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公开(公告)号：WO2017069464A1
公开(公告)日：2017-04-27
申请号：PCT/KR2016/011541
申请日：2016-10-14
申请人： (주)기가레인
IPC分类号： H01L29/778 , H01L29/66 , H01L29/74 , H01L29/78 , H01L29/423
CPC分类号： H01L29/423 , H01L29/66 , H01L29/74 , H01L29/778 , H01L29/78
摘要： 본 발명은 기판상에 형성되는 활성층과, 상기 활성층상에 서로 이격되어 각각 형성된 게이트 전극, 소스 전극 및 드레인 전극과, 상기 게이트 전극, 소스 전극 및 드레인 전극 사이의 상기 활성층상과 상기 게이트 전극상에 형성되는 절연층과, 상기 소스 전극과 상기 게이트 전극 사이의 상측 일부, 상기 게이트 전극의 상측 및 상기 게이트 전극과 상기 드레인 전극 사이의 상측 일부의 상기 절연층상에 형성되는 더미층, 및 상기 더미층 상측에 형성되며, 상기 소스 전극과 적어도 하나의 도전성 경로에 의해 접속되는 필드 플레이트를 포함하는 고전자이동도 트랜지스터 및 그의 제조방법을 제공한다.
摘要翻译：
本发明是在有源层和有源彼此形成在每个栅电极，源电极和漏电极的层上隔开之间，所述在衬底上形成栅电极，源电极和漏电极 绝缘形成在有源层和栅电极层，并且源电极和所述栅电极，所述栅电极的上侧之间的上侧的一部分上，并且形成在栅电极和漏电极之间的上部的绝缘层中 以及形成在虚拟层上并通过至少一个导电路径连接到源电极的场板及其制造方法。
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公开(公告)号：WO2016186447A1
公开(公告)日：2016-11-24
申请号：PCT/KR2016/005262
申请日：2016-05-18
申请人： (주)기가레인
摘要： 본 발명의 안테나 일체형 연성회로기판은 선로부; 및 상기 선로부에 일체화되어 형성된 안테나부를 포함하는 것을 특징으로 한다. 본 발명은 안테나 및 연성회로기판을 일체화하여 신호 변형 및 손실을 방지하고, 단말기 높이를 감소시켜 단말기의 슬림화 및 소형화를 가능하게 하는 것을 물론, 안테나로 유입되는 노이즈가 단말기 내부로 유입되는 것을 방지하는 연성회로기판을 제공하는데 그 목적이 있다. 또한 본 발명은 벤딩 내구성을 개선하고, 신호라인의 손실 및 외부로부터 유입되는 신호를 최소화하며, 단말기 내부에 배치되는 위치와 관계없이 임피던스 변화가 없어 임피던스 매칭을 위해 별도로 그 형상을 변경할 필요가 없는 연성회로기판을 제공하는데 또 다른 목적이 있다.
摘要翻译： 根据本发明的天线集成柔性电路板包括：线路部分; 以及与线路部分集成的天线部分。 本发明的目的是提供一种柔性电路板，其通过集成天线和柔性电路板来防止信号变形和损坏，并且通过降低端子的高度使端子小型化并使其变薄，并且还防止了噪声 从进入终端的内部也进入天线。 本发明的另一个目的是提供一种柔性电路板，该电路板具有改进的弯曲耐久性，并且使来自外部的信号的渗透和信号线损坏最小化，并且避免了为了阻抗匹配而单独改变其形状的需要，因为 无论柔性电路板放置在端子内的位置如何，阻抗都不变。
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公开(公告)号：WO2017069463A1
公开(公告)日：2017-04-27
申请号：PCT/KR2016/011540
申请日：2016-10-14
申请人： (주)기가레인
IPC分类号： H01L29/778 , H01L29/66 , H01L29/417 , H01L29/49 , H01L21/768 , H01L21/02
CPC分类号： H01L21/02 , H01L21/768 , H01L29/417 , H01L29/49 , H01L29/66 , H01L29/778
摘要： 고전자이동도 트랜지스터 및 그의 제조방법이 개시된다. 본 발명의 실시예에따른 고전자이동도 트랜지스터는 소스전극배선형성부위가 정의된 기판, 상기 기판 상부에 형성되는 베이스층, 상기 소스전극배선형성부위의 상기 베이스층 상부에 형성되고 중공이 형성된 소스전극, 상기 소스전극과 이격되어 상기 베이스층 상부에 형성되는 드레인전극, 상기 소스전극과 상기 드레인전극 사이 상기 베이스층 상부에 형성되는 게이트전극, 상기 소스전극의 중공 내측을 제외한 상기 베이스층상에 형성되는 제1 절연층, 상기 소스전극과 상기 드레인전극사이에 형성되며 상기 제1 절연층과 상기 게이트전극을 덮는 제2 절연층, 상기 소스전극의 중공 외측의 소스전극상면부터 상기 게이트전극과 상기 드레인전극 사이의 상기 제2 절연층 상면까지 형성되는 필드플레이트, 상기 중공 내측으로 상기 소스전극배선형성부위의 상기 베이스층 및 상기 기판을 전면에서부터 소정 깊이로 식각하고 전도체를 충진하여 형성되는 소스전극배선용 비아패드, 상기 소스전극배선용 비아패드에서 연장되어 일체로 형성되는 소스전극패드, 상기 드레인전극 상측에 형성되는 드레인전극패드, 상기 소스전극패드 외주면과 상기 드레인전극패드 외주면 사이에서 상기 필드플레이트를 덮으며 형성되는 제3 절연층을 포함한다.
摘要翻译： 公开了高电子迁移率晶体管及其制造方法。 形成在基体层之上的基底层上根据本发明的晶体管的一实施例的高电子迁移率，被形成在基板上的源电极布线形成区域，在其上形成限定所述源中空源电极布线形成部的基板的上方， 电极，被从形成在所述基极层除了栅电极的源电极隔开，形成在所述漏电极，所述源电极和所述漏电极和形成于所述基极层上的基极层上部分之间的源极电极的中空内侧 一个第一绝缘层，在源极电极和漏极电极，其中所述源电极的外侧的第二绝缘层，从该中空纤维的源极电极上表面和所述栅电极和所述漏电极覆盖所述第一绝缘层和所述栅电极之间形成 形成到源电极和漏电极之间的第二绝缘层的上表面的场板， 基材层和上述的基片，从正面蚀刻至预定深度，并从源电极布线经由垫延伸，通过填充其一体地形成在上侧和漏电极的导电源电极焊垫形成经由衬垫源电极布线 并且形成第三绝缘层以覆盖源电极焊盘的外周表面和漏电极焊盘的外周表面之间的场板。
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公开(公告)号：WO2017052046A1
公开(公告)日：2017-03-30
申请号：PCT/KR2016/007477
申请日：2016-07-11
申请人： (주)기가레인
CPC分类号： H05K1/028 , H05K1/02 , H05K1/024 , H05K1/0242 , H05K1/09 , H05K1/115 , H05K3/0026 , H05K3/0044 , H05K3/28 , H05K3/42 , H05K3/46 , H05K2201/093 , H05K2203/0228 , H05K2203/107
摘要： 본 발명은 벤딩 내구성이 개선된 연성회로기판으로서, 제1기판부; 상기 제1기판부 일측에서 연장 형성되고, 벤딩 가능하도록 상기 제1기판부보다 얇은 두께로 형성된 제2기판부; 및 상기 제2기판부 일측에서 연장 형성되고 벤딩 가능하도록 상기 제2기판부보다 얇은 두께로 형성된 제3기판부를 포함하는 것을 특징으로 한다.
