公开(公告)号：WO2023084948A1

公开(公告)日：2023-05-19

申请号：PCT/JP2022/037106

申请日：2022-10-04

Applicant: ローム株式会社

Inventor： 岡田　達也 ,  渡邉　充弘 ,  勝見　豊和 ,  滝澤　伸次 ,  守護　大策

IPC: G05F1/56

Abstract: 過電流保護回路ＯＣＰは、第１出力トランジスタＭ１と共通の第１駆動信号Ｇ１により駆動されて第１ミラー電流Ｉｍ１を流すように構成された第１ミラートランジスタＭ１１と、第２駆動信号Ｇ２により駆動されて第２ミラー電流Ｉｍ２を流すように構成された第２ミラートランジスタＭ１２と、第１出力トランジスタＭ１及び第１ミラートランジスタＭ１１それぞれの制御端と第２ミラートランジスタＭ１２の制御端との間に接続されるように構成された抵抗Ｒ１０と、第１ミラー電流Ｉｍ１及び第２ミラー電流Ｉｍ２を合算したセンス電流Ｉｓを所定の上限値以下に制限するように第１駆動信号Ｇ１を制御するように構成された電流制限部（Ｒｓ、Ａ１０）と、を備える。

公开(公告)号：WO2023080083A1

公开(公告)日：2023-05-11

申请号：PCT/JP2022/040495

申请日：2022-10-28

Applicant: ローム株式会社

Inventor： 中野　佑紀

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/28 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/336 ,  H01L21/768 ,  H01L21/8234 ,  H01L23/29 ,  H01L23/31 ,  H01L23/522 ,  H01L23/532 ,  H01L27/06 ,  H01L27/088 ,  H01L29/06 ,  H01L29/12 ,  H01L29/417 ,  H01L29/739 ,  H01L29/872

Abstract: 半導体装置（1A）は、主面（3）を有するチップ（2）と、前記主面に形成されたリセス部（22）と、前記主面を被覆し、前記リセス部内に位置するアンカー部（74）を有する封止絶縁体（71）と、を含む。

公开(公告)号：WO2023048105A1

公开(公告)日：2023-03-30

申请号：PCT/JP2022/034857

申请日：2022-09-16

Applicant: ローム株式会社

Inventor： 樋口　徹 ,  桑原　英治

IPC: H01F17/00 ,  H01F19/00 ,  H01F27/00 ,  H01L21/822 ,  H01L27/04

Abstract: トランスチップは、基板の基板主面に設けられた第１コイルおよび第２コイルを有する。第１コイルと第２コイルは、第１方向に沿って基板の基板主面に並べて配置されている。第１コイルは、Ｘ方向に配列された複数の第１基板配線および複数の第１接続配線有している。複数の第１基板配線は、Ｘ方向と交差する方向に沿って延びている。複数の第１接続配線、Ｘ方向に隣り合う２つの第１基板配線の間にそれぞれ接続されている。第２コイル、Ｘ方向に配列された複数の第２基板配線および複数の第２接続配線を有している。複数の第２基板配線は、Ｘ方向と交差する方向に沿って延びている。複数の第２接続配線は、Ｘ方向に隣り合う２つの第２基板配線の間にそれぞれ接続されている。

公开(公告)号：WO2023047745A1

公开(公告)日：2023-03-30

申请号：PCT/JP2022/025736

申请日：2022-06-28

Applicant: ローム株式会社

Inventor： ▲高▼橋　直樹

IPC: H03K17/08 ,  H01L29/78 ,  H02M1/08

Abstract: 半導体装置１は、複数のゲート制御信号Ｇ１及びＧ２に応じて複数のチャネル領域が個別制御されるように構成されたゲート分割型の出力トランジスタ９と、制御信号が出力トランジスタ９をオフするときの論理レベルとなった後に出力トランジスタ９の両端間電圧（＝ＶＢＢ－ＶＯＵＴ）を所定のクランプ電圧以下に制限するように構成されたアクティブクランプ回路２６と、出力トランジスタ９の両端間電圧がクランプ電圧よりも低い所定の閾値電圧を上回った否かを示す内部信号Ｖｘに所定の遅延を与えて遅延内部信号ＶｘＤを生成するように構成された遅延回路ＤＬＹ１と、遅延内部信号ＶｘＤに応じて出力トランジスタ９のオン抵抗を引き上げるように複数のゲート制御信号Ｇ１及びＧ２を個別制御するように構成されたゲート制御回路２５と、を備える。

公开(公告)号：WO2023042617A1

公开(公告)日：2023-03-23

申请号：PCT/JP2022/031873

申请日：2022-08-24

Applicant: ローム株式会社

Inventor： 柳原　学 ,  大嶽　浩隆

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/28 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/337 ,  H01L21/338 ,  H01L21/764 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L29/41 ,  H01L29/417 ,  H01L29/423 ,  H01L29/808 ,  H01L29/812

