주)기가레인
- Applicant Address: 18449 경기도 화성시 삼성1로5길 46 (석우동), Gyeonggi-do KR
- Assignee: (주)기가레인
- Current Assignee: (주)기가레인
- Current Assignee Address: 18449 경기도 화성시 삼성1로5길 46 (석우동), Gyeonggi-do KR
- Agency: 특허법인 주원
- Priority: KR10-2015-0147178 20151022; KR10-2016-0016943 20160215
- Main IPC: H01L29/778
- IPC: H01L29/778 ; H01L29/66 ; H01L29/74 ; H01L29/78 ; H01L29/423
Abstract:
본 발명은 기판상에 형성되는 활성층과, 상기 활성층상에 서로 이격되어 각각 형성된 게이트 전극, 소스 전극 및 드레인 전극과, 상기 게이트 전극, 소스 전극 및 드레인 전극 사이의 상기 활성층상과 상기 게이트 전극상에 형성되는 절연층과, 상기 소스 전극과 상기 게이트 전극 사이의 상측 일부, 상기 게이트 전극의 상측 및 상기 게이트 전극과 상기 드레인 전극 사이의 상측 일부의 상기 절연층상에 형성되는 더미층, 및 상기 더미층 상측에 형성되며, 상기 소스 전극과 적어도 하나의 도전성 경로에 의해 접속되는 필드 플레이트를 포함하는 고전자이동도 트랜지스터 및 그의 제조방법을 제공한다.
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