公开(公告)号：CN107195264B

公开(公告)日：2019-07-30

申请号：CN201710586621.6

申请日：2017-07-18

Applicant: 京东方科技集团股份有限公司

Inventor： 李东升 ,  吴慧利 ,  孙建明 ,  李士佩 ,  何晓龙

IPC: G09G3/00 ,  G06K9/00

CPC classification number: H01L27/124 ,  G02F1/13306 ,  G02F2001/13312 ,  G06F3/0416 ,  G06K9/0004 ,  G09G2360/148 ,  H01L27/3269 ,  H01L31/105

Abstract: 本发明公开了一种光探测器及其驱动方法、显示面板及显示装置，属于显示技术领域。所述光探测器包括：感光元件、分压模块、开关模块和探测晶体管；该感光元件和分压模块串联在两个电源端之间，探测晶体管的栅极与该感光元件和分压模块之间的第一分压节点连接。因此，当感光元件在光照作用下电阻变小时，第一分压节点的电压相应抬升，该探测晶体管开启，并能够在直流电源端的驱动下，向读取线输出电流，该电流的大小是由第一分压节点的电压大小决定的。由于直流电源端驱动探测晶体管输出的电流较大，探测晶体管自身漏电流对该输出电流的影响可以忽略，从而有效提高了根据该输出电流进行指纹识别时的准确性。

公开(公告)号：CN109686822A

公开(公告)日：2019-04-26

申请号：CN201810657741.5

申请日：2018-06-25

Applicant: 博尔博公司

Inventor： 张剑平 ,  高英 ,  周瓴

IPC: H01L33/14 ,  H01L33/02 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/105

CPC classification number: H01L33/14 ,  H01L31/022408 ,  H01L31/03044 ,  H01L31/03046 ,  H01L31/03048 ,  H01L31/035236 ,  H01L31/1035 ,  H01L33/06 ,  H01L33/145 ,  H01L33/16 ,  H01L33/22 ,  H01L33/32 ,  H01L33/325 ,  H01L33/40 ,  H01L33/46 ,  H01L31/03529 ,  H01L31/105 ,  H01L33/025

Abstract: 一种用于发光器件或者光电探测器的空穴供给和p-接触结构包括p型III族氮化物结构以及在其上形成的空穴供给和p-接触层，所述空穴供给和p-接触层由含Al的III族氮化物制成，并且处于双轴面内张应力应变下，所述空穴供给和p-接触层的厚度在0.6-10nm的范围内，并且所述p型III族氮化物结构形成在发光器件或者光电探测器的有源区上。还提供了一种具有空穴供给和p-接触结构的发光器件和光电探测器。

公开(公告)号：CN109686806A

公开(公告)日：2019-04-26

申请号：CN201811514186.7

申请日：2018-12-11

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 徐云 ,  张林奥 ,  白霖 ,  陈华民 ,  张九双 ,  宋国峰 ,  陈良惠

IPC: H01L31/105 ,  H01L31/0232 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/105 ,  H01L31/0232 ,  H01L31/1844

Abstract: 本发明公开了一种可见光至近红外的单芯片集成的光谱探测器装置及制备方法，其中，该装置包括：外延片，包括上部的N接触层；胶状量子点阵列组成的胶状量子点滤光层，位于N接触层上。其制备方法中，胶状量子点由可以吸收可见光至近红外波段的硫化镉、硒化镉、硫化铅量子点纳米颗粒与对苯二胺混合后溶入高分子聚合物聚乙烯醇缩丁醛氯仿溶液中制成。本发明提供的焦平面器件的优点在于能够将多个不同波段的入射光进行分立同步采集，利用波长复用原理对原始光谱进行重建，同时获取多个波段的目标信息，有效地消除多色探测目标时遇到的干扰，提高对目标的高分辨效果。

公开(公告)号：CN109148636A

公开(公告)日：2019-01-04

申请号：CN201810738268.3

申请日：2018-07-06

Applicant: 上海交通大学

Inventor： 张月蘅 ,  沈文忠 ,  白鹏

IPC: H01L31/107 ,  H01L31/173 ,  H01L31/105 ,  H01L31/0304 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/107 ,  H01L31/03042 ,  H01L31/03046 ,  H01L31/105 ,  H01L31/173 ,  H01L31/1844

