公开(公告)号：CN101179111B

公开(公告)日：2010-06-23

申请号：CN200710097867.3

申请日：2007-04-20

Applicant: 三星移动显示器株式会社

Inventor： 金钟允 ,  崔炳德

IPC: H01L51/50 ,  H01L51/56 ,  H01L27/32 ,  H01L21/82 ,  H05B33/12 ,  H05B33/10

CPC classification number: H01L27/3272 ,  H01L51/56 ,  H01L2251/566

Abstract: 本发明公开了一种厚度小的有机发光显示器及其制造方法。该有机发光显示器包括：基底；非透射层，形成在基底上；半导体层，形成在非透射层上；栅极绝缘层，形成在半导体层上；栅电极，形成在栅极绝缘层上；层间电介质层，形成在栅电极上；源/漏电极，形成在层间电介质层上；绝缘层，形成在源/漏电极上；有机发光二极管，形成在绝缘层上。

公开(公告)号：CN100583492C

公开(公告)日：2010-01-20

申请号：CN200710097864.X

申请日：2007-04-20

Applicant: 三星移动显示器株式会社

Inventor： 金钟允 ,  崔炳德

IPC: H01L51/50 ,  H01L51/56 ,  H01L27/32 ,  H05B33/12 ,  H05B33/10

CPC classification number: H01L51/56 ,  H01L27/3272 ,  H01L51/003 ,  H01L51/0097 ,  H01L51/5209 ,  H01L2251/5315 ,  H01L2251/566 ,  Y02E10/549

Abstract: 本发明公开了一种有机发光显示器，该有机发光显示器包括：基底；缓冲层，布置在基底上；半导体层，布置在缓冲层上；栅极绝缘层，布置在半导体层上；栅电极，布置在栅极绝缘层上；层间介电层，布置在栅电极上；源/漏电极，布置在层间介电层上；绝缘层，布置在源/漏电极上；非透射层，布置在绝缘层上；有机发光二极管，布置在绝缘层上。

公开(公告)号：CN101192652B

公开(公告)日：2010-06-16

申请号：CN200710097866.9

申请日：2007-04-20

Applicant: 三星移动显示器株式会社

Inventor： 金钟允 ,  崔炳德

IPC: H01L51/50 ,  H01L51/52 ,  H01L51/56 ,  H01L27/32 ,  H05B33/12 ,  H05B33/04 ,  H05B33/10

CPC classification number: H01L51/5246 ,  H01L51/0097 ,  H01L51/56 ,  H01L2251/5338

Abstract: 本发明提供了一种有机发光显示器及其制造方法。该有机发光显示器包括：基底；半导体层，布置在基底上；有机发光二极管，布置在半导体层上；包封物，布置在基底的顶表面周边上，该顶表面周边为半导体层和有机发光二极管的外周边；包封基底，粘结到包封物上；粘结剂，布置在基底的与包封物相对的下表面上。

公开(公告)号：CN101388405B

公开(公告)日：2011-06-15

申请号：CN200810215141.X

申请日：2008-09-03

Applicant: 三星移动显示器株式会社

Inventor： 崔炳德

IPC: H01L27/32 ,  H01L27/15 ,  H01L31/102 ,  H01L21/82

CPC classification number: H01L27/3269 ,  H01L27/15

Abstract: 本发明公开了一种发光显示装置及其制造方法，该发光显示装置包括：位于基底上的发光二极管和薄膜晶体管，发光二极管和薄膜晶体管彼此电连接；位于基底上的光电二极管，光电二极管包括彼此连接的本征区和P型掺杂区。

公开(公告)号：CN101202329B

公开(公告)日：2011-02-16

申请号：CN200710097863.5

申请日：2007-04-20

Applicant: 三星移动显示器株式会社

Inventor： 金钟允 ,  崔炳德

IPC: H01L51/50 ,  H01L51/52 ,  H01L51/56 ,  H01L27/32 ,  H05B33/12 ,  H05B33/04 ,  H05B33/10

CPC classification number: H01L51/5237 ,  H01L51/0097 ,  H01L51/524 ,  H01L51/56 ,  H01L2251/5338

Abstract: 本发明公开了一种有机发光显示器及其制造方法。该有机发光显示器包括：基底；半导体层，形成在基底上；有机发光二极管，形成在半导体层上；密封剂，形成在基底的形成有机发光二极管和半导体层的外周上；包封基底，附于密封剂。

公开(公告)号：CN100511702C

公开(公告)日：2009-07-08

申请号：CN200710092204.2

申请日：2007-03-30

Applicant: 三星移动显示器株式会社

Inventor： 崔大撤 ,  崔炳德 ,  金庆保

IPC: H01L27/32 ,  H05B33/12

CPC classification number: H01L27/3269 ,  H01L27/1446 ,  H01L31/035281 ,  H01L31/03682 ,  H01L31/105 ,  H01L31/153 ,  H01L31/202 ,  Y02E10/546 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明公开了一种具有用于接收蓝波长光的光电二极管的有机发光显示装置。在一个实施例中，有机发光显示装置包括：基底，具有像素区和非像素区；第一缓冲层和第二缓冲层，设置在基底上方；薄膜晶体管(TFT)，设置在第二缓冲层上方；有机发光二极管，设置在像素区中并设置在TFT上方，并与TFT电连接；光电二极管，设置在非像素区中的第二缓冲层上，并适于从外部源接收蓝波长的入射光。第一缓冲层的厚度在700至900的范围内，第二缓冲层的厚度在500至700的范围内。光电二极管包括N型掺杂区、P型掺杂区和宽度在1μm至10μm的范围内的本征区。

公开(公告)号：CN100511607C

公开(公告)日：2009-07-08

申请号：CN200610058671.9

申请日：2006-03-08

Applicant: 三星移动显示器株式会社

Inventor： 崔大撤 ,  崔炳德 ,  任忠烈

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/786

Abstract: 本发明提供了一种薄膜晶体管(TFT)和制造该TFT的方法，其中，简化了制造工艺并且减小了对栅极绝缘层的损坏。制造该TFT的方法包括：在基底上形成至少一个缓冲层；在缓冲层上形成第一半导体层，通过在第一半导体层上沉积用掺杂剂掺杂的半导体来形成第二半导体层；将第二半导体层图案化，形成源区和漏区；在源区和漏区上形成栅极绝缘层；在栅极绝缘层上形成栅极。