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公开(公告)号:CN102593144A
公开(公告)日:2012-07-18
申请号:CN201110243903.9
申请日:2011-08-24
Applicant: 三星移动显示器株式会社
CPC classification number: H01L27/1288 , H01L29/66757 , H01L51/5215 , H01L2227/323
Abstract: 本发明公开了一种制造底部发射型有机发光显示装置的方法,所述方法包括:在具有晶体管区域和电容器区域的基底上形成硅层和栅极绝缘膜;在基底上形成半色调光致抗蚀剂;将硅层和栅极绝缘膜图案化;通过使半色调光致抗蚀剂经历灰化工艺以在晶体管区域上方留下一部分半色调光致抗蚀剂,来形成残留的光致抗蚀剂;通过在基底的整个区域上方施加杂质来用杂质掺杂硅层的至少一部分。
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公开(公告)号:CN102544386A
公开(公告)日:2012-07-04
申请号:CN201110361923.6
申请日:2011-11-15
Applicant: 三星移动显示器株式会社
CPC classification number: H01L27/3276 , H01L27/3297 , H01L2227/323
Abstract: 本发明公开一种有机发光显示设备及其制造方法。该有机发光显示设备,包括:薄膜晶体管,包括有源层、包括栅下电极和栅上电极的栅电极、源电极以及漏电极;以及有机发光器件,电连接至所述薄膜晶体管。由与所述栅下电极相同的材料形成在同一层中的像素电极、包括发光层的中间层以及对电极被顺序沉积。第一焊盘电极由与所述栅下电极相同的材料形成在同一层中,第二焊盘电极形成在所述第一焊盘电极的至少一部分上,并且由与所述栅上电极相同的材料形成在同一层中,并且第三焊盘电极接触所述第二焊盘电极的至少一部分并且由与所述源电极相同的材料形成在同一层中。
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公开(公告)号:CN102136488A
公开(公告)日:2011-07-27
申请号:CN201010573443.1
申请日:2010-11-29
Applicant: 三星移动显示器株式会社
IPC: H01L27/32 , H01L29/786 , H01L21/77
CPC classification number: H01L29/66742 , H01L21/02595 , H01L21/8234 , H01L27/12 , H01L27/1218 , H01L27/1251 , H01L27/1277 , H01L27/1281 , H01L27/1285 , H01L27/3262 , H01L2227/323
Abstract: 本发明提供了一种有机发光二极管(OLED)显示器及其制造方法,所述OLED显示器包括:基底主体;绝缘层图案,形成在所述基底主体上,并包括第一厚度层和比所述第一厚度层薄的第二厚度层;金属催化剂,分散在所述绝缘层图案的第一厚度层上;多晶半导体层,形成在所述绝缘层图案上,并分为第一晶体区域和第二晶体区域,所述第一晶体区域与所述第一厚度层对应并与所述第二厚度层的与所述第一厚度层相邻的一部分对应,所述第二晶体区域与所述第二厚度层的剩余部分对应。所述多晶半导体层的第一晶体区域是通过所述金属催化剂结晶的,所述多晶半导体层的第二晶体区域通过固相结晶形成。
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公开(公告)号:CN102280445A
公开(公告)日:2011-12-14
申请号:CN201110122884.4
申请日:2011-05-05
Applicant: 三星移动显示器株式会社
CPC classification number: H01L27/1288 , H01L27/1248 , H01L27/3246 , H01L27/3248 , H01L2227/323
Abstract: 本发明提供一种显示装置及其制造方法。所述显示装置包括:基板;半导体层,形成在基板上;有机绝缘层,形成在半导体层上;多条导线,形成在有机绝缘层上。有机绝缘层具有开口槽,所述开口槽形成在所述多条导线之间。
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公开(公告)号:CN102420207A
公开(公告)日:2012-04-18
申请号:CN201110286689.5
申请日:2011-09-23
Applicant: 三星移动显示器株式会社
IPC: H01L23/498 , H01L27/32 , H01L21/48 , H01L51/56
