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公开(公告)号：CN119061275A
公开(公告)日：2024-12-03
申请号：CN202411562197.8
申请日：2024-11-05
Applicant: 广州先艺电子科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种铟银合金及其制备方法和应用，涉及贵金属材料制造技术领域。铟银合金的制备方法包括如下步骤：S1.将原料铟和原料银分别加热熔化，得到熔融的铟和熔融的银；S2.将步骤S1得到的熔融的银倒入步骤S1得到的熔融的铟中并均匀混合成合金熔体；S3.将步骤S2得到的合金熔体冷却凝固；S4.将步骤S3得到的凝固的合金在真空环境下加热熔化并保温再次得到合金熔体，冷却后即得铟银合金。本发明无须将所有原材料加热至高温即可将银均匀分散在铟基体内，减少了因挥发、氧化造成的材料损耗。通过在较低的温度下对合金进行真空重复熔化，一方面降低了合金中气体夹杂并使得合金成分均匀，另一方面减少除气过程铟的挥发。
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公开(公告)号：CN115939091B
公开(公告)日：2023-05-30
申请号：CN202310031889.9
申请日：2023-01-10
Applicant: 广州先艺电子科技有限公司
IPC: H01L23/498 , H01L23/373 , H01L21/48
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公开(公告)号：CN115939091A
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202310031889.9
申请日：2023-01-10
Applicant: 广州先艺电子科技有限公司
IPC: H01L23/498 , H01L23/373 , H01L21/48
Abstract: 本发明公开一种高导热封装基板及其制备方法。基板包括基材，所述基材的一侧表面从里到外依次层叠覆盖有活性焊料层、导电层、电镀层、阻挡层和预镀焊料层，所述基材的另一侧表面从里到外依次层叠覆盖有活性焊料层、导电层、电镀层和预镀焊料层。本发明在确保铜层与高热导率陶瓷基片之间高结合力的同时，可基于预镀焊料实现基板的两次焊接，有效提高生产效率。
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公开(公告)号：CN113953612B
公开(公告)日：2022-03-22
申请号：CN202111580436.9
申请日：2021-12-22
Applicant: 广州先艺电子科技有限公司
Abstract: 本发明属于陶瓷金属化技术领域，具体涉及一种活性金属钎焊覆铜陶瓷基板的制备方法；包括：在铜板的一面印刷银铜钛活性焊膏；经加热脱脂后的铜板与陶瓷板上下面层叠形成三明治结构，三明治结构中铜板附着银铜钛活性焊料（脱脂后银铜钛活性焊膏的有机组分被除掉，转变成粉体或块状的银铜钛活性焊料）的一面与陶瓷板的上下面接触；用可导热材料真空包装后进行高温热压钎焊；本发明在银铜钛活性焊膏中加入具有极大表面活性的纳米银粉，从而增强焊膏脱脂后在铜板上的附着牢固性；采用可导热材料进行真空包装来调节真空度，用常规设备即可完成钎焊，同时还能有效降低界面的空洞率，陶瓷和铜板的结合更稳固。
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公开(公告)号：CN113976877A
公开(公告)日：2022-01-28
申请号：CN202111626873.X
申请日：2021-12-29
Applicant: 广州先艺电子科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种用于制备AgCuTi焊片的金属组合物、焊片及其制备方法，按重量含量百分比计算，所述金属组合物包括：银粉50%~70%；AgCu合金粉25%~45%；TiH2粉1%~5%；所述银粉按重量含量百分比计算包括纳米银粉50%~100%，其余为微米银粉；所述纳米银粉的粒径为10~500nm。本发明利用纳米银粉和银铜合金粉的良好粉末低温结合作用，降低了粉末的烧结温度，使得能够在低于TiH2分解温度的温度条件下获得TiH2分布均匀的银铜钛焊片，且由于烧结温度较低，利用本发明所述焊膏制备焊片的整个过程中无游离Ti，避免Ti氧化问题，无需高真空，同时也避免了采用纯铜粉的氧化及结合效果差的问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117460174B
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN202311788048.9
申请日：2023-12-25
Applicant: 广州先艺电子科技有限公司
