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Invention Application
WO2020116270A1 ｐ型不純物拡散組成物とその製造方法、それを用いた半導体素子の製造方法および太陽電池 审中-公开

  • Patent Title: ｐ型不純物拡散組成物とその製造方法、それを用いた半導体素子の製造方法および太陽電池
  • Patent Title (English): P-TYPE IMPURITY DIFFUSION COMPOSITION AND PRODUCTION METHOD THEREOF, MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR ELEMENT USING SAID DIFFUSION COMPOSITION, AND SOLAR BATTERY
  • Application No.: PCT/JP2019/046319
    Application Date: 2019-11-27
  • Publication No.: WO2020116270A1
    Publication Date: 2020-06-11
  • Inventor: 北田剛 , 橘邦彦 , 秋本旭
  • Applicant: 東レ株式会社
  • Applicant Address: 〒1038666 東京都中央区日本橋室町2丁目1番1号 Tokyo JP
  • Assignee: 東レ株式会社
  • Current Assignee: 東レ株式会社
  • Current Assignee Address: 〒1038666 東京都中央区日本橋室町２丁目１番１号 Tokyo JP
  • Priority: JP2018-229582 20181207
  • Main IPC: H01L31/18
  • IPC: H01L31/18 ;  H01L31/077 ;  H01L21/225
ｐ型不純物拡散組成物とその製造方法、それを用いた半導体素子の製造方法および太陽電池
Abstract:
半導体基板への均一な拡散と塗布液の保存安定性の向上を可能とするｐ型不純物拡散組成物を提供することを課題とする。 （ａ）ポリビニルアルコールおよびポリエチレンオキサイドから選ばれる少なくとも１つの樹脂、 （ｂ）溶媒、および （ｃ）第１３族元素を含む化合物 を含むｐ型不純物拡散組成物であって、組成物のｐＨが４～６．５であり、（ｂ）溶媒が、（ｂ－１）沸点１１０℃以上、２１０℃以下の有機溶媒と（ｂ－２）水とを含み、（ｂ－２）水の量が（ｂ）溶媒中の１０～５０質量％であることを特徴とするｐ型不純物拡散組成物。
Abstract(English):

The purpose of the present invention is to provide a p-type impurity diffusion composition which makes possible uniform dispersion on a semiconductor substrate and increasing the storage stability of a coating liquid. This p-type impurity diffusion composition contains (a) at least one resin selected from polyvinyl alcohol and polyethylene oxide, (b) a solvent, and (c) a compound containing a group 13 element, and is characterized in that the pH of the composition is 4-6.5, the solvent (b) contains (b-1) an organic solvent with a boiling point of 110-210°C and (b-2) water, and the amount of water (b-2) is 10-50 mass% of the (b) solvent.

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