Invention Application
- Patent Title: 半導体チップおよび半導体装置並びに電子装置
- Patent Title (English): Semiconductor chip, semiconductor device, and electronic device
- Patent Title (中): 半导体芯片和半导体器件以及电子器件
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Application No.: PCT/JP2015/084147Application Date: 2015-12-04
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Publication No.: WO2017094185A1Publication Date: 2017-06-08
- Inventor: 福地 一博
- Applicant: ルネサスエレクトロニクス株式会社
- Applicant Address: 〒1350061 東京都江東区豊洲三丁目2番24号 Tokyo JP
- Assignee: ルネサスエレクトロニクス株式会社
- Current Assignee: ルネサスエレクトロニクス株式会社
- Current Assignee Address: 〒1350061 東京都江東区豊洲三丁目２番２４号 Tokyo JP
- Agency: 特許業務法人筒井国際特許事務所
- Main IPC: H01L23/28
- IPC: H01L23/28 ; H01L23/48 ; H01L25/07 ; H01L25/18 ; H01M10/44 ; H02J7/00
Abstract:
半導体装置の信頼性を向上するため、一実施の形態における半導体チップにおいては、半導体チップの裏面に形成されている裏面電極の露出面に凹凸形状が形成されている。
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IPC分类:
