公开(公告)号：CN100481511C

公开(公告)日：2009-04-22

申请号：CN200510073821.9

申请日：2005-05-24

Applicant: 三星移动显示器株式会社

Inventor： 金昌树 ,  姜泰旭 ,  郑仓龙 ,  吴栽荣 ,  朴商一 ,  徐诚模

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L27/12 ,  G02F1/136 ,  H01L51/50

CPC classification number: H01L29/78603 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/3262 ,  H01L51/5284

Abstract: 本发明涉及一种具有双缓冲结构的TFT、一种制造该TFT的方法、一种具有该TFT的平板显示器和制造该显示器的方法。TFT包括：第一缓冲层，包含设置于衬底上的非晶硅；和第二缓冲层，设置于第一缓冲层上。TFT还包括：半导体层，设置于第二缓冲层上；和栅电极，设置于半导体层上。双缓冲结构对从衬底扩散的杂质提供更好的阻挡，且还作为黑底以减少不需要的反射，且是氢源以钝化其它层。