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公开(公告)号：CN113491096A
公开(公告)日：2021-10-08
申请号：CN202080017249.7
申请日：2020-05-07
申请人： 三星电子株式会社
摘要： 一种电子装置包括显示模块，其中，所述显示模块包括：壳体；显示器，包括第一面板、覆盖层、第二面板，其中，第一面板包括第一表面、与第一表面相对的第二表面、以及介于第一表面与第二表面之间的多个像素，覆盖层被布置在第一面板的第一表面上，第二面板被布置在第一面板的第二表面上；以及传感器，被连接到第一面板的第二表面以在壳体的一个表面上提供感测区域。
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公开(公告)号：CN108206033B
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN201711074876.0
申请日：2017-11-03
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： G11C5/06
摘要： 一种包括存储器单元阵列区域的存储器件包括：形成在存储器单元阵列区域的第一列导电层中并在列方向上延伸的列选择信号线，形成在存储器单元阵列区域中与第一列导电层不同的第二列导电层中并且在列方向上延伸的全局输入输出数据线，以及形成在存储器单元阵列区域中第一列导电层和第二列导电层之间的屏蔽导电层中的电源线。通过在不同列导电层中形成列选择信号线和全局输入输出数据线并在列导电层之间的屏蔽导电层中形成电源线，可以减少信号线和电源线中的噪声，并且可以增强存储器件的性能。
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公开(公告)号：CN108257631B
公开(公告)日：2020-11-24
申请号：CN201710991904.9
申请日：2017-10-23
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： G11C7/18 , G11C7/12 , G11C11/4094 , G11C11/4097
摘要： 本申请提供一种存储器装置和读出放大器，读出放大器包括读出放大单元、第一隔离单元和第二隔离单元以及第一偏移消除单元和第二偏移消除单元。读出放大单元包括第一P型金属氧化物半导体(PMOS)晶体管、第二PMOS晶体管、第一N型金属氧化物半导体(NMOS)晶体管和第二NMOS晶体管。在读出放大器的布局中，第一PMOS晶体管和第二PMOS晶体管设置在读出放大器的中部区域，第一NMOS晶体管和第二NMOS晶体管设置在读出放大器的彼此相对侧，第一隔离单元和第一偏移消除单元设置在第一PMOS晶体管和第一NMOS晶体管之间，并且第二隔离单元和第二偏移消除单元设置在第二PMOS晶体管和第二NMOS晶体管之间。在其他布局中，可以掉换PMOS晶体管和NMOS晶体管的位置。
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公开(公告)号：CN111292783B
公开(公告)日：2021-03-23
申请号：CN202010048328.6
申请日：2017-10-23
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： G11C7/18 , G11C7/12 , G11C11/4094 , G11C11/4097
摘要： 本申请提供一种存储器装置和读出放大器，读出放大器包括读出放大单元、第一隔离单元和第二隔离单元以及第一偏移消除单元和第二偏移消除单元。读出放大单元包括第一P型金属氧化物半导体(PMOS)晶体管、第二PMOS晶体管、第一N型金属氧化物半导体(NMOS)晶体管和第二NMOS晶体管。在读出放大器的布局中，第一PMOS晶体管和第二PMOS晶体管设置在读出放大器的中部区域，第一NMOS晶体管和第二NMOS晶体管设置在读出放大器的彼此相对侧，第一隔离单元和第一偏移消除单元设置在第一PMOS晶体管和第一NMOS晶体管之间，并且第二隔离单元和第二偏移消除单元设置在第二PMOS晶体管和第二NMOS晶体管之间。在其他布局中，可以掉换PMOS晶体管和NMOS晶体管的位置。
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公开(公告)号：CN108206033A
公开(公告)日：2018-06-26
申请号：CN201711074876.0
申请日：2017-11-03
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： G11C5/06
