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公开(公告)号:WO2007097270A1
公开(公告)日:2007-08-30
申请号:PCT/JP2007/052929
申请日:2007-02-19
Applicant: 東京エレクトロン株式会社 , ローム株式会社 , 国立大学法人京都大学 , 小林 洋克 , 森崎 英介 , 神澤 公 , 中村 孝 , 川本 典明 , 明田 正俊 , 木本 恒暢
IPC: H01L21/205 , C23C16/44 , B08B7/00
CPC classification number: C23C16/4405 , C23C16/325 , C23C16/46 , C30B25/10 , C30B29/36 , C30B35/00
Abstract: 被処理基板を保持する保持台を内部の減圧空間に備えた処理容器に、成膜の原料となる原料ガスを供給するとともに、前記被処理基板をコイルにより誘導加熱することで、該被処理基板上にエピタキシャル成長による成膜を行う成膜装置であって、前記処理容器にクリーニングガスを供給するとともに、該クリーニングガスをプラズマ励起することで、前記処理容器内のクリーニングを行うよう構成されていることを特徴とする成膜装置。
Abstract translation: 在成膜装置中,将具有用于在减压空间内保持待处理基板的保持台的处理容器供给作为成膜材料的原料气体,并通过外延生长在基板上形成膜 通过线圈感应加热衬底。 该装置的特征在于,通过向处理容器提供清洁气体并通过等离子体激发清洁气体来清洁处理容器的内部。
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公开(公告)号:WO2008078503A1
公开(公告)日:2008-07-03
申请号:PCT/JP2007/073074
申请日:2007-11-29
IPC: H01L21/205 , C23C16/42 , C23C16/46
CPC classification number: C23C16/481 , C23C16/325 , C23C16/46 , C30B25/10 , C30B29/36 , H01L21/02378 , H01L21/02529 , H01L21/0262 , H01L21/67109 , H01L21/6719 , H01L21/67748 , H01L21/68764 , H01L21/68771 , H01L29/66068
Abstract: 開示される成膜装置は、内部に減圧空間が維持される処理容器と、カーボンを主成分とする材料により構成され、処理容器内に基板を保持する基板保持部と、処理容器の外側に配置され、基板保持部を誘導加熱するコイルと、基板保持部を覆い、処理容器から離間されるよう配置される断熱材と、を備える。上記の減圧空間は、成膜ガスが供給される成膜ガス供給空間と、基板保持部と処理容器との間に画成される断熱空間とに分離され、断熱空間に冷却媒体が供給される。
Abstract translation: 一种成膜设备,包括:其中维持真空空间的处理容器; 用于将基材保持在处理容器内的基板保持构件,由主要由碳组成的材料制成; 设置在处理容器外部的基板保持部件的感应加热用线圈; 以及隔热材料,其设置成覆盖基板保持构件并与处理容器分开。 真空空间被分成成膜气体供给空间,其中成膜气体被供给,隔热空间被限定在基板保持构件和处理容器之间。 制冷剂被供给到绝热空间。
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