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公开(公告)号:CN102420254A
公开(公告)日:2012-04-18
申请号:CN201110237591.0
申请日:2011-08-18
Applicant: 三星移动显示器株式会社
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L27/0705 , H01L29/42384 , H01L29/78669 , H01L29/78678
Abstract: 本申请公开了一种薄膜带电体传感器及显示设备。用于基于带电体的电场而检测带电体的接触和/或非接触移动的薄膜带电体传感器。所述薄膜带电体传感器可以包括:基板;位于所述基板上的第一薄膜晶体管单元,包括栅极层、与所述栅极层绝缘的有源层,以及与所述栅极层绝缘并连接至所述有源层的源/漏极层;以及位于所述基板上的薄膜触角单元,包括电连接至所述栅极层且具有导电材料的第一膜,所述薄膜触角单元适于响应于带电体的电场而产生输入电流。
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公开(公告)号:CN102222772A
公开(公告)日:2011-10-19
申请号:CN201110079108.0
申请日:2011-03-25
Applicant: 三星移动显示器株式会社
CPC classification number: H01L51/5215 , H01L51/5088
Abstract: 一种有机发光装置,包括:阳极;包括氧化物半导体并形成在所述阳极上的空穴充入层(HCL);形成在所述HCL上的至少一个有机层;和形成在所述有机层上的阴极。所述HCL可为包括铟(In)、镓(Ga)和锌(Zn)的氧化物半导体,或包括In、Zn和铪(Hf)的氧化物半导体。
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公开(公告)号:CN102347369A
公开(公告)日:2012-02-08
申请号:CN201110215219.X
申请日:2011-07-25
Applicant: 三星移动显示器株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/7869 , G06F3/0412 , G06F3/044 , G06F2203/04111 , H01L29/41733 , H01L29/42384
Abstract: 本发明涉及薄膜晶体管传感器、其制造方法及薄膜晶体管传感器阵列。根据本发明的方面,提供了一种薄膜晶体管(TFT)传感器,包括:在基板上的底栅电极;在所述底栅电极上的绝缘层;在所述绝缘层上的成环形的有源层,所述有源层包括由带电体产生的电流所流过的沟道;在所述有源层上的蚀刻阻止层,所述蚀刻阻止层包括第一接触孔和第二接触孔;以及掩埋所述第一接触孔和第二接触孔的源电极和漏电极,所述源电极和所述漏电极彼此面对地布置在所述蚀刻阻止层上。
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公开(公告)号:CN102386203A
公开(公告)日:2012-03-21
申请号:CN201110039251.7
申请日:2011-02-15
Applicant: 三星移动显示器株式会社
CPC classification number: H01L27/3227
Abstract: 本发明提供有机发光显示装置,包括:基板;下部活性层,设置于所述基板上,含有通过光生成电流的氧化物半导体;防止蚀刻层,设置于所述下部活性层的上部,包括接触孔;源电极以及漏电极,形成于所述防止蚀刻层上,通过所述接触孔电连接于所述下部活性层;上部充电电极,与所述下部活性层重叠地设置于所述防止蚀刻层上;发光层,与所述上部充电电极接触形成,产生光;以及阴电极,隔着所述发光层,与所述上部充电电极相对地设置,与所述上部充电电极一同驱动所述发光层,其中,所述上部充电电极施加驱动所述发光层的驱动电压,将通过所述驱动电压而在所述氧化物半导体生成的电流,充电至所述下部活性层。
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公开(公告)号:CN102082166A
公开(公告)日:2011-06-01
申请号:CN201010567103.8
申请日:2010-11-26
Applicant: 三星移动显示器株式会社
IPC: H01L27/32 , H01L29/786 , H01L51/50 , H01L51/52
CPC classification number: H01L27/3272 , H01L27/1225 , H01L27/3246 , H01L29/78633 , H01L29/7869
Abstract: 本发明公开了一种包括薄膜晶体管(TFT)的有机发光显示装置。在一个实施例中,有机发光显示装置包括薄膜晶体管(TFT)和电连接到TFT的有机发光装置。所述显示装置还包括挡光部件,挡光部件形成为直接在TFT的至少一部分之上并被构造为防止从有机发光装置发射的光进入TFT的部分。
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