-
公开(公告)号：CN114520285A
公开(公告)日：2022-05-20
申请号：CN202111292310.1
申请日：2021-11-03
申请人： 武汉高星紫外光电科技有限公司
摘要： 本发明专利公开了一种微流道热电制冷器的高功率器件封装结构及其制备方法，封装结构包括盖板、高功率器件、粘接密封层和微流道热电制冷器。所述高功率器件固晶在所述微流道热电制冷器的上基板线路层上，打金线连接所述高功率器件和所述微流道热电制冷器，实现封装结构内外部的电气互连；所述盖板四周均匀粘接密封层，用于连接所述盖板和所述微流道热电制冷器，形成密闭的腔体结构；所述微流道热电制冷器包括上基板、PN型热电粒子、下基板和金属框，所述金属框用于连接所述微流道热电制冷器上下基板以形成腔体结构，PN型热电粒子间的空隙则形成微流道。本发明专利通过热电粒子和微流道的双重制冷作用，将高功率器产生的大量热量迅速耗散，提高封装结构散热能力，从而提升器件性能表现和延长寿命。
-
公开(公告)号：CN109888081B
公开(公告)日：2020-12-01
申请号：CN201910162740.8
申请日：2019-03-05
申请人： 武汉高星紫外光电科技有限公司
摘要： 本发明属于半导体制造技术相关领域，并公开了一种全无机紫外LED晶圆级封装方法，其包括：首先通过印刷或3D打印技术在玻璃盖板上形成多个玻璃浆料环，并经过低温烧结获得多个玻璃腔体结构，随后将多颗紫外LED芯片贴装于散热基板上，接着通过无机浆料或金属焊料将玻璃盖板上的玻璃腔体与散热基板实现可靠键合，最后切割获得全无机紫外LED封装产品。本发明还公开了相应的紫外LED封装结构。通过本发明，有效避免了有机封装材料的紫外老化、失效等问题，提高了紫外LED器件长期可靠性，并改善了紫外LED封装集成度，降低了封装成本。
-
公开(公告)号：CN109888081A
公开(公告)日：2019-06-14
申请号：CN201910162740.8
申请日：2019-03-05
申请人： 武汉高星紫外光电科技有限公司
摘要： 本发明属于半导体制造技术相关领域，并公开了一种全无机紫外LED晶圆级封装方法，其包括：首先通过印刷或3D打印技术在玻璃盖板上形成多个玻璃浆料环，并经过低温烧结获得多个玻璃腔体结构，随后将多颗紫外LED芯片贴装于散热基板上，接着通过无机浆料或金属焊料将玻璃盖板上的玻璃腔体与散热基板实现可靠键合，最后切割获得全无机紫外LED封装产品。本发明还公开了相应的紫外LED封装结构。通过本发明，有效避免了有机封装材料的紫外老化、失效等问题，提高了紫外LED器件长期可靠性，并改善了紫外LED封装集成度，降低了封装成本。
-
公开(公告)号：CN110828633A
公开(公告)日：2020-02-21
申请号：CN201911086034.6
申请日：2019-11-08
申请人： 武汉高星紫外光电科技有限公司
摘要： 本发明专利公开了一种深紫外LED晶圆级封装方法。封装方法包括：首先通过丝网印刷在晶圆级石英玻璃片上形成阵列的环状纳米银膏层，并经过低温烧结后获得环状银层结构；然后通过半导体微加工工艺制备平面陶瓷基板，并在陶瓷基板上制作阵列的金属围坝以实现三维陶瓷基板；随后将多颗深紫外LED芯片贴装于陶瓷基板围坝腔体内的金属线路层上；接着在石英玻璃片的银层上通过印刷金属焊料形成焊料层，再将陶瓷基板围坝上表面与石英玻璃片的焊料层对准加压，并通过加热实现可靠焊接；最后切割分片获得深紫外LED产品。通过本发明专利，实现了深紫外LED全无机气密封装，提高了深紫外LED器件长期可靠性，更重要的是提出了一种低成本、规模化的封装方法，降低了深紫外LED封装制造成本。
-
公开(公告)号：CN113860913A
公开(公告)日：2021-12-31
申请号：CN202111292300.8
申请日：2021-11-03
申请人： 武汉高星紫外光电科技有限公司
摘要： 本发明专利公开了一种高导热金刚石薄膜荧光玻璃及其半导体照明产品的制备方法。制备方法包括：首先将玻璃粉、荧光粉和有机溶剂混合均匀制成荧光玻璃浆料；接着将制备的荧光玻璃浆料均匀涂覆在透明基底上，并通过烧结方式在透明基底上制备出荧光玻璃；再通过化学气相沉积技术在荧光玻璃上沉积一层金刚石薄膜，从而获得金刚石薄膜荧光玻璃；最后将金刚石薄膜荧光玻璃作为荧光波长转换材料，贴放在半导体芯片模组上方，获得半导体照明产品。本发明专利通过高导热的金刚石薄膜将荧光玻璃产生的热量迅速耗散掉，不仅可防止荧光玻璃发热产生热淬灭等不良效果，还可以提高荧光玻璃服役稳定性，从而保证半导体照明产品的光色稳定性。