CPC分类号： H01L23/5225 , G11C7/06 , G11C7/1057 , G11C11/4087 , G11C11/4091 , G11C11/4097 , H01L23/50 , H01L23/5226 , H01L23/5286 , H01L23/552 , H01L24/06 , H01L24/20 , H01L2224/02331 , H01L2224/02373 , H01L2224/02375 , H01L2224/02379 , H01L2224/02381 , H01L2224/04105 , H01L2224/06155 , H01L2224/06159 , H01L2224/12105 , H01L2924/18162 , H01L2924/3025 , G11C5/063
摘要： 一种包括存储器单元阵列区域的存储器件包括：形成在存储器单元阵列区域的第一列导电层中并在列方向上延伸的列选择信号线，形成在存储器单元阵列区域中与第一列导电层不同的第二列导电层中并且在列方向上延伸的全局输入输出数据线，以及形成在存储器单元阵列区域中第一列导电层和第二列导电层之间的屏蔽导电层中的电源线。通过在不同列导电层中形成列选择信号线和全局输入输出数据线并在列导电层之间的屏蔽导电层中形成电源线，可以减少信号线和电源线中的噪声，并且可以增强存储器件的性能。
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公开(公告)号：CN111081296B
公开(公告)日：2021-06-01
申请号：CN201911156606.3
申请日：2017-10-23
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： G11C11/4094 , G11C11/4097 , G11C7/18 , G11C7/12
摘要： 本申请提供一种存储器装置和读出放大器，读出放大器包括读出放大单元、第一隔离单元和第二隔离单元以及第一偏移消除单元和第二偏移消除单元。读出放大单元包括第一P型金属氧化物半导体(PMOS)晶体管、第二PMOS晶体管、第一N型金属氧化物半导体(NMOS)晶体管和第二NMOS晶体管。在读出放大器的布局中，第一PMOS晶体管和第二PMOS晶体管设置在读出放大器的中部区域，第一NMOS晶体管和第二NMOS晶体管设置在读出放大器的彼此相对侧，第一隔离单元和第一偏移消除单元设置在第一PMOS晶体管和第一NMOS晶体管之间，并且第二隔离单元和第二偏移消除单元设置在第二PMOS晶体管和第二NMOS晶体管之间。在其他布局中，可以掉换PMOS晶体管和NMOS晶体管的位置。
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公开(公告)号：CN111292783A
公开(公告)日：2020-06-16
申请号：CN202010048328.6
申请日：2017-10-23
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： G11C7/18 , G11C7/12 , G11C11/4094 , G11C11/4097
摘要： 本申请提供一种存储器装置和读出放大器，读出放大器包括读出放大单元、第一隔离单元和第二隔离单元以及第一偏移消除单元和第二偏移消除单元。读出放大单元包括第一P型金属氧化物半导体(PMOS)晶体管、第二PMOS晶体管、第一N型金属氧化物半导体(NMOS)晶体管和第二NMOS晶体管。在读出放大器的布局中，第一PMOS晶体管和第二PMOS晶体管设置在读出放大器的中部区域，第一NMOS晶体管和第二NMOS晶体管设置在读出放大器的彼此相对侧，第一隔离单元和第一偏移消除单元设置在第一PMOS晶体管和第一NMOS晶体管之间，并且第二隔离单元和第二偏移消除单元设置在第二PMOS晶体管和第二NMOS晶体管之间。在其他布局中，可以掉换PMOS晶体管和NMOS晶体管的位置。
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公开(公告)号：CN110992997B
公开(公告)日：2021-04-13
申请号：CN201911214606.4
申请日：2017-10-23
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： G11C5/02 , G11C7/02 , G11C11/4091 , G11C11/4094 , G11C11/4097 , G11C5/06 , G11C7/06 , G11C11/408 , G11C11/4096
摘要： 本申请提供一种存储器装置和读出放大器，读出放大器包括读出放大单元、第一隔离单元和第二隔离单元以及第一偏移消除单元和第二偏移消除单元。读出放大单元包括第一P型金属氧化物半导体(PMOS)晶体管、第二PMOS晶体管、第一N型金属氧化物半导体(NMOS)晶体管和第二NMOS晶体管。在读出放大器的布局中，第一PMOS晶体管和第二PMOS晶体管设置在读出放大器的中部区域，第一NMOS晶体管和第二NMOS晶体管设置在读出放大器的彼此相对侧，第一隔离单元和第一偏移消除单元设置在第一PMOS晶体管和第一NMOS晶体管之间，并且第二隔离单元和第二偏移消除单元设置在第二PMOS晶体管和第二NMOS晶体管之间。在其他布局中，可以掉换PMOS晶体管和NMOS晶体管的位置。
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