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公开(公告)号：CN109888081A
公开(公告)日：2019-06-14
申请号：CN201910162740.8
申请日：2019-03-05
申请人： 武汉高星紫外光电科技有限公司
摘要： 本发明属于半导体制造技术相关领域，并公开了一种全无机紫外LED晶圆级封装方法，其包括：首先通过印刷或3D打印技术在玻璃盖板上形成多个玻璃浆料环，并经过低温烧结获得多个玻璃腔体结构，随后将多颗紫外LED芯片贴装于散热基板上，接着通过无机浆料或金属焊料将玻璃盖板上的玻璃腔体与散热基板实现可靠键合，最后切割获得全无机紫外LED封装产品。本发明还公开了相应的紫外LED封装结构。通过本发明，有效避免了有机封装材料的紫外老化、失效等问题，提高了紫外LED器件长期可靠性，并改善了紫外LED封装集成度，降低了封装成本。
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公开(公告)号：CN110828633A
公开(公告)日：2020-02-21
申请号：CN201911086034.6
申请日：2019-11-08
申请人： 武汉高星紫外光电科技有限公司
摘要： 本发明专利公开了一种深紫外LED晶圆级封装方法。封装方法包括：首先通过丝网印刷在晶圆级石英玻璃片上形成阵列的环状纳米银膏层，并经过低温烧结后获得环状银层结构；然后通过半导体微加工工艺制备平面陶瓷基板，并在陶瓷基板上制作阵列的金属围坝以实现三维陶瓷基板；随后将多颗深紫外LED芯片贴装于陶瓷基板围坝腔体内的金属线路层上；接着在石英玻璃片的银层上通过印刷金属焊料形成焊料层，再将陶瓷基板围坝上表面与石英玻璃片的焊料层对准加压，并通过加热实现可靠焊接；最后切割分片获得深紫外LED产品。通过本发明专利，实现了深紫外LED全无机气密封装，提高了深紫外LED器件长期可靠性，更重要的是提出了一种低成本、规模化的封装方法，降低了深紫外LED封装制造成本。
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公开(公告)号：CN114520285A
公开(公告)日：2022-05-20
申请号：CN202111292310.1
申请日：2021-11-03
申请人： 武汉高星紫外光电科技有限公司
摘要： 本发明专利公开了一种微流道热电制冷器的高功率器件封装结构及其制备方法，封装结构包括盖板、高功率器件、粘接密封层和微流道热电制冷器。所述高功率器件固晶在所述微流道热电制冷器的上基板线路层上，打金线连接所述高功率器件和所述微流道热电制冷器，实现封装结构内外部的电气互连；所述盖板四周均匀粘接密封层，用于连接所述盖板和所述微流道热电制冷器，形成密闭的腔体结构；所述微流道热电制冷器包括上基板、PN型热电粒子、下基板和金属框，所述金属框用于连接所述微流道热电制冷器上下基板以形成腔体结构，PN型热电粒子间的空隙则形成微流道。本发明专利通过热电粒子和微流道的双重制冷作用，将高功率器产生的大量热量迅速耗散，提高封装结构散热能力，从而提升器件性能表现和延长寿命。
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公开(公告)号：CN109888081B
公开(公告)日：2020-12-01
申请号：CN201910162740.8
申请日：2019-03-05
申请人： 武汉高星紫外光电科技有限公司
摘要： 本发明属于半导体制造技术相关领域，并公开了一种全无机紫外LED晶圆级封装方法，其包括：首先通过印刷或3D打印技术在玻璃盖板上形成多个玻璃浆料环，并经过低温烧结获得多个玻璃腔体结构，随后将多颗紫外LED芯片贴装于散热基板上，接着通过无机浆料或金属焊料将玻璃盖板上的玻璃腔体与散热基板实现可靠键合，最后切割获得全无机紫外LED封装产品。本发明还公开了相应的紫外LED封装结构。通过本发明，有效避免了有机封装材料的紫外老化、失效等问题，提高了紫外LED器件长期可靠性，并改善了紫外LED封装集成度，降低了封装成本。
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公开(公告)号：CN113860913A
公开(公告)日：2021-12-31
申请号：CN202111292300.8
申请日：2021-11-03
申请人： 武汉高星紫外光电科技有限公司
摘要： 本发明专利公开了一种高导热金刚石薄膜荧光玻璃及其半导体照明产品的制备方法。制备方法包括：首先将玻璃粉、荧光粉和有机溶剂混合均匀制成荧光玻璃浆料；接着将制备的荧光玻璃浆料均匀涂覆在透明基底上，并通过烧结方式在透明基底上制备出荧光玻璃；再通过化学气相沉积技术在荧光玻璃上沉积一层金刚石薄膜，从而获得金刚石薄膜荧光玻璃；最后将金刚石薄膜荧光玻璃作为荧光波长转换材料，贴放在半导体芯片模组上方，获得半导体照明产品。本发明专利通过高导热的金刚石薄膜将荧光玻璃产生的热量迅速耗散掉，不仅可防止荧光玻璃发热产生热淬灭等不良效果，还可以提高荧光玻璃服役稳定性，从而保证半导体照明产品的光色稳定性。
