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    光電変換装置
    1.
    发明申请
    光電変換装置 审中-公开
    光电转换器件

    公开(公告)号：WO2013065538A1

    公开(公告)日：2013-05-10

    申请号：PCT/JP2012/077422

    申请日：2012-10-24

    申请人： 三洋電機株式会社

    发明人： 矢田　茂郎 ,  山岡　義和 ,  梅田　亜津美 ,  兼松　大二 ,  松本　光弘 ,  村田　和哉

    IPC分类号： H01L31/077

    CPC分类号： H01L31/03685 ,  H01L31/076 ,  Y02E10/545 ,  Y02E10/548

    摘要： 　ｐ型層とｉ型層との間に配置され、ｐ型層及びｉ型層よりも屈折率が小さい第１中間層、又は、ｎ型層とｉ型層との間に配置され、ｎ型層及びｉ型層よりも屈折率が小さい第２中間層、を備え、第１中間層又は第２中間層はパネル面内においてｉ型層が低い結晶化率であるほど膜厚を薄く形成する。

    摘要翻译： 本发明提供有：设置在p型层和i型层之间的第一中间层，其折射率低于p型层和i型层; 以及设置在n型层和i型层之间的第二中间层，折射率低于n型层和i型层的折射率; 第一中间层和第二中间层的厚度越薄，i型层在面板平面中的结晶化率越低。

    HETEROJUNCTION SOLAR CELL INCORPORATING VERTICALLY-ALIGNED NANOWIRES
    2.
    发明申请
    HETEROJUNCTION SOLAR CELL INCORPORATING VERTICALLY-ALIGNED NANOWIRES 审中-公开
    异位对称太阳能电池与垂直对准的纳米管

    公开(公告)号：WO2012054368A3

    公开(公告)日：2012-08-02

    申请号：PCT/US2011056508

    申请日：2011-10-17

    申请人： UT BATTELLE LLC ,  QU JUN ,  BESMANN THEODORE M ,  DAI SHENG ,  ZHANG XIAOGUANG

    发明人： QU JUN ,  BESMANN THEODORE M ,  DAI SHENG ,  ZHANG XIAOGUANG

    IPC分类号： H01L31/028 ,  H01L31/0747 ,  H01L31/077

    CPC分类号： H01L31/0747 ,  H01L31/0284 ,  H01L31/035227 ,  H01L31/03529 ,  H01L31/077 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/202 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

    摘要： A low-cost method is provided for forming a photovoltaic device, which is a high-performance nanostructured multijunction cell. The multiple P-N junctions or P-I-N junctions are contiguously joined to form a single contiguous P-N junction or a single contiguous P-I-N junction. The photovoltaic device integrates vertically-aligned semiconductor nanowires including a doped semiconductor material with a thin silicon layer having an opposite type of doping. This novel hybrid cell can provide a higher efficiency than conventional photovoltaic devices through the combination of the enhanced photon absorptance, reduced contact resistance, and short carrier transport paths in the nanowires. Room temperature processes or low temperature processes such as plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD) and electrochemical processes can be employed for fabrication of this photovoltaic device in a low-cost, scalable, and energy-efficient manner.

    摘要翻译： 提供了一种用于形成作为高性能纳米结构多结单元的光伏器件的低成本方法。 多个P-N结或P-I-N结连续连接以形成单个连续的P-N结或单个连续的P-I-N结。 光伏器件将包括掺杂半导体材料的垂直对准的半导体纳米线与具有相反类型掺杂的薄硅层集成。 这种新颖的混合电池可以通过增强的光子吸收率，降低的接触电阻和纳米线中的短载流子传输路径的组合来提供比常规光伏器件更高的效率。 室温过程或低温过程如等离子体增强化学气相沉积（PECVD）和电化学过程可用于以低成本，可扩展和节能的方式制造该光伏器件。

    光電変換素子
    5.
    发明申请
    光電変換素子 审中-公开
    光电转换元件

    公开(公告)号：WO2013027468A1

    公开(公告)日：2013-02-28

    申请号：PCT/JP2012/064908

    申请日：2012-06-11

    申请人： シャープ株式会社 ,  佐野 雄一

    发明人： 佐野　雄一

    IPC分类号： H01L31/077 ,  H01L31/0304

    CPC分类号： H01L31/075 ,  H01L31/02167 ,  H01L31/056 ,  H01L31/1848 ,  Y02E10/52 ,  Y02E10/544 ,  Y02E10/548

    摘要： 　ｉ型窒化物半導体層（４００）が第１光反射層（４０１）と第２光反射層（４０２）との間に挟まれており、ｉ型窒化物半導体層（４００）のＩｎ組成比ｙ０と、第１光反射層（４０１）のＩｎ組成比ｙ１と、第２光反射層（４０２）のＩｎ組成比ｙ２とが、０＜ｙ２＜ｙ１＜ｙ０の関係式を満たし、第１光反射層（４０１）の厚さが臨界膜厚以上の厚さである光電変換素子（１００）である。

    摘要翻译： 在光电转换元件（100）中，i型氮化物半导体层（400）夹在第一光反射层（401）和第二光反射层（402）之间。 i型氮化物半导体层（400）的In组成比（y0），第一光反射层（401）的In组成比（y1）和第二光反射层的In组成比（y2） （402）满足​​0

    MATERIAL FOTOVOLTAICO MULTIUNIÓN TIPO P-I-N, DISPOSITIVO CERÁMICO FOTOVOLTAICO QUE LO COMPRENDE Y MÉTODOS DE OBTENCIÓN DE LOS MISMOS
    6.
    发明申请
    MATERIAL FOTOVOLTAICO MULTIUNIÓN TIPO P-I-N, DISPOSITIVO CERÁMICO FOTOVOLTAICO QUE LO COMPRENDE Y MÉTODOS DE OBTENCIÓN DE LOS MISMOS 审中-公开
    P-I-N型多功能光伏材料，包含该材料的光伏陶瓷器件及其材料和器件的制造方法

    公开(公告)号：WO2012093187A1

    公开(公告)日：2012-07-12

    申请号：PCT/ES2011/070744

    申请日：2011-10-26

    申请人： UNIVERSIDAD POLITÉCNICA DE VALENCIA ,  HERNÁNDEZ FENOLLOSA, María de los Ángeles ,  OROZCO MESSANA, Javier

    发明人： HERNÁNDEZ FENOLLOSA, María de los Ángeles ,  OROZCO MESSANA, Javier

    IPC分类号： H01L31/077 ,  H01L31/20

    CPC分类号： H01L31/076 ,  H01L31/077 ,  Y02E10/548

    摘要： La presente invención se refiere a un material fotovoltaico tipo P-I-N caracterizado porque comprende al menos tres uniones semiconductoras tipo P-I-N apiladas en tándem, cuyas capas tipo P, I y N comprenden silicio microcristalino hidrogenado contenido en una matriz de silicio amorfo en su composición, y donde además cada una de las capas P y N de cada unión tipo P-I-N presenta una composición particular. Dicho material es adecuado para la obtención de dispositivos fotovoltaicos con soporte cerámico, preferentemente materiales convencionales empleados en la industria de la construcción. También es objeto de la presente invención el método de obtención del material fotovoltaico, asi como el método de acondicionamiento de la superficie del soporte cerámico en cuestión y el esmalte empleado para dicho acondicionamiento, cuya composición es novedosa e inventiva.

    摘要翻译： 本发明涉及一种P-I-N型光伏材料，其特征在于它包括串联堆叠的至少三个P-I-N半导体结，其中P，I和N层包含在非晶硅基体中的氢化单晶硅。 此外，每个P-I-N结的每个P层和N层具有特定的组成。 所述材料可用于生产具有陶瓷基底的光电器件，优选用于建筑工业中的传统材料。 本发明还涉及获得上述光伏材料的方法，以及用于调节陶瓷基材表面和用于所述调理的搪瓷的方法，其具有新颖和本发明的组合物。

    PHOTOVOLTAIC MODULE COMPRISING LAYER WITH CONDUCTING SPOTS
    7.
    发明申请
    PHOTOVOLTAIC MODULE COMPRISING LAYER WITH CONDUCTING SPOTS 审中-公开
    包含导电层的光伏组件

