Invention Application
- Patent Title: 半導体装置の製造方法、基板処理方法、基板処理装置および記録媒体
- Patent Title (English): SEMICONDUCTOR DEVICE PRODUCTION METHOD, SUBSTRATE PROCESSING METHOD, SUBSTRATE PROCESSING DEVICE, AND RECORDING MEDIUM
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Application No.: PCT/JP2021/033031Application Date: 2021-09-08
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Publication No.: WO2023037452A1Publication Date: 2023-03-16
- Inventor: 栗林 幸永 , 小川 有人
- Applicant: 株式会社ＫＯＫＵＳＡＩ ＥＬＥＣＴＲＩＣ
- Applicant Address: 〒1010045 東京都千代田区神田鍛冶町三丁目４番地 Tokyo
- Assignee: 株式会社ＫＯＫＵＳＡＩ ＥＬＥＣＴＲＩＣ
- Current Assignee: 株式会社ＫＯＫＵＳＡＩ ＥＬＥＣＴＲＩＣ
- Current Assignee Address: 〒1010045 東京都千代田区神田鍛冶町三丁目４番地 Tokyo
- Agency: 弁理士法人太陽国際特許事務所
- Main IPC: H01L21/28
- IPC: H01L21/28 ; H01L21/285 ; C23C16/02 ; C23C16/14 ; C23C16/455
Abstract:
金属系膜の膜特性を向上させることができる。 （ａ）基板に対して、第１５族元素を含むガスを供給し、基板の表面に第１５族元素を含む第１層を形成する工程と、（ｂ）基板に対して、Ｍｏ元素を含むガスを供給する工程と、（ｃ）基板に対して、還元ガスを供給する工程と、（ｄ）第１層の分解を抑制する雰囲気で、（ｂ）と（ｃ）とを所定回数行い、第１層の上に、Ｍｏ元素を含む膜を形成する工程と、を有する。
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IPC分类:
