公开(公告)号：CN109935259B

公开(公告)日：2023-11-07

申请号：CN201811213200.X

申请日：2018-10-17

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 元福渊 ,  权赫准

IPC分类号： G11C11/4097

摘要： 半导体存储器器件中的位线感测放大器的布局结构包括：第一位线感测放大器，其连接到第一位线和第一互补位线，并且是经由第一控制线和第二控制线来控制的。第一控制线连接到第一位线感测放大器的第一节点，第二控制线连接到第一位线感测放大器的第二节点，第一位线感测放大器包括至少一对晶体管，该至少一对晶体管被配置为共享与第一节点相对应的第一有源区域和与第二节点相对应的第二有源区域中的任何一个有源区域。

公开(公告)号：CN116137543A

公开(公告)日：2023-05-19

申请号：CN202211251458.5

申请日：2022-10-13

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 裵东运 ,  费德里科·佩纳 ,  权赫准 ,  金在仁 ,  简惠元 ,  李俊浩

IPC分类号： H04B7/06 ,  H04B7/0456 ,  H04W24/10

摘要： 本公开提供了一种由用户设备执行的方法以及用户设备。所述方法包括确定预编码矩阵指示符(PMI)选择决策度量，基于确定的PMI选择决策度量选择子带(SB)线性组合系数(LCC)选择方法、宽带(WB)LCC选择方法或子带组(SBG)LCC选择方法中的一种，使用选择的LCC选择方法，基于由基站配置的子带来确定PMI索引，并且将确定的PMI索引发送到所述基站。

公开(公告)号：CN115955734A

公开(公告)日：2023-04-11

申请号：CN202211046042.X

申请日：2022-08-30

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 裵东运 ,  权赫准 ,  宋基逢 ,  沙伊莱什·乔达里

IPC分类号： H04W88/02 ,  G06N3/045 ,  G06N3/084

摘要： 提供操作用户设备的方法和用户设备。在一些实施例中，所述方法包括：通过第一神经网络接收第一状态和第一状态转换，第一状态包括：用于多个可用活动端口的一个或多个标识符，以及两个或更多个电路元件之间的一组可用连接，所述两个或更多个电路元件中的每个是以下项中的一个：(1)第一电路类型，(2)第二电路类型，第二电路类型将第一电路类型的电路元件可操作地连接到所述多个可用活动端口中的一个，以及(3)所述多个可用活动端口；以及通过第一神经网络针对第一状态转换生成第一估计质量值。

公开(公告)号：CN115208720A

公开(公告)日：2022-10-18

申请号：CN202210378287.6

申请日：2022-04-12

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 权赫准 ,  宋基逢 ,  尼廷·乔纳森·迈尔斯 ,  丁亚聪

IPC分类号： H04L25/02

摘要： 公开了一种包括处理器和存储器的电子装置，其中，所述处理器被配置为：对发送解调参考信号所处的所有资源元素(RE)处的信道估计执行频率插值，对从所述频率插值获得的频域插值的信道执行时间插值，以及基于频域中的RE处和时域中的RE处的信道估计来计算增强的信道估计，其中，所述信道估计是从所述时间插值输出的。

公开(公告)号：CN111698181A

公开(公告)日：2020-09-22

申请号：CN202010089138.9

申请日：2020-02-12

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 权赫准 ,  莎丽斯·乔杜哈里 ,  宋基逢

IPC分类号： H04L25/02 ,  G06N3/08

摘要： 本文中公开一种操作无线通信系统的方法以及无线通信系统。根据一个实施例，一种方法包含：产生特征和检测器标签的标记数据集；使用所产生的标记数据集来训练多层感知器(MLP)网络；以及基于所训练的多层感知器网络的输出从多个检测器类别中选择检测器类别。

公开(公告)号：CN117917858A

公开(公告)日：2024-04-23

申请号：CN202311027856.3

申请日：2023-08-15

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 莫塔巴·拉马迪 ,  裵东运 ,  权赫准

IPC分类号： H03M13/01

摘要： 公开了一种用于提前终止迭代检测和解码的方法和系统公开了一种用于在迭代检测和解码(IDD)过程期间确定提前终止的系统和方法。该方法可以包括：在IDD过程期间计算一个或多个循环冗余校验(CRC)的一个或多个对数似然比(LLR)，以及确定LLR中的至少一个预测CRC校验失败，并且作为响应，终止IDD过程。