    公开(公告)号：WO2008132104A3

    公开(公告)日：2009-06-18

    申请号：PCT/EP2008054896

    申请日：2008-04-23

    申请人： HELIANTHOS BV ,  DUBBELDAM GERRIT CORNELIS ,  SPORTEL EDWIN PETER

    发明人： DUBBELDAM GERRIT CORNELIS ,  SPORTEL EDWIN PETER

    IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L31/077

    CPC分类号： H01L31/1872 ,  H01L31/077 ,  Y02E10/50 ,  Y02P70/521

    摘要： The invention pertains to a photovoltaic (PV) module comprising a plurality of cells, each cell containing a substrate, a transparent conductor layer, a photovoltaic layer, and a back-electrode layer, wherein the photovoltaic layer comprises at least one p-i-n or n-i-p silicon layer, characterized in that said silicon layer comprises 10 to 1000 conducting spots of recrystallized silicon per cm2, each having independently a surface or 10 to 2500 µm2. The PV module can be obtained by a method wherein the p-i-n or n-i-p silicon layer is locally heated whereby said silicon is transformed at these spots, after which the silicon at these spots is allowed to solidify in a transformed dtate.

    摘要翻译： 本发明涉及包括多个单元的光伏（PV）模块，每个单元包含基板，透明导体层，光伏层和背电极层，其中光伏层包括至少一个引脚或压区硅 层，其特征在于，所述硅层每平方厘米包含10至1000个重结晶导电点，每个独立地具有10-2500μm2的表面。 PV模块可以通过其中局部加热p-i-n或n-i-p硅层的方法获得，由此所述硅在这些点被转化，之后使这些点上的硅在转化后的固化中固化。

    光電変換装置及び光電変換装置の製造方法
    8.
    发明申请
    光電変換装置及び光電変換装置の製造方法 审中-公开
    光电转换装置及制造光电转换装置的方法

    公开(公告)号：WO2012057201A1

    公开(公告)日：2012-05-03

    申请号：PCT/JP2011/074665

    申请日：2011-10-26

    申请人： 株式会社アルバック ,  佐見津 祥二 ,  浅利 伸 ,  橋本 征典 ,  藤長 徹志 ,  今北 健一 ,  若井 雅文 ,  斎藤 一也

    发明人： 佐見津　祥二 ,  浅利　伸 ,  橋本　征典 ,  藤長　徹志 ,  今北　健一 ,  若井　雅文 ,  斎藤　一也

    IPC分类号： H01L31/076 ,  H01L31/077

    CPC分类号： H01L31/076 ,  H01L31/056 ,  H01L31/077 ,  Y02E10/52 ,  Y02E10/548

    摘要： 　この光電変換装置は、透明電導膜と；第一光電変換ユニット及び第二光電変換ユニットと；を備え、前記透明電導膜上に、前記第一光電変換ユニットと、前記第二光電変換ユニットと、裏面電極とが順に設けられ；前記第二光電変換ユニットを構成する前記ｐ型半導体層及び前記ｉ型半導体層が結晶質のシリコン系薄膜から形成され；前記第二光電変換ユニットを構成する前記ｉ型半導体層と前記裏面電極との間に配置され、前記第二光電変換ユニットを構成する前記ｎ型半導体層が酸素を含有した微結晶のシリコン系薄膜から形成され；前記第二光電変換ユニットを構成する前記ｎ型半導体層の厚みが、１００Åより大きく８００Å以下の範囲である。

    摘要翻译： 该光电转换装置具有：透明导电膜; 第一光电转换单元; 和第二光电转换单元。 第一光电转换单元，第二光电转换单元和背面电极依次设置在透明导电膜上。 第二光电转换单元的p型半导体层和i型半导体层分别由晶体硅薄膜形成。 布置在第二光电转换单元的i型半导体层和背面电极之间的第二光电转换单元的n型半导体层由含有氧的微晶硅薄膜形成。 第二光电转换单元的n型半导体层的厚度在大于或等于或小于等于的范围内。