本発明の半導体装置は、ダイボンディング側の第１面、前記第１面の反対側の第２面、および前記第１面および前記第２面に交差する方向に延びる端面を有する半導体層、前記第１面に形成され、前記端面よりも内側に離れた位置に周縁を有する第１電極、および前記第２面に形成された第２電極を有する半導体チップと、前記半導体チップがダイボンディングされる導電性基板と、前記導電性基板上で前記半導体チップを支持する、前記第１電極よりも小さな平面面積を有する導電性スペーサと、前記半導体チップおよび前記導電性スペーサを少なくとも封止する樹脂パッケージとを含む。