CPC classification number: H01L27/3262 , H01L24/05 , H01L27/3258 , H01L51/5231 , H01L2224/05552 , H01L2224/05556 , H01L2924/15788 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种有机发光显示设备及其制造方法。所述有机发光显示设备包括:薄膜晶体管(TFT),包括有源层、具有栅底电极和栅顶电极的栅电极、源电极和漏电极;有机电致发光(EL)器件,电连接至所述TFT,并且包括位于与所述栅底电极相同的层处且具有与所述栅底电极相同的材料的像素电极、包括发射层的中间层以及对电极的堆叠;第一焊盘电极,位于与所述栅底电极相同的层处且包括与所述栅底电极相同的材料;以及第二焊盘电极,包括位于与所述栅底电极相同的层处且包括与所述栅底电极相同的材料的第二焊盘底电极,和位于与所述栅顶电极相同的层处且具有与所述栅顶电极相同的材料的第二焊盘顶电极。
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公开(公告)号:CN102214677A
公开(公告)日:2011-10-12
申请号:CN201110094630.6
申请日:2011-04-07
Applicant: 三星移动显示器株式会社
IPC: H01L29/06 , H01L29/786 , H01L27/32
CPC classification number: H01L29/41733 , H01L21/26513 , H01L27/1214 , H01L27/3262 , H01L29/66765
Abstract: 描述的技术总体涉及一种薄膜晶体管和一种包括该薄膜晶体管的显示装置,该薄膜晶体管包括栅电极、半导体层和源/漏电极,其中,源/漏电极设置在形成有半导体层的区域的范围内。因此,当前实施例可以提供这样一种薄膜晶体管,在该薄膜晶体管中,因为阈值电压的变化量小,所以可靠性优异。
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公开(公告)号:CN102074569A
公开(公告)日:2011-05-25
申请号:CN201010542442.0
申请日:2010-11-10
Applicant: 三星移动显示器株式会社
IPC: H01L27/32 , G09G3/32 , H01L29/786 , H01L21/77
CPC classification number: H01L51/56 , H01L27/1214 , H01L27/1251 , H01L27/1274 , H01L27/3262 , H01L2227/323
Abstract: 本发明公开了一种有机发光二极管(OLED)显示装置及其制造方法。所述OLED显示装置包括多条扫描线、多条数据线和设置在扫描线与数据线交叉的区域中的多个像素,其中,多个像素中的每个像素包括:开关晶体管,包括第一栅电极、设置在第一栅电极上方的第一半导体层、设置在第一栅电极和第一半导体层之间的第一栅极绝缘层、以及第一源电极和第一漏电极;驱动晶体管,包括第二半导体层、设置在第二半导体层上方的第二栅电极、设置在第二栅电极和第二半导体层之间的第二栅极绝缘层、以及第二源电极和第二漏电极;有机发光二极管,与驱动晶体管的第二源电极和第二漏电极中的一个电极电连接,其中,第一半导体层和第二半导体层由相同的材料通过同一工艺形成。
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公开(公告)号:CN102456708A
公开(公告)日:2012-05-16
申请号:CN201110291090.0
申请日:2011-09-23
Applicant: 三星移动显示器株式会社
CPC classification number: H01L51/56 , H01L27/1255 , H01L27/1288 , H01L27/3262 , H01L27/3265
Abstract: 本发明公开了一种有机发光二极管显示器及其制造方法。所述有机发光二极管显示器包括:第一多晶硅层图案,位于基底上并且具有第一栅电极、第二栅电极和第一电容器电极;栅极绝缘层图案;第二多晶硅层图案,包括第一有源层、第二有源层和电容器多晶硅哑层;第三非晶硅层图案,包括位于第一有源层的预定区域上的第一源极抵抗接触层和第一漏极抵抗接触层、位于第二有源层的预定区域上的第二源极抵抗接触层和第二漏极抵抗接触层以及位于电容器多晶硅哑层上的电容器非晶哑层;数据金属层图案,包括第一源电极、第一漏电极、第二源电极、第二漏电极和第二电容器电极。
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公开(公告)号:CN102456705A
公开(公告)日:2012-05-16
申请号:CN201110050250.2
申请日:2011-02-28
Applicant: 三星移动显示器株式会社
CPC classification number: H01L27/3262 , H01L27/1255 , H01L27/1288 , H01L27/3265 , H01L29/4908 , H01L51/5265
Abstract: 本发明提供有机发光显示装置,包括:缓冲层,设置于基板上,并包括折射率不同的多个绝缘膜,所述多个绝缘膜中的至少一个在同一面上形成为不同的厚度;薄膜晶体管的活性层,形成于所述缓冲层的厚度较厚的区域;像素电极,形成于所述缓冲层的厚度较薄的区域;薄膜晶体管的栅电极、源电极以及漏电极,所述栅电极隔着栅绝缘膜形成于所述活性层上,所述薄膜晶体管的源电极以及漏电极连接至所述活性层;发光层,形成于所述像素电极上;以及相对电极,隔着所述发光层与所述像素电极相对地设置。
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