Abstract: 本发明提供一种单光子探测器及其制备方法，其中单光子探测器包括光子频率上转换器件和硅单光子雪崩二极管；所述光子频率上转换器件包括近红外探测器、发光二极管和渐变层，所述渐变层位于近红外探测器和发光二极管之间；所述发光二极管的发光侧与所述硅单光子雪崩二极管的受光面相耦接。本发明的上转换单光子探测器探测率高、信噪比好、结构紧凑、制备方便、使用简单，无需复杂的光学光路设计。

公开(公告)号：CN108807588A

公开(公告)日：2018-11-13

申请号：CN201810618714.7

申请日：2018-06-15

Applicant: 杭州国翌科技有限公司

Inventor： 邹泽亚

IPC: H01L31/105 ,  H01L31/115 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/105 ,  H01L31/115 ,  H01L31/1844

Abstract: 本发明提出了一种单片式n‑i‑p‑i‑n型宽光谱光电探测器，包括InP衬底；在InP衬底上形成有第一导电类型的InP作为下接触层；在下接触层之上形成有本征Inx1Ga1‑x1As作为第一吸收层；在第一吸收层之上形成有第二导电类型的InP作为公共接触层；在公共接触层之上形成有晶格适配缓冲层；在晶格适配缓冲层之上形成有本征或者第一导电类的Inx2Ga1‑x2As作为第二吸收层；在第二吸收层之上形成第一导电类型的Inx3Al1‑x3As上接触层。本发明采用双色探测器设计方案，将标准波长响应PIN探测器与延伸波长响应PIN探测器相结合，利用PD1响应1.7μm以下谱段，利用PD2响应1.7‑2.5μm谱段。PD1与PD2共用P电极，形成背入射式的n‑i‑p‑i‑n型器件结构，通过电极偏置的切换实现响应光谱的调制。

公开(公告)号：CN108574020A

公开(公告)日：2018-09-25

申请号：CN201710148803.5

申请日：2017-03-14

Applicant: 孙月静

Inventor： 孙月静

IPC: H01L31/0304 ,  H01L31/105 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/105 ,  H01L31/03048 ,  H01L31/1848

Abstract: 本发明公开了半导体光电探测技术领域的一种PIN结构紫外光电探测器及其制备方法，包括基底，所述基底顶部设有光吸收层所述接触层的顶部左右两端分别设有N电极和P电极，一种PIN结构紫外光电探测器制备方法，该PIN结构紫外光电探测器制备方法具体包括以下步骤：S1：以Al2O3作为衬底；S2：形成n-GaN基底；S4：在i-AlInGaN光吸收层上再生长0.1-0.3μm的掺杂Mg的p-AlInGaN过渡层；S5：以p-GaN作为欧姆接触层，本发明对结构进行优化设计，减少表面光反射率，优化有源层厚度，提高器件的量子效率，从而提高光响应度，其中晶格常数和禁带宽度可独立变化，能够提高与金属接触层的半导体浓度，有利于形成良好的欧姆接触。

公开(公告)号：CN108417647A

公开(公告)日：2018-08-17

申请号：CN201810155602.2

申请日：2018-02-23

Applicant: 湘潭大学

Inventor： 李正 ,  刘曼文

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/105

CPC classification number: H01L31/105 ,  H01L31/022408 ,  H01L31/035281

Abstract: 本发明所采用的技术方案为，一种超快响应的抗辐照三维探测器，包括柱状的半导体基体，半导体基体通过深离子刻蚀得到柱状电极，探测器厚度及电极的厚度均为100μm至200μm，柱状电极的上表面均设有Al金属层，Al金属层与外围读出电路用bonding-bonding技术连接；探测器上表面、柱状电极之间的部分覆盖有1μm的绝缘体层，探测器的底部覆盖有1μm的绝缘体层。本发明探测器的电极宽度为5μm，电极间距为5-10μm，使得探测器的电荷收集性能更加优越。强辐照情况下，因半导体的晶格损伤形成缺陷，直接降低电子和空穴的有效漂移长度。

公开(公告)号：CN105374889B

公开(公告)日：2018-07-13

申请号：CN201510492805.7

申请日：2015-08-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵根煐 ,  池皓哲

IPC: H01L31/0232 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/105 ,  H01L27/146 ,  G02B6/124 ,  G02B6/42

CPC classification number: H01L31/02327 ,  G02B6/124 ,  G02B6/42 ,  G02B6/4206 ,  G02B6/4209 ,  H01L27/14607 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/14629 ,  H01L31/02161 ,  H01L31/035281 ,  H01L31/105

Abstract: 一种光电转换器件包括：基板，具有第一表面和第二表面，第二表面是第一表面的相反面，其中第一和第二表面的其中之一是光入射面；光电二极管(PD)，形成在基板的第一表面中；反射层，形成在基板的第一和第二表面的另一个上，第一和第二表面的所述另一个是光入射面的相反面；以及微透镜，形成在基板的光入射面上。

公开(公告)号：CN108140656A

公开(公告)日：2018-06-08

申请号：CN201680056263.1

申请日：2016-08-26

Applicant: 奥特逻科集团 ,  奥特逻科公司

Inventor： 刘汉鼎 ,  那允中 ,  郑斯璘 ,  陈书履 ,  陈慧文 ,  梁哲夫

IPC: H01L27/146 ,  G01J1/02 ,  H01L31/10 ,  H04N5/369

CPC classification number: H01L27/14647 ,  H01L27/1443 ,  H01L27/14652 ,  H01L31/028 ,  H01L31/035281 ,  H01L31/1013 ,  H01L31/103 ,  H01L31/105 ,  H02S40/44

Abstract: 本发明题为“宽频谱光学传感器”。本发明公开了一种光学传感器，该光学传感器包括半导体基板；形成在半导体基板中的第一光吸收区，该第一光吸收区被配置用于吸收第一波长范围内的光子并由所吸收的光子产生光载流子；形成在第一光吸收区上的第二光吸收区，所述第二光吸收区被配置用于吸收第二波长范围内的光子并由所吸收的光子产生光载流子；以及耦合到第二光吸收区的传感器控制信号，所述传感器控制信号被配置用于提供至少第一控制电平和第二控制电平。

公开(公告)号：CN108028258A

公开(公告)日：2018-05-11

申请号：CN201680051058.6

申请日：2016-08-04

Applicant: 奥特逻科集团 ,  奥特逻科公司

Inventor： 刘汉鼎 ,  那允中 ,  郑斯璘 ,  陈书履 ,  陈慧文 ,  梁哲夫

IPC: H01L27/146 ,  G01J1/02 ,  H01L31/10 ,  H04N5/369

CPC classification number: H01L27/14605 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/1463 ,  H01L27/14632 ,  H01L27/14634 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/14645 ,  H01L27/14649 ,  H01L27/1465 ,  H01L27/14685 ,  H01L27/14687 ,  H01L27/14689 ,  H01L27/1469 ,  H01L27/14698 ,  H01L31/02327 ,  H01L31/0312 ,  H01L31/09 ,  H01L31/105 ,  H01L31/1812 ,  H01L31/1876 ,  H01L31/1892

Abstract: 本发明题为“锗硅感光设备”。本发明公开了一种图像传感器阵列，所述图像传感器阵列包括：载体基板；第一组光电二极管，所述第一组光电二极管耦合到所述载体基板，其中所述第一组光电二极管包括第一光电二极管，其中所述第一光电二极管包括半导体层，所述半导体层被配置用于吸收处于可见波长的光子并从所吸收的光子生成光载流子；和第二组光电二极管，所述第二组光电二极管耦合到所述载体基板，其中所述第二组光电二极管包括第二光电二极管，其中所述第二光电二极管包括装配在所述半导体层上的锗硅区，所述锗硅区被配置用于吸收处于红外或近红外波长的光子并从所吸收的光子生成光载流子。