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公开(公告)号：CN114730330A
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN202080081142.9
申请日：2020-12-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F17/15
Abstract: 公开了一种包括处理器的电子设备，其中，所述处理器被配置为：基于反卷积计算的输入数据被输入，获得计算信息；基于获得的所述计算信息获得输出数据的大小；使用地址产生模块获得与输出数据的大小对应的多个存储器地址值；使用卷积计算模块基于所述计算信息执行卷积计算以在卷积计算处理中获得中间值；使用地址产生模块获得多个获得的存储器地址中的与获得的中间值对应的存储器地址值；将获得的中间值存储在与所述中间值对应的存储器地址值中；使用累加计算模块基于与所述中间值对应的存储器地址值来累加至少一个中间值；以及基于累加的所述至少一个中间值获得针对输入数据的反卷积计算值。
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公开(公告)号：CN110050259A
公开(公告)日：2019-07-23
申请号：CN201780074579.8
申请日：2017-10-23
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了一种矢量处理器。矢量处理器包括提供给多个单指令多数据(SIMD)通道中的每一个、存储多条数据中的每一个、并且分别输出在多条数据当中的要在当前周期中使用的输入数据的多个寄存器文件；混洗单元，用于接收从多个寄存器文件输出的多条输入数据，并执行混洗使得所接收的多条输入数据分别对应于多个SIMD通道，并输出多条输入数据；以及，命令运行单元，用于通过接收从混洗单元输出的输入数据来执行并行操作。
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公开(公告)号：CN103164285A
公开(公告)日：2013-06-19
申请号：CN201210537202.0
申请日：2012-12-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F9/50
CPC classification number: G06F15/7867 , G06F9/3001 , G06F9/3867
Abstract: 一种可重构处理器和可重构处理器的微核，所述可重构处理器包括多个微核和所述微核所连接的外部网络。每一个微核包括：第一功能单元、第二功能单元和内部网络，其中，第一功能单元包括第一组运算元件，第二功能单元包括与第一组运算元件不同的第二组运算元件，并且，第一功能单元与第二功能单元被连接到内部网络。
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公开(公告)号：CN112106080B
公开(公告)日：2025-01-14
申请号：CN201980026052.7
申请日：2019-03-29
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种用于执行人工智能算法的电子设备。所述电子设备包括存储器和处理器，存储器存储输入数据和从第一内核数据获得的多个第二内核数据，处理器获得放大数据，在放大数据中，输入数据的至少一部分根据第一内核数据被放大。通过对所述多个第二内核数据中的每个第二内核数据与输入数据执行卷积运算来放大数据。所述多个第二内核数据中的每个第二内核数据包括第一内核数据中的多个第一内核元素中的不同第一内核元素。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100343960C
公开(公告)日：2007-10-17
申请号：CN03133019.3
申请日：2003-06-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/316 , H01L21/324
CPC classification number: H01L21/31612 , C23C16/402 , C23C16/45534 , C23C16/56 , H01L21/02164 , H01L21/02208 , H01L21/02277 , H01L21/0228 , H01L21/02337 , H01L21/0234 , H01L21/3122 , H01L21/3141
Abstract: 本发明公开了一种用催化剂辅助的原子层沉积(ALD)工艺的改进方法，同时还公开了相关的吹扫方法和吹扫程序。所述改进方法通过采用具有至少两个硅原子的硅化合物作为第一反应物，或者采用一种脂族叔胺作为催化剂组分，也可以二者结合使用而在一半导体基片上形成一具有优良性能的二氧化硅层。
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公开(公告)号：CN1480998A
公开(公告)日：2004-03-10
申请号：CN03133019.3
申请日：2003-06-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/316 , H01L21/324
CPC classification number: H01L21/31612 , C23C16/402 , C23C16/45534 , C23C16/56 , H01L21/02164 , H01L21/02208 , H01L21/02277 , H01L21/0228 , H01L21/02337 , H01L21/0234 , H01L21/3122 , H01L21/3141
Abstract: 本发明公开了一种用催化剂辅助的原子层沉积(ALD)工艺的改进方法，同时还公开了相关的吹扫方法和吹扫程序。所述改进方法通过采用具有至少两个硅原子的硅化合物作为第一反应物，或者采用一种脂族叔胺作为催化剂组分，也可以二者结合使用而在一半导体基片上形成一具有优良性能的二氧化硅层。
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公开(公告)号：CN112204585B
公开(公告)日：2024-09-17
申请号：CN201980035810.1
申请日：2019-05-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06N3/067 , G06N3/0464
Abstract: 公开了使用卷积计算单元和电子装置的本地存储器来执行人工智能算法的电子装置。处理器的控制器配置为：基于从缓冲器输入的、与对应于第一内核数据行数的行一样多的数据存储在所述存储器中，将所存储的输入数据提供至所述卷积计算单元；基于第一计算数据由所述卷积计算单元输出，在所述存储器中存储所接收的第一计算数据；基于与对应于第二内核数据的行数一样多的第一计算数据存储在所述存储器中，将所存储的第一计算数据提供至所述卷积计算单元；以及在将所述第一计算数据提供至所述卷积计算单元之后，将从所述缓冲器输入的数据存储在所述存储器中存储的所述第一计算数据中存储最先存储的数据的位置处。
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公开(公告)号：CN112204585A
公开(公告)日：2021-01-08
申请号：CN201980035810.1
申请日：2019-05-30
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了使用卷积计算单元和电子装置的本地存储器来执行人工智能算法的电子装置。处理器的控制器配置为：基于从缓冲器输入的、与对应于第一内核数据行数的行一样多的数据存储在所述存储器中，将所存储的输入数据提供至所述卷积计算单元；基于第一计算数据由所述卷积计算单元输出，在所述存储器中存储所接收的第一计算数据；基于与对应于第二内核数据的行数一样多的第一计算数据存储在所述存储器中，将所存储的第一计算数据提供至所述卷积计算单元；以及在将所述第一计算数据提供至所述卷积计算单元之后，将从所述缓冲器输入的数据存储在所述存储器中存储的所述第一计算数据中存储最先存储的数据的位置处。
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公开(公告)号：CN112106080A
公开(公告)日：2020-12-18
申请号：CN201980026052.7
申请日：2019-03-29
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种用于执行人工智能算法的电子设备。所述电子设备包括存储器和处理器，存储器存储输入数据和从第一内核数据获得的多个第二内核数据，处理器获得放大数据，在放大数据中，输入数据的至少一部分根据第一内核数据被放大。通过对所述多个第二内核数据中的每个第二内核数据与输入数据执行卷积运算来放大数据。所述多个第二内核数据中的每个第二内核数据包括第一内核数据中的多个第一内核元素中的不同第一内核元素。
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