Abstract: 本发明涉及一种图案化AMB陶瓷覆铜板的制备方法。该图案化AMB陶瓷覆铜板的制备方法包括如下步骤：S1.印刷和预烧结；S2.叠片和烧结；S3.冲贴；S4.对位和转移；S5.叠片和钎焊。该图案化AMB陶瓷覆铜板制备方法无需进行化学刻蚀，避免由此带来的高能耗和环境污染问题；制备过程中不会产生大的应力、界面空洞率低，进而使得产品的良率和应用可靠性高；而且得到的产品的设计精度高，利用率高；此外，该制备方法的各工艺加工难度小，同时该制备方法还非常适合批量生产，大大提高生产效率。
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公开(公告)号：CN116884923A
公开(公告)日：2023-10-13
申请号：CN202311148347.6
申请日：2023-09-07
Applicant: 广州先艺电子科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种盖板封装结构及其制备方法，将基底材料进行金属化处理，在基底材料的表面形成金属化处理层；对金属化处理后的基底材料进行刻槽，形成阻焊凹槽，阻焊凹槽与基底材料边缘之间为焊接部；在焊接部上涂覆金锡焊膏；对焊接部进行激光加热，形成金锡焊料层；对盖板封装结构进行表面清洗。阻焊凹槽对呈熔融状态的金锡焊料蔓延的范围进行限制，使熔融的焊料不能流淌到阻焊凹槽之内，可以防止熔融的焊料在局部过分流淌，发生气密失效、短接、局部焊料量不足等情况。
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公开(公告)号：CN114378483B
公开(公告)日：2022-06-03
申请号：CN202210285879.3
申请日：2022-03-23
Applicant: 广州先艺电子科技有限公司
IPC: B23K35/363 , B23K35/26 , B23K1/00 , B23K101/36
Abstract: 本发明公开了一种免清洗金锡焊膏用助焊剂及其制备方法和应用，通过调整助焊剂的组分，采用松香聚氨酯，耐高温性能好，可防止助焊剂焦化，同时利用松香聚氨酯的‑NCO基团与聚氨酯类成膜剂的交联反应，形成致密的保护膜，达到良好的成膜效果，同时减少松香聚氨酯的用量，保持助焊剂的高温助焊效果，并添加触变剂、活性剂和高、中、低沸点的溶剂复配，减少助焊剂的焊后残留，达到免清洗的目的，且本发明的助焊剂中不含卤素，物理稳定性好，扩展率高，与金锡焊料匹配效果好，无腐蚀性，焊点外观良好，焊接性能优异，可应用于高亮度或大功率LED封装中，保证电子产品封装的可靠性。
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公开(公告)号：CN107151748A
公开(公告)日：2017-09-12
申请号：CN201610115664.1
申请日：2016-03-02
Applicant: 广州先艺电子科技有限公司
Inventor： 陈卫民
CPC classification number: C22C1/02 , B23K35/3013 , C22C5/02
Abstract: 本发明公开了一种金锗合金焊料的熔炼方法，包括如下步骤：一、备料及分料；二、熔炼金料；三、金熔液与第一份锗料混合熔炼；四、第一份金锗熔液与第二份锗料混合熔炼；五、第二份金锗熔液与第三份锗料混合熔炼；六、除渣；七、第三份金锗熔液与第四份锗料混合熔炼；八、第四份金锗熔液与第五份锗料混合熔炼；九、铸模。本发明的金锗合金焊料的熔炼方法，由于采用将纯锗粒分批加入到金锗熔液中的熔炼方法，并根据金锗合金成分的变化逐步降低熔炼温度，在高温段加入硼砂除去金锗合金熔液中氧化物及夹杂，从而使得纯锗粒时刻处于金锗熔液的保护下，减少了纯锗粒的氧化及挥发，有效解决了现有金锗合金熔炼锗方法中普遍存在的锗氧化问题。
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公开(公告)号：CN103617969A
公开(公告)日：2014-03-05
申请号：CN201310639344.2
申请日：2013-12-04
Applicant: 广州先艺电子科技有限公司
Inventor： 陈卫民
IPC: H01L23/473 , H01L21/48 , B23K20/10 , B32B15/01
Abstract: 本发明公开了一种焊接金锡合金薄膜的热沉，包括：可伐合金基板，化学镀于上述可伐合金基板表面的镍金层，以及用超声波焊接于所述镍金层表面的金锡合金薄膜，所述金锡合金薄膜是超声波焊接于所述可伐合金基板镍金层表面上的金基系Au80Sn20共晶合金薄膜。本发明还公开了一种上述焊接金锡合金薄膜的热沉的制备方法。本发明公开的超声波焊接制造带金锡合金薄膜的热沉，具有合金薄膜贴合平整牢固，金锡合金焊料表面清洁无污染等优点；而其焊料成分、厚度的良好均匀性，及生产工艺的精简高效，为其后续钎焊应用及大批量生产创造了有利条件。
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