公开(公告)号：CN116466540A

公开(公告)日：2023-07-21

申请号：CN202211694940.6

申请日：2022-12-28

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 金哲焕 ,  沈智昌 ,  李钟旻 ,  高常恩 ,  权五勳 ,  权赫准

IPC分类号： G03F1/36 ,  G11C16/34 ,  G11C16/08 ,  H01L21/027 ,  G03F1/72

摘要： 公开了校正设计布局的方法、计算装置和制造半导体装置的方法。在校正半导体装置的设计布局的方法中，测量基于原始布局制造的半导体装置中的多个感兴趣区域中的每个的目标图案的点的一部分的未对准值；通过使用基于测量的点的所述一部分的未对准值训练的人工神经网络，来估计目标图案的未测量点的未对准值；并且通过使用估计的未对准值来生成半导体装置的目标布局。

公开(公告)号：CN108270642B

公开(公告)日：2023-04-07

申请号：CN201711248070.9

申请日：2017-11-27

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 权赫准 ,  尼兰詹·纳亚克·拉特纳卡 ,  李正元

IPC分类号： H04L43/00 ,  H04L41/0803

摘要： 一种用于参数配置的盲检测的系统和方法。描述了一种用于对接收到的信号的参数配置进行盲检测的方法、系统、设备和制造该设备的方法，在一方面，提供了一种用于用户设备(UE)对接收到的信号的参数配置进行盲检测的方法。所述方法包括：基于子载波间隔(SCS)的多个假设在时域中使所述接收到的信号中的循环前缀(CP)信号相关；基于SCS的所述多个假设在频域中测量所述接收到的信号的功率变化；并且对时域中的所述CP信号的相关性和频域中的测量的功率变化的加权结果进行组合，以确定针对所述多个假设的SCS的相应假设的所述接收到的信号的参数配置。

公开(公告)号：CN114093873A

公开(公告)日：2022-02-25

申请号：CN202110798174.7

申请日：2021-07-14

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 金永官 ,  权赫准 ,  全在范

IPC分类号： H01L27/11519 ,  H01L27/11521 ,  H01L27/11531 ,  H01L27/11548

摘要： 提供了一种半导体存储元件。所述半导体存储元件包括：衬底，包括存储单元区和外围电路区；有源区，位于所述存储单元区中；栅图案，掩埋在所述有源区中；导线，设置在所述栅图案上；第一区，包括设置在所述外围电路区中的多个外围元件；虚设图案，掩埋在所述外围电路区中；以及第二区，包括所述虚设图案并且不与所述第一区重叠。

公开(公告)号：CN111292783B

公开(公告)日：2021-03-23

申请号：CN202010048328.6

申请日：2017-10-23

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 金泳旭 ,  权赫准 ,  韩相根 ,  元福渊

IPC分类号： G11C7/18 ,  G11C7/12 ,  G11C11/4094 ,  G11C11/4097

摘要： 本申请提供一种存储器装置和读出放大器，读出放大器包括读出放大单元、第一隔离单元和第二隔离单元以及第一偏移消除单元和第二偏移消除单元。读出放大单元包括第一P型金属氧化物半导体(PMOS)晶体管、第二PMOS晶体管、第一N型金属氧化物半导体(NMOS)晶体管和第二NMOS晶体管。在读出放大器的布局中，第一PMOS晶体管和第二PMOS晶体管设置在读出放大器的中部区域，第一NMOS晶体管和第二NMOS晶体管设置在读出放大器的彼此相对侧，第一隔离单元和第一偏移消除单元设置在第一PMOS晶体管和第一NMOS晶体管之间，并且第二隔离单元和第二偏移消除单元设置在第二PMOS晶体管和第二NMOS晶体管之间。在其他布局中，可以掉换PMOS晶体管和NMOS晶体管的位置。