-
公开(公告)号：CN217280836U
公开(公告)日：2022-08-23
申请号：CN202122887451.X
申请日：2021-11-19
申请人： 武汉高星紫外光电科技有限公司
摘要： 本实用新型公开了一种全透明UV‑LED封装结构。封装结构包括UV‑LED芯片、凹腔透明光窗、透明填充物、透明基板、透明固晶层和透明粘接层；所述UV‑LED芯片贴装在所述凹腔透明光窗内部，‑并用所述透明填充物填充所述UV‑LED芯片和所述凹腔透明光窗之间的空隙；所述透明粘接层和透明固晶层位于所述透明基板的透明线路层上端‑，用于连接所述UV‑LED芯片和所述凹腔透明光窗，形成密闭的全透明腔体结构；所述透明填充物能将UV‑LED芯片产生的热量及时耗散掉，降低UV‑LED结温，‑增强UV‑LED使用寿命；所述透明基板和所述凹腔透明光窗能增强封装结构的底面‑和侧面出光能力，实现封装结构360°出光，有效增强UV‑LED光提取效率。通过本实用新型，不仅能增强封装结构的散热能力，还能实现封装结构360°出光，提升光提取效率。
-
公开(公告)号：CN214411233U
公开(公告)日：2021-10-15
申请号：CN202022613344.3
申请日：2020-11-12
申请人： 武汉高星紫外光电科技有限公司
摘要： 本实用新型公开了一种高光效深紫外LED封装结构。封装结构包括石英玻璃盖板、三维封装基板、粘接层、深紫外LED芯片；所述三维封装基板腔体内壁和底部镀有高反射铝层，用于深紫外光的反射和提取；所述粘接层设置于所述三维封装基板腔体上端，用于与所述石英玻璃盖板间的可靠粘接；所述深紫外LED芯片贴装于所述三维封装基板腔体内的线路层上，通过导电通孔实现与外部电连接。通过本实用新型中的大面积高反射铝层，有效避免深紫外光被封装体吸收，使得更多的光从封装体中出射出去，从而提高深紫外LED出光效率。
-
公开(公告)号：CN213242589U
公开(公告)日：2021-05-18
申请号：CN202022613349.6
申请日：2020-11-12
申请人： 武汉高星紫外光电科技有限公司
摘要： 本实用新型公开了一种发光角度可调的紫外LED器件。紫外LED器件包括石英透镜、石英围坝、平面陶瓷基板、焊接层和紫外LED芯片；所述石英透镜与所述石英围坝是一体成型或通过玻璃焊料粘接在一起；所述平面陶瓷基板是通过直接镀铜工艺制备，含有表面金属层和导电通孔；所述焊接层用于所述石英围坝与所述平面陶瓷基板间的金属焊接；所述紫外LED芯片贴装于所述平面陶瓷基板上，且位于所述石英围坝形成的腔体内。通过本实用新型，不仅利用石英围坝提高了芯片侧壁出光的提取，而且通过不同形貌的石英透镜调节了紫外LED发光角度。
-
公开(公告)号：CN217280837U
公开(公告)日：2022-08-23
申请号：CN202122887428.0
申请日：2021-11-19
申请人： 武汉高星紫外光电科技有限公司
摘要： 本实用新型公开了一种纳米铜电极全铜键合的倒装UV‑LED封装结构。封装结构包括倒装UV‑LED芯片、纳米铜电极、透明光窗、三维陶瓷电路板、密封粘接层；所述纳米铜电极位于所述倒装UV‑LED芯片的电极上，用于连接所述倒装UV‑LED芯片和陶瓷电路板，形成出全铜键合结构；所述密封粘接层位于所述透明光窗上，用于密封粘接所述透明光窗和所述三维陶瓷电路板，形成密闭封装腔体结构。所述纳米铜电极全铜键合结构，增强了封装散热能力，降低UV‑LED结温并延长UV‑LED寿命；此外，所述形成的全铜键合结构可降低热膨胀系数失配风险，提高UV‑LED封装可靠性和使用寿命。
-
公开(公告)号：CN209896097U
公开(公告)日：2020-01-03
申请号：CN201920484388.5
申请日：2019-04-11
申请人： 武汉高星紫外光电科技有限公司
IPC分类号： H01L33/48
摘要： 本实用新型公开了一种深紫外LED全无机气密封装结构。封装结构包括含有银层的石英玻璃盖板、含有金属围坝的三维陶瓷基板、焊接层以及深紫外LED芯片；所述深紫外LED芯片贴装于所述三维陶瓷基板金属围坝内的线路层上；所述石英玻璃盖板位于所述三维陶瓷基板金属围坝上表面，且通过所述焊接层实现所述石英玻璃盖板银层与所述三维陶瓷基板金属围坝的气密焊接。通过本实用新型，避免了有机材料的使用，实现了深紫外LED全无机气密封装，从而有效提高了深紫外LED器件长期可靠性。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
14 条记录 (耗时 0.047 秒)
