公开(公告)号：CN1725911B

公开(公告)日：2010-05-05

申请号：CN200510079545.7

申请日：2005-06-23

Applicant: 三星移动显示器株式会社

Inventor： 姜泰旭 ,  金昌树 ,  郑仓龙

IPC: H05B33/02 ,  H05B33/04

CPC classification number: H01L51/524

Abstract: 一种平板显示装置，包括：其上形成有一发光装置的一基板；形成在所述基板上的一密封基板；以及形成在所述密封基板上以保护所述发光装置的一保护板。所述保护板的内表面上形成多个槽，以增加保护板的弯曲阻抗，分散施加到平板显示器的载荷力，并且减少形成在平板显示器中的发光装置由于载荷而损坏的可能性。

公开(公告)号：CN100481512C

公开(公告)日：2009-04-22

申请号：CN200510079257.1

申请日：2005-05-24

Applicant: 三星移动显示器株式会社

Inventor： 姜泰旭 ,  郑仓龙 ,  金昌树 ,  徐昌秀 ,  朴汶熙

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L21/30 ,  H01L21/306 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/768 ,  H01L21/8234 ,  H01L23/52

Abstract: 公开一种半导体器件及制造方法，当形成半导体层及源和漏电极的接触孔、正电极以源和漏电极的通孔、金属互连线间的通孔或通孔接触孔时，使用高腐蚀速率和高选择性干法腐蚀的至少一种进行干法腐蚀且在最终腐蚀处理中进行湿法腐蚀，可形成具不同圆锥角的多种轮廓的接触孔、通孔或通孔接触孔，且湿法干法处理时可完全去除腐蚀产生的残渣，由此可使接触孔、通孔和通孔接触孔具有优良接触特性。半导体器件包括：衬底；在衬底上形成并具有半导体层、栅绝缘层、栅电极和层间电介质的薄膜晶体管；及穿透栅绝缘层和层间电介质并暴露半导体层表面且具有多种轮廓的接触孔，接触孔上部分具有湿法腐蚀轮廓且下部分具有湿法和干法腐蚀轮廓的至少一种。

公开(公告)号：CN100531488C

公开(公告)日：2009-08-19

申请号：CN200510089643.9

申请日：2005-06-25

Applicant: 三星移动显示器株式会社

Inventor： 姜泰旭 ,  金昌树 ,  郑仓龙

IPC: H05B33/08 ,  H05B33/12

CPC classification number: H01L27/3276 ,  G09G3/32 ,  G09G2300/0439 ,  G09G2300/0809 ,  G09G2330/08

Abstract: 提供了一种有源矩阵电致发光显示装置，其中可以基本上避免相邻的子像素中的电源线和数据线之间的短路。该有源矩阵电致发光显示装置包括：电源线；设置在电源线的一侧并电连接到电源线的第一晶体管；设置在电源线的另一侧并电连接到电源线的第二晶体管；以及分别电连接到第一晶体管和第二晶体管的电致发光器件。

公开(公告)号：CN100504998C

公开(公告)日：2009-06-24

申请号：CN200510070998.3

申请日：2005-05-19

Applicant: 三星移动显示器株式会社

Inventor： 郑仓龙 ,  姜泰旭

IPC: G09G3/30 ,  H01L51/50 ,  H05B33/08

CPC classification number: G09G3/3225 ,  G09G2300/0426 ,  G09G2300/0439 ,  G09G2300/0465 ,  G09G2320/0233

Abstract: 本发明提供了一种具有显示区的平面显示装置，其中包括不止一个薄膜晶体管和不止一个像素。该装置包括提供驱动电源到显示区的驱动线，以及与驱动线连接并形成在与驱动线不同的层中的辅助驱动线。驱动线可以位于与显示区的源/漏电极相同的层。

公开(公告)号：CN100481511C

公开(公告)日：2009-04-22

申请号：CN200510073821.9

申请日：2005-05-24

Applicant: 三星移动显示器株式会社

Inventor： 金昌树 ,  姜泰旭 ,  郑仓龙 ,  吴栽荣 ,  朴商一 ,  徐诚模

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L27/12 ,  G02F1/136 ,  H01L51/50

CPC classification number: H01L29/78603 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/3262 ,  H01L51/5284

Abstract: 本发明涉及一种具有双缓冲结构的TFT、一种制造该TFT的方法、一种具有该TFT的平板显示器和制造该显示器的方法。TFT包括：第一缓冲层，包含设置于衬底上的非晶硅；和第二缓冲层，设置于第一缓冲层上。TFT还包括：半导体层，设置于第二缓冲层上；和栅电极，设置于半导体层上。双缓冲结构对从衬底扩散的杂质提供更好的阻挡，且还作为黑底以减少不需要的反射，且是氢源以钝化其它层。

公开(公告)号：CN1708194B

公开(公告)日：2010-05-05

申请号：CN200510078873.5

申请日：2005-06-06

Applicant: 三星移动显示器株式会社

Inventor： 郑仓龙 ,  姜泰旭 ,  金昌树 ,  曹洧诚

IPC: H01L27/32 ,  H01L51/50 ,  H01L51/56

Abstract: 提供一种电致发光(EL)显示器件和制造它的方法。该器件包括：一基板；多个置于基板上的像素电极；一置于像素电极上并具有露出每一像素电极预定部分的开口部分的像素限定层；和至少一个包括在像素限定层里和/或上的阻挡层。在该器件里，像素限定层包括至少一个阻挡层以便减少来自像素限定层的脱气量并防止由于脱气导致的发光部分老化。此外，像素限定层形成为具有足够小的厚度以便于使用激光感应热成像(LITI)工艺的后续处理。