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公开(公告)号：CN216336724U
公开(公告)日：2022-04-19
申请号：CN202122655462.5
申请日：2021-11-02
申请人： 武汉零创科技有限公司 , 武汉高星紫外光电科技有限公司
IPC分类号： C02F1/32
摘要： 本实用新型的实施例提供了一种杀菌装置和储水容器，其中杀菌装置包括：壳体，具有相对的第一端和第二端，第一端设有容纳腔，第二端设有透光孔；透明结构，设于容纳腔，周向侧壁设有限位结构；环形密封套，设于容纳腔，具有内壁和外壁，内壁设有环形槽，限位结构设于环形槽，外壁与容纳腔的腔壁相抵；灯板，设于透明结构背离透光孔的一侧，或灯板设于透明结构；底座，与壳体连接，与灯板相抵。本实用新型的技术方案中，通过灯板发出紫外线对储水容器中的水进行杀菌、消毒，更便捷、安全、稳定、快速、节能、环保。另外，通过设置环形密封套，限位结构设于环形密封套的环形槽中，有利于进一步提高密封的效果，起到防尘、隔水的作用。
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公开(公告)号：CN213242589U
公开(公告)日：2021-05-18
申请号：CN202022613349.6
申请日：2020-11-12
申请人： 武汉高星紫外光电科技有限公司
摘要： 本实用新型公开了一种发光角度可调的紫外LED器件。紫外LED器件包括石英透镜、石英围坝、平面陶瓷基板、焊接层和紫外LED芯片；所述石英透镜与所述石英围坝是一体成型或通过玻璃焊料粘接在一起；所述平面陶瓷基板是通过直接镀铜工艺制备，含有表面金属层和导电通孔；所述焊接层用于所述石英围坝与所述平面陶瓷基板间的金属焊接；所述紫外LED芯片贴装于所述平面陶瓷基板上，且位于所述石英围坝形成的腔体内。通过本实用新型，不仅利用石英围坝提高了芯片侧壁出光的提取，而且通过不同形貌的石英透镜调节了紫外LED发光角度。
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公开(公告)号：CN213340411U
公开(公告)日：2021-06-01
申请号：CN202020842515.7
申请日：2020-05-15
申请人： 武汉高星紫外光电科技有限公司
摘要： 本实用新型公开了一种深紫外LED封装结构。封装结构包括含围坝的三维陶瓷基板、含金属环的石英透镜、焊料层和深紫外LED芯片，所述三维陶瓷基板围坝上设有台阶，所述深紫外LED芯片位于所述三维陶瓷基板围坝内的线路层上，所述石英透镜金属环一侧对应放置于所述三维陶瓷基板围坝的台阶上，并通过所述焊料层完成焊接固定。通过本实用新型，实现了不同发光角度的深紫外LED，且提高了深紫外LED长期可靠性。
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公开(公告)号：CN209282234U
公开(公告)日：2019-08-20
申请号：CN201920274216.5
申请日：2019-03-05
申请人： 武汉高星紫外光电科技有限公司
摘要： 本实用新型公开了一种紫外LED封装结构。紫外LED封装结构包括紫外LED芯片、含腔体的散热基板、玻璃盖板和密封粘结层；所述紫外LED芯片贴装于所述散热基板腔体内的底部位置；所述玻璃盖板位于所述散热基板上端，且通过所述密封粘结层与所述散热基板形成密闭腔体；所述散热基板内壁设置有反射涂层，用于提高芯片侧面出光的提取效率；所述玻璃盖板侧壁制作有金属层，用于隔绝紫外光对有机粘结材料的辐射老化，或用于实现玻璃盖板与散热基板间的金属焊接。通过本实用新型，不仅有效改善了紫外LED密封结构的长期可靠性，而且提高了紫外LED器件出光效率。
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公开(公告)号：CN217280837U
公开(公告)日：2022-08-23
申请号：CN202122887428.0
申请日：2021-11-19
申请人： 武汉高星紫外光电科技有限公司
摘要： 本实用新型公开了一种纳米铜电极全铜键合的倒装UV‑LED封装结构。封装结构包括倒装UV‑LED芯片、纳米铜电极、透明光窗、三维陶瓷电路板、密封粘接层；所述纳米铜电极位于所述倒装UV‑LED芯片的电极上，用于连接所述倒装UV‑LED芯片和陶瓷电路板，形成出全铜键合结构；所述密封粘接层位于所述透明光窗上，用于密封粘接所述透明光窗和所述三维陶瓷电路板，形成密闭封装腔体结构。所述纳米铜电极全铜键合结构，增强了封装散热能力，降低UV‑LED结温并延长UV‑LED寿命；此外，所述形成的全铜键合结构可降低热膨胀系数失配风险，提高UV‑LED封装可靠性和使用寿命。
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