有机发光显示设备及其制造方法

    公开(公告)号:CN102420207A

    公开(公告)日:2012-04-18

    申请号:CN201110286689.5

    申请日:2011-09-23

    Inventor: 文相皓 康起宁

    Abstract: 本发明提供一种有机发光显示设备及其制造方法。所述有机发光显示设备包括:薄膜晶体管(TFT),包括有源层、具有栅底电极和栅顶电极的栅电极、源电极和漏电极;有机电致发光(EL)器件,电连接至所述TFT,并且包括位于与所述栅底电极相同的层处且具有与所述栅底电极相同的材料的像素电极、包括发射层的中间层以及对电极的堆叠;第一焊盘电极,位于与所述栅底电极相同的层处且包括与所述栅底电极相同的材料;以及第二焊盘电极,包括位于与所述栅底电极相同的层处且包括与所述栅底电极相同的材料的第二焊盘底电极,和位于与所述栅顶电极相同的层处且具有与所述栅顶电极相同的材料的第二焊盘顶电极。

    有机发光显示装置及其制造方法

    公开(公告)号:CN101958339A

    公开(公告)日:2011-01-26

    申请号:CN201010112804.2

    申请日:2010-02-04

    CPC classification number: H01L27/12 H01L27/1225 H01L27/1251

    Abstract: 本发明涉及有机发光显示器及其制造方法。该有机发光显示器包括:彼此交叉的数据线和扫描线;用于将扫描信号供给所述扫描线的扫描驱动单元;用于将数据信号供给所述数据线的数据驱动单元;以及被限定在所述数据线和所述扫描线的交叉点处的像素,每个像素具有有机发光二极管、具有倒置交错式顶栅结构并连接至所述有机发光二极管的第一TFT、以及具有倒置交错式底栅结构并被配置为从所述扫描线接收扫描信号的第二TFT,所述第一TFT包括半导体氧化物作为有源层,所述第二TFT包括半导体氧化物作为有源层。

    有机发光显示装置及其制造方法

    公开(公告)号:CN101958339B

    公开(公告)日:2012-11-07

    申请号:CN201010112804.2

    申请日:2010-02-04

    CPC classification number: H01L27/12 H01L27/1225 H01L27/1251

    Abstract: 本发明涉及有机发光显示器及其制造方法。该有机发光显示器包括:彼此交叉的数据线和扫描线;用于将扫描信号供给所述扫描线的扫描驱动单元;用于将数据信号供给所述数据线的数据驱动单元;以及被限定在所述数据线和所述扫描线的交叉点处的像素,每个像素具有有机发光二极管、具有倒置交错式顶栅结构并连接至所述有机发光二极管的第一TFT、以及具有倒置交错式底栅结构并被配置为从所述扫描线接收扫描信号的第二TFT,所述第一TFT包括半导体氧化物作为有源层,所述第二TFT包括半导体氧化物作为有源层。

    有机电致发光显示装置

    公开(公告)号:CN102646390A

    公开(公告)日:2012-08-22

    申请号:CN201110397071.6

    申请日:2011-12-02

    CPC classification number: H01L27/124 H01L27/3211 H01L27/3262 H01L27/3276

    Abstract: 一种有机电致发光显示装置,包括多条扫描线和与所述扫描线交叉的多条数据线、位于由所述扫描线和所述数据线限定的区域处的多个像素以及用于选择性施加电压到所述像素中的每一个的一个或多个薄膜晶体管(TFT),其中所述数据线连续位于所述像素的一侧,并且所述TFT中的第一TFT至少部分位于与所述数据线中的第n数据线相对应的区域和与所述数据线中的第n-1数据线相对应的区域之间,所述第n数据线和所述第n-1数据线连续放置。

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