Abstract: 半導体装置（１０）は、電子走行層（１６）と、電子走行層（１６）との界面付近において電子走行層（１６）内に２ＤＥＧを発生させる電子供給層（１８）と、電子供給層（１８）上に配置されたソース電極（２２）およびドレイン電極（２４）と、電子供給層（１８）上に配置されアクセプタ型不純物を含むゲート部（２６）と、ゲート部（２６）上に配置されたゲート電極（２８）とを備える。半導体装置（１０）は、ＦＥＴの素子領域（Ｒ１）の外周部分（Ｒ１１）において電子供給層（１８）上に配置されたガードリング（３０）をさらに備える。ガードリング（３０）は、電子供給層（１８）上に配置されアクセプタ型不純物を含む遮蔽部（３２）と、遮蔽部（３２）上に配置されソース電極（２２）または２ＤＥＧに電気的に接続された第１電極（３４）とを含む。

公开(公告)号：WO2023042615A1

公开(公告)日：2023-03-23

申请号：PCT/JP2022/031725

申请日：2022-08-23

Applicant: ローム株式会社

Inventor： 舘　毅

IPC: H01L23/12 ,  H01L23/28 ,  H01L23/52 ,  H01L21/60 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18

Abstract: 半導体装置は、厚さ方向を向く主面を有する基板と、前記主面の上に設けられた第１配線および第２配線と、前記主面に対向する第１電極と、前記主面に対向し、かつ前記第１電極の隣に位置する第２電極と、を有する半導体素子と、を備える。前記第１電極が前記第１配線に導通接合されており、前記第２電極が前記第２配線に導通接合されている。前記基板は、第１部、第２部および第３部を含み、前記第１部は、前記主面の一部を含み、かつ前記厚さ方向に視て前記第１配線および前記第１電極に重なっている。前記第２部は、前記主面の一部を含み、かつ前記厚さ方向に視て前記第２配線および前記第２電極に重なっている。前記第３部は、前記厚さ方向に視て前記第１部と前記第２部との間に位置している。前記第３部は、第１面を有し、前記第１面の法線方向は、前記厚さ方向に対して交差する。

公开(公告)号：WO2023037882A1

公开(公告)日：2023-03-16

申请号：PCT/JP2022/032026

申请日：2022-08-25

Applicant: ローム株式会社

Inventor： 玉野　浩二 ,  黒土　勇二

IPC: G06N20/00 ,  G06F9/38

Abstract: 機械学習装置（１）は、入力される時系列データ（Ｄ１）を周波数特徴量データ（Ｄ２）に変換するように構成されたデータ変換部（２）と、前記周波数特徴量データに基づき機械学習推論を行うように構成された機械学習推論部（３）と、前記データ変換部と前記機械学習推論部とで共通に用いられるように構成された演算回路部（４）と、を有する。

公开(公告)号：WO2023032667A1

公开(公告)日：2023-03-09

申请号：PCT/JP2022/031038

申请日：2022-08-17

Applicant: ローム株式会社

Inventor： 福田　諒介 ,  谷川　昂平

IPC: H01L23/29 ,  H01L23/31 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18

Abstract: 半導体装置は、半導体素子と、封止樹脂と、第１信号端子とを備える。前記封止樹脂は、厚さ方向を向く第１面を有するとともに、前記半導体素子を覆っている。前記第１信号端子は、前記第１面から突出し、かつ前記半導体素子に導通している。前記封止樹脂は、前記厚さ方向において前記第１面と同じ側を向く第２面を有する。前記第１面は、前記厚さ方向に対して直交する第１方向において前記第２面を間に挟んで前記第１信号端子とは反対側に位置し、かつ取付け部材が配置され得る第１領域を含んでいる。前記厚さ方向において、前記第２面の位置は、前記第１領域の位置と異なっている。

公开(公告)号：WO2023032612A1

公开(公告)日：2023-03-09

申请号：PCT/JP2022/030341

申请日：2022-08-08

Applicant: ローム株式会社

Inventor： 田中　文悟

IPC: H01L27/04 ,  H01F19/04 ,  H01L25/04 ,  H01L25/18 ,  H03K17/691

Abstract: 信号伝達装置のトランスチップは、基板と、素子絶縁層と、素子絶縁層内に設けられた第１トランスおよび第２トランスと、を有している。第１トランスは、第１コイルと、第１コイルとｚ方向に対向配置された第２コイルと、を備えている。第２トランスは、第１コイルと、第１コイルとｚ方向に対向配置された第２コイルと、を備えている。第１トランスの第２コイルと第２トランスの第２コイルとは電気的に接続されている。基板は、本体部と、本体部の表面に形成された基板絶縁層と、を含む。素子絶縁層は、基板絶縁層の表面に積層されている。

公开(公告)号：WO2023032611A1

公开(公告)日：2023-03-09

申请号：PCT/JP2022/030340

申请日：2022-08-08

Applicant: ローム株式会社

Inventor： 田中　文悟 ,  和田　恵治

IPC: H01L25/04 ,  H01F19/04 ,  H01L21/822 ,  H01L25/18 ,  H01L27/04

Abstract: 信号伝達装置のトランスチップは、基板と、素子絶縁層と、素子絶縁層内に設けられた第１トランスおよび第２トランスと、を有している。第１トランスは、第１コイルと、第１コイルとｚ方向に対向配置された第２コイルと、を備えている。第２トランスは、第１コイルと、第１コイルとｚ方向に対向配置された第２コイルと、を備えている。第１トランスの第２コイルと第２トランスの第２コイルとは電気的に接続されている。トランスチップは、基板の基板裏面に設けられた裏面絶縁層を備えている。