摘要翻译： 本发明提供了具有增强的弯曲耐久性的柔性电路板。 柔性电路板包括：第一板部分; 第二板部分，其从所述第一板部分的一侧延伸并且比所述第一板部分更薄以便可弯曲; 以及从所述第二基板部分的一侧延伸并且比所述第二板部分更薄以便可弯曲的第三板部分。
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公开(公告)号：WO2016182313A1
公开(公告)日：2016-11-17
申请号：PCT/KR2016/004869
申请日：2016-05-10
申请人： (주)기가레인
摘要： 본 발명에 따른 비콘 데이터 처리 시스템은, 평문 데이터, 기초 데이터, 및 갱신 데이터의 변경 규칙이 등록되며, 상기 기초 데이터 및 상기 변경 규칙에 따라 변경되는 갱신데이터를 조합하여 암호키 데이터를 생성하고, 상기 암호키 데이터로 상기 평문 데이터를 암호화하여 암호화 데이터를 생성하여 발신하는 비콘; 및 상기 비콘에 등록된 평문 데이터, 기초 데이터, 및 갱신 데이터의 변경 규칙과 동일한 평문 데이터, 기초 데이터, 및 갱신 데이터의 변경 규칙이 등록되며, 상기 기초 데이터 및 상기 변경 규칙에 따라 변경되는 갱신데이터를 조합하여 암호키 데이터를 생성하고, 상기 비콘으로부터 암호화 데이터를 수신하면, 상기 생성된 암호키 데이터 또는 등록된 상기 평문 데이터를 이용하여 상기 비콘으로부터 수신된 상기 암호화 데이터의 정상 여부를 판단하는 판단부;를 포함하는 것을 특징으로 한다.
摘要翻译： 根据本发明的用于处理信标数据的系统包括：其上登记有明文数据，原始数据和更新数据的修改规则的信标，并且其用于通过将原始数据和 根据修改规则修改的更新数据，并且通过使用加密密钥数据加密明文数据然后发送加密数据来生成加密数据; 以及确定单元，其上登记了明信片，原始数据和与明文数据相同的更新数据修改规则，原始数据和已经登记在信标上的更新数据的修改规则，并且其用于 通过组合原始数据和根据修改规则修改的更新数据来生成加密密钥数据，并且当从信标接收到加密数据时，通过使用生成的加密密钥数据来确定从信标接收到的加密数据的正常 或已登记的明文数据。
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公开(公告)号：WO2017082593A1
公开(公告)日：2017-05-18
申请号：PCT/KR2016/012662
申请日：2016-11-04
申请人： (주)기가레인
摘要： 본 발명은 고주파 입력신호를 증폭하여 출력하는 고주파 전력 증폭기에 있어서, 제1 기판과, 상기 제1 기판 상에 형성되며, 상기 고주파 입력신호를 증폭하여 소정의 전력으로 출력하도록 모듈화(규격화)된 증폭부와, 상기 제1 기판 하부에 배치되며, 상기 제1 기판보다 열팽창계수가 큰 인터포저(interposer) 및 상기 인터포저 상에 배치되며, 상기 증폭부에 전력을 공급하는 바이어스부를 포함하며, 상기 바이어스부가 배치된 상기 인터포저 상에는 상기 증폭부가 형성된 상기 제1 기판이 하나 이상 배치되고, 상기 바이어스부와 상기 증폭부가 연결되어 상기 고주파 입력신호를 증폭한 출력전력을 생성하는 고주파 전력 증폭기를 제공한다.
摘要翻译：
本发明涉及一种高频功率放大器输出放大的高频输入信号时，被形成在所述第一基板和所述第一基板，预定的电力通过放大高频输入信号上 和模块化（归一化）到输出放大部设置在下部，设置在第一衬底的与热膨胀系数在所述第一基板上的较大插入器（内插器）和插入，将电力供应到放大部件 它包括一个偏置单元，如果第一基片，其特征在于形成在所述放置部分的放大设置的至少一个内插器中形成所述偏置部分，是通过放大高频输入信号耦合到所述偏压单元，被配置以产生输出功率放大部 提供一个高频功率放大器。
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公开(公告)号：WO2017069462A1
公开(公告)日：2017-04-27
申请号：PCT/KR2016/011538
申请日：2016-10-14
申请人： (주)기가레인
IPC分类号： H01L29/778 , H01L29/49 , H01L29/66 , H01L29/417 , H01L21/768 , H01L21/02
CPC分类号： H01L21/02 , H01L21/768 , H01L29/417 , H01L29/49 , H01L29/66 , H01L29/778
摘要： 고전자이동도 트랜지스터 및 그의 제조방법이 개시된다. 본 발명은 소스전극배선형성부위가 정의된 기판상에 베이스층을 형성하는 단계, 상기 소스전극배선형성부위의 상기 베이스층 상부에 중공이 형성된 소스전극과, 상기 소스전극배선형성부위와 이격된 상기 베이스층 상부에 드레인전극을 형성하는 단계, 상기 소스전극과 상기 드레인전극 및 베이스층의 전면에 제1 절연층을 형성하는 단계, 상기 소스전극과 상기 드레인전극 사이의 소정부위의 상기 제1 절연층을 제거하여 노출된 상기 베이스층상에 게이트전극을 형성하는 단계, 전면에 제2 절연층을 형성하는 단계, 상기 소스전극배선형성부위의 상기 소스전극 중공 내측의 상기 제1 절연층, 상기 베이스층 및 상기 기판을 전면에서부터 소정의 깊이로 식각하여 소스전극배선용 비아를 형성하는 단계, 상기 소스전극 상부의 상기 제2 절연층 및 상기 제1 절연층 일부를 제거하고, 상기 드레인전극 상부의 상기 제2 절연층과 상기 제1 절연층의 일부를 제거하여 각각 소스전극패드용 비아 및 드레인전극패드용 비아를 형성하는 단계 및 상기 소스전극배선용 비아, 상기 소스전극패드용 비아 및 상기 드레인전극패드용 비아를 전도체로 충진하여 소스전극배선용 비아패드, 소스전극패드 및 드레인전극패드를 형성하는 단계를 포함한다.
摘要翻译： 公开了高电子迁移率晶体管及其制造方法。 1.一种制造半导体器件的方法，包括：在其上限定有源电极布线形成区域的衬底上形成基层;在源电极布线形成区域上形成源电极， 在基底层上形成漏电极，在源电极，漏电极和基底层的整个表面上形成第一绝缘层，在源电极和漏电极之间的预定部分上形成第一绝缘层， 在暴露的基极层上形成栅电极，在前表面上形成第二绝缘层，去除第一绝缘层，基极层和第二绝缘层， 通过将基板从前表面蚀刻到预定深度形成用于源电极的通孔，形成用于源电极布线的通孔， 通过去除所述第一绝缘层的一部分并去除所述漏电极上方的所述第二绝缘层和所述第一绝缘层的一部分，形成用于源电极焊盘的过孔和漏电极焊盘的过孔; 通过用导体填充通孔，源电极焊盘的通孔和漏电极焊盘的通孔，形成用于源电极布线，源电极焊盘和漏电极焊盘的通孔焊盘。
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公开(公告)号：WO2017052048A1
公开(公告)日：2017-03-30
申请号：PCT/KR2016/007593
申请日：2016-07-13
申请人： (주)기가레인
CPC分类号： H05K1/0281 , H05K1/02 , H05K1/024 , H05K1/0242 , H05K1/115 , H05K3/0026 , H05K3/0044 , H05K3/06 , H05K3/28 , H05K3/4038 , H05K3/46 , H05K3/4644 , H05K2201/093 , H05K2203/0228 , H05K2203/107
摘要： 벤딩 내구성이 개선된 연성회로기판 및 그 제조방법을 제공한다. 본 발명의 벤딩 내구성이 개선된 연성회로기판 제조방법은, (a) 제1유전체 상에 신호라인 및 제1그라운드 레이어를 형성하고, 상기 제1유전체 하면 상에 제2그라운드 레이어를 형성하는 과정; (b) 제2유전체를 준비하는 과정; (c) 제1본딩시트 및 상기 제1본딩시트 일단에 연결되거나 적어도 일부가 겹치도록 위치하는 제1보호시트를 준비하는 과정; (d) 상기 제1본딩시트를 매개로 상기 제1유전체 상에 상기 제2유전체를 접합하는 과정; (e) 상기 제1그라운드 레이어 및 제2그라운드 레이어가 도통할 수 있도록 비아홀을 형성하는 과정; 및 (f) 상기 제1보호시트 상에 위치하는 제2유전 체를 폭 방향으로 커팅하는 과정을 포함한다.
摘要翻译： 提供了具有增强的弯曲耐久性的柔性电路板及其制备方法。 根据本发明的制备具有增强的弯曲耐久性的柔性电路板的方法包括以下步骤：（a）在第一电介质体上形成信号线和第一接地层，并在底部形成第二接地层 一侧的第一绝缘体; （b）制备第二介电体; （c）制备第一粘合片和第一保护片，所述第一粘合片和第一保护片连接到所述第一捆扎片的一端或其中一个或多个部分重叠在所述第一粘合片的一端上; （d）借助于所述第一粘合片将所述第二绝缘体接合到所述第一绝缘体上; （e）形成通孔，使得可以导通第一接地层和第二接地层; 和（f）在宽度方向切割放置在第一保护片上的第二绝缘体。
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公开(公告)号：WO2017146315A1
公开(公告)日：2017-08-31
申请号：PCT/KR2016/007256
申请日：2016-07-05
申请人： (주)기가레인
IPC分类号： G06F1/16
CPC分类号： G06F1/16
摘要： 본 발명에 따른 노트북 컴퓨터는 메인보드와, 상기 메인보드에 일단에 연결된 동축 케이블을 포함하는 본체부; 및 그 배면에 설치되며 상기 동축 케이블의 타단과 그 일단이 결합된 연성회로기판을 포함하고, 상기 본체부와 힌지 결합된 디스플레이부를 포함하는 것을 특징으로 한다.
摘要翻译：
根据本发明的笔记本计算机包括：主体部分，其包括在一端处连接到主电路板和主电路板的同轴电缆; 和安装在后表面，其特征在于它包括：包括所述另一端与所述同轴电缆的组合柔性电路板的一端，所述主体部分和铰接显示的各个部分。
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公开(公告)号：WO2017069461A1
公开(公告)日：2017-04-27
申请号：PCT/KR2016/011535
申请日：2016-10-14
申请人： (주)기가레인
IPC分类号： H01L29/778 , H01L29/66 , H01L29/417 , H01L21/768 , H01L21/02
CPC分类号： H01L21/02 , H01L21/768 , H01L29/417 , H01L29/66 , H01L29/778
摘要： 고전자이동도 트랜지스터 및 그 제조방법이 개시된다. 본 발명의 고전자이동도 트랜지스터는 소스전극배선형성부위가 정의된 기판, 상기 기판 상부에 형성되는 베이스층, 상기 소스전극배선형성부위의 상기 베이스층 상부에 형성되고 중공이 형성된 소스전극, 상기 소스전극과 이격되어 상기 베이스층 상부에 형성되는 드레인전극, 상기 소스전극과 상기 드레인전극 사이 상기 베이스층 상부에 형성되는 게이트전극 및 상기 소스전극의 중공 내측 상기 소스전극배선형성부위의 상기 베이스층 및 상기 기판을 전면에서부터 소정 깊이로 식각하고 전도체를 충진하여 형성되는 소스전극배선용 비아패드를 포함한다.
摘要翻译： 公开了高电子迁移率晶体管及其制造方法。 本发明的高电子迁移率晶体管包括：衬底，其上限定了源电极布线形成区域;衬底层，形成在衬底上;源电极，形成在源电极布线形成区域上的基底层上并形成有中空的， 以及形成在基层上以与源电极分隔开的漏电极，形成在源电极和漏电极之间的基层上的栅电极， 并且通过从基板的正面蚀刻预定深度并填充导体而形成用于源电极布线的通孔焊盘。
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