公开(公告)号：CN114242646B

公开(公告)日：2024-11-22

申请号：CN202111402135.7

申请日：2021-11-19

Applicant: 浙江光特科技有限公司

Inventor： 龚正致 ,  李超翰 ,  廖世容

IPC: H01L21/762 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/308

Abstract: 本发明公开了一种晶圆的处理方法，该方法包括：提供一具有锗外延或锗硅外延的晶圆；涂覆第一光刻胶，并光刻；刻蚀处理，形成的刻蚀角度为β；刻蚀形成预定为P型的侧壁、第一欧姆接触区、预定为N型的侧壁、第二欧姆接触区；去除所述第一光刻胶；涂覆第二光刻胶，覆盖所述预定为N型的侧壁、所述第二欧姆接触区；对所述预定为P型的侧壁、所述第一欧姆接触区进行P型离子注入，注入角度α1，形成P型的侧壁。本发明通过对现有的干法刻蚀方法做出改进，改变其中的刻蚀角度，并选择刻蚀的离子注入角度，使四个区域的结的形成，在一次注入时即达到最佳化的效果，提高生产效率,整个刻蚀工艺缩短为两次离子注入。

公开(公告)号：CN114203860B

公开(公告)日：2024-07-23

申请号：CN202210154489.2

申请日：2022-02-21

Applicant: 浙江光特科技有限公司

Inventor： 万远涛 ,  廖世容 ,  叶瑾琳

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/105

Abstract: 本发明提供了一种半导体器件的制造方法以及利用该制造方法制备而成的PIN光电二极管，应用于半导体领域。具体的，通过将现有技术中价格昂贵的有机钝化膜BCB材料替换成传统且价格便宜的无机介质膜材料，作为形成PIN光电二极管的钝化层，从而在保护器件芯片不会直接与空气或工艺设备中的湿气或其他污染物接触的同时，降低了PIN光电二极管器件的制造成本。并且，还将P型和/或N型扩展焊盘底电极下方的部分无机介质膜去除，不仅降低了成本，而且后面金属生长在无机介质膜上的粘附力优于BCB，同时在后续进行退火工艺的过程中也不会因为介质材料应力太大导致介质膜与芯片的表面分离，提升了器件性能、可靠性和一致性。

公开(公告)号：CN116885016A

公开(公告)日：2023-10-13

申请号：CN202310791072.1

申请日：2023-06-29

Applicant: 浙江光特科技有限公司

Inventor： 廖世容 ,  况诗吟 ,  叶瑾琳

IPC: H01L31/0216 ,  H01L31/102 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明公开了一种抗WiFi干扰芯片的加工方法，所述方法包括：在芯片表面上生长出厚度为#imgabs0#的SiNx；通过采用光刻以及刻蚀的方法得到所需要的图形，再进行扩散使之形成P型层；在P型层上生长0.2‑3微米厚度的SiO2介质层，对SiO2介质层进行第二次蚀刻处理；在第二次蚀刻后的芯片表面生长0.1‑0.5微米厚度的SiNx增透膜，并对SiNx增透膜进行第三次蚀刻处理；在第三次蚀刻后的芯片表面生长出P型电极层，对P型电极层进行金属剥离后得到金属图案，再在芯片表面沉积抗干扰金属层，最后对芯片背面进行研磨减薄并在减薄后的芯片背面沉积N型电极层。应用本发明实施例，简化了芯片结构。

公开(公告)号：CN114562874B

公开(公告)日：2023-07-04

申请号：CN202210200176.6

申请日：2022-03-02

Applicant: 浙江光特科技有限公司

Inventor： 龚正致 ,  廖世容 ,  沈琪良

IPC: F26B21/00 ,  F26B25/00

Abstract: 本发明公开了一种用于晶圆清洗后烘干处理装置，包括：一夹具，用于夹持所述晶圆；一供气机构；一烘干单元，其包括两个烘干组，两个烘干组沿所述晶圆的轴线布置于所述晶圆的两侧；所述烘干组包括：一第一供气件，其内设有第一供气腔，所述第一供气件上设有多个第一出气孔，多个所述第一出气孔均与所述第一供气腔连通，多个所述第一出气孔朝向所述晶圆；其中，所述第一供气腔与所述供气机构连通。在利用夹具夹持好清洗后的晶圆后，利用供气机构箱第一供气腔内通入高温气体，经过第一出气孔，对晶圆进行烘干处理。可以对晶圆的两个表面同时进行烘干处理，效率高。

公开(公告)号：CN114242686A

公开(公告)日：2022-03-25

申请号：CN202111513142.4

申请日：2021-12-12

Applicant: 浙江光特科技有限公司

Inventor： 龚正致 ,  廖世容 ,  叶瑾琳

IPC: H01L23/498 ,  H01L23/538 ,  H01L21/48 ,  H01L21/768

Abstract: 半导体器件是利用半导体材料的特殊电特性来制作特定功能的电子器件。半导体的导电性介于良导电体与绝缘体之间，这些半导体材料通常是硅、锗、磷化铟或砷化镓，并经过各式特定的渗杂，产生P型或N型半导体，作成如整流器、振荡器、发光器、放大器、光探测器、光调制器等组件或设备。因器件需要经由金属线链接外部的电源，除非是完全平面式的器件，否则金属线很难避免的会跨越不同高度的器件台阶，如何确保此金属线的可靠性便成为一道重要的课题。本发明公开了一种改善金属线在台阶表面覆盖率的半导体器件及其制取方法。本发明可在不改变器件形貌角度及不需采买更好的金属沉积的机台情况下，增加金属在台阶侧壁的覆盖率，确保产品可靠性。

