Invention Application
- Patent Title: 半導体装置及び半導体装置の製造方法
- Patent Title (English): SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE PRODUCTION METHOD
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Application No.: PCT/JP2017/044737Application Date: 2017-12-13
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Publication No.: WO2019116464A1Publication Date: 2019-06-20
- Inventor: 倪 威 , 林 哲也 , 丸井 俊治 , 田中 亮太 , 竹本 圭佑
- Applicant: 日産自動車株式会社
- Applicant Address: 〒2210023 神奈川県横浜市神奈川区宝町2番地 Kanagawa JP
- Assignee: 日産自動車株式会社
- Current Assignee: 日産自動車株式会社
- Current Assignee Address: 〒2210023 神奈川県横浜市神奈川区宝町２番地 Kanagawa JP
- Agency: 三好 秀和
- Main IPC: H01L21/338
- IPC: H01L21/338 ; H01L29/04 ; H01L29/06 ; H01L29/778 ; H01L29/812 ; H01L29/872
Abstract:
半導体装置は、互いに対向する第１主面及び第２主面を有し、第１主面に溝（９）が形成された基板（１）と、溝（９）の表面に接して形成される半導体領域（２）と、半導体領域（２）の表面に接して形成され、半導体領域（２）に二次元電子ガス層（２ａ）を発生させる電子供給領域（３）と、を備える。また、半導体装置は、二次元電子ガス層（２ａ）と電気的に接続する第一電極（６）と、第一電極（６）と離間した位置で二次元電子ガス層（２ａ）と電気的に接続する第二電極（７）と、を備える。半導体領域（２）は、溝（９）において、互いに対面する第１側面（９ａ）と第２側面（９ｂ）のうち、第１側面（９ａ）のみに形成される。
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IPC分类:
