半导体器件
    5.
    发明公开
    半导体器件 审中-公开

    公开(公告)号:CN119028977A

    公开(公告)日:2024-11-26

    申请号:CN202410048377.8

    申请日:2024-01-12

    Abstract: 提供了一种半导体器件,包括:半导体衬底;源/漏图案,在半导体衬底上沿第一方向间隔开;以及沟道图案,在半导体衬底上,其中,沟道图案中的至少一个沟道图案在源/漏图案中的相邻的源/漏图案之间,其中,沟道图案中的至少一个沟道图案包括多个半导体图案,并且多个半导体图案沿垂直于半导体衬底的上表面的第二方向彼此间隔开,其中,半导体衬底包括{110}晶面,其中,沟道图案中的至少一个沟道图案包括表面图案,其中,表面图案包括第一表面和第二表面,其中,第一表面包括突出边缘,其中,第二表面通过突出边缘分别连接到第一表面,并且其中,突出边缘沿第三方向布置。

    电能产生器
    8.
    发明授权

    公开(公告)号:CN102655206B

    公开(公告)日:2016-08-03

    申请号:CN201210037452.8

    申请日:2012-02-17

    Inventor: 金成珉 车承南

    CPC classification number: H02N2/186 Y02E10/549

    Abstract: 本发明涉及一种电能产生器,包括多个纳米线、半导体层和接触层。多个纳米线由具有压电特性的半导体材料形成。每个纳米线的一端设置在半导体层上并与半导体层形成p?n结。每个纳米线的另一端接触由具有金属?绝缘体转变(MIT)特性的材料形成的该接触层。

    电能产生器
    9.
    发明公开

    公开(公告)号:CN102655206A

    公开(公告)日:2012-09-05

    申请号:CN201210037452.8

    申请日:2012-02-17

    Inventor: 金成珉 车承南

    CPC classification number: H02N2/186 Y02E10/549

    Abstract: 本发明涉及一种电能产生器,包括多个纳米线、半导体层和接触层。多个纳米线由具有压电特性的半导体材料形成。每个纳米线的一端设置在半导体层上并与半导体层形成p-n结。每个纳米线的另一端接触由具有金属-绝缘体转变(MIT)特性的材料形成的该接触层。

Patent Agency Ranking