公开(公告)号：CN114242580A

公开(公告)日：2022-03-25

申请号：CN202111523078.8

申请日：2021-12-13

Applicant: 浙江光特科技有限公司

Inventor： 石峰 ,  叶瑾琳 ,  龚正致

IPC: H01L21/306 ,  H01L31/18 ,  H01L21/67 ,  H01L31/107

Abstract: 本发明公开了一种便于监控刻蚀过程的APD。本发明公开了一种监控APD外延结构刻蚀进度的方法，包括如下步骤：将上述便于监控刻蚀过程的APD进行光刻形成掩膜图形，然后浸泡在刻蚀液中进行刻蚀，接着观察APD表面，根据APD表面情况判断刻蚀进度，具体如下：当观察到APD表面出现“毛玻璃”现象时，则表明刻蚀液刻蚀到InGaAsP材料与InGaAs/InAlAs材料的界面处；当观察到APD表面“毛玻璃”现象开始褪去时，则表明刻蚀液开始刻蚀到InGaAs/InAlAs材料与InP材料界面处；当观察到APD表面重新变得光滑均匀时，则表明InGaAs/InAlAs材料已经完全被刻蚀完毕。

公开(公告)号：CN119425343A

公开(公告)日：2025-02-14

申请号：CN202411575086.0

申请日：2024-11-06

Applicant: 浙江光特科技有限公司

Inventor： 龚正致 ,  石峰 ,  曾宪蓉

IPC: B01D53/78 ,  B01D53/68

Abstract: 本发明公开了一种溴素存储装置，结构新颖合理，其采用第一容器和第二容器双容器结构，并利用导气通道将第一容器和第二容器进行特定连接，设计巧妙，导气通道与第一容器连通，有效限制了溴气的扩散路径，使泄漏的溴气只能通过唯一的出口，即导气通道排出，并进入第二容器内的中和液、与中和液发生中和反应，导气通道与第一容器的组合结构，相当于为泄漏的溴气设置了物理屏障，可有效限制溴素的挥发弥散，再配合后续中和液的中和作用，可彻底杜绝溴气泄漏到空气中。即便是开封后的溴素瓶，也可以通过该设计实现更高效的气体密封，解决了拆封后的溴素瓶无法进行再次有效的瓶口密封，而容易泄漏的问题，适用于存储已开封，或仍然密封的溴素瓶。

公开(公告)号：CN110587382B

公开(公告)日：2024-09-17

申请号：CN201910881765.3

申请日：2019-09-18

Applicant: 浙江光特科技有限公司

Inventor： 廖世容 ,  刘朝辉

IPC: B24B1/00 ,  B24B37/10 ,  B24B37/30 ,  B24B57/02

Abstract: 本发明提供一种研磨装置，包括研磨机构、定位机构、真空泵、夹持机构、陶瓷盘、真空罩，陶瓷盘上开设有若干通孔，陶瓷盘上设有若干定位柱，真空罩上部开孔，孔内安装密封圈，密封圈中插入有连接管，连接管上设有调节阀。相应地，本发明还提供一种所述研磨装置的研磨方法。本发明可以提高研磨的磷化铟晶圆片的均匀性，同时可以加快研磨后从陶瓷盘上取下磷化铟晶圆片的速度。

公开(公告)号：CN118538805A

公开(公告)日：2024-08-23

申请号：CN202410638005.0

申请日：2024-05-22

Applicant: 浙江光特科技有限公司

Inventor： 廖世容 ,  杨鲁勇 ,  万远涛

IPC: H01L31/0352 ,  H01L31/0304 ,  H01L31/105 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明公开了一种低偏压超高响应度的光电二极管结构和制作方法，所述结构包括：衬底层，所述衬底层由N+型InP组成；本征吸收层，所述本征吸收层设置于所述衬底层之上；过渡层，所述过渡层设置于所述本征吸收层之上；电荷层，所述电荷层设置于所述过渡层之上；倍增层，所述倍增层设置于所述电荷层之上，通过控制所述倍增层厚度提供光电二极管的雪崩倍增率；窗口层，所述窗口层设置于所述倍增层之上，所述窗口层设有P+扩散区；其中控制所述电荷层的生长厚度和杂质的掺杂深度，用于控制所述倍增层和本征吸收层之间的电场强度。

公开(公告)号：CN118502000A

公开(公告)日：2024-08-16

申请号：CN202410791774.4

申请日：2024-06-19

Applicant: 浙江光特科技有限公司

Inventor： 龚正致 ,  李超翰 ,  廖世容

IPC: G02B5/00

Abstract: 本发明适用于吸收器技术领域，提供了一种吸收器的制造工艺，包括如下步骤：1）以硅为衬底；2）二氧化硅沉积；3）吸收器光刻；4）元素注入；5）光刻胶去除；6）去除原来的二氧化硅；7）二氧化硅再沉积；8）高温推结；9）去除二氧化硅；10）波导光刻；11）波导硅刻蚀，本发明通过增加去除二氧化层，再沉积一次二氧化层，并且在高温推结之前增加低温生长二氧化硅的步骤，将已经经过高剂量高能量元素注入时候被破坏的二氧化硅去除，再沉积防止后面的高温推结步骤注入的高剂量高能量元素会反向扩散出来，高温推结之前先在低温的氧气环境下先长一层二氧化硅，进一步避免高浓度元素会反向扩散出来，同时将硅表面的缺陷由氧化作用加以去除。