公开(公告)号：CN105845737B

公开(公告)日：2019-07-02

申请号：CN201610327734.X

申请日：2016-05-17

申请人： 京东方科技集团股份有限公司 ,  北京京东方显示技术有限公司

发明人： 白金超 ,  郭会斌 ,  丁向前 ,  王静

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L29/417 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L27/12

CPC分类号： H01L29/78696 ,  H01L21/223 ,  H01L27/1229 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1288 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/78669 ,  H01L29/78678

摘要： 本发明公开一种薄膜晶体管及其制造方法、阵列基板、显示装置，属于显示技术领域。薄膜晶体管包括：衬底基板，衬底基板上形成有栅极；形成有栅极的衬底基板上形成有栅绝缘层；形成有栅绝缘层的衬底基板上形成有有源层和源漏极金属图案，有源层包括多晶硅图案和位于多晶硅图案上的非晶硅图案；其中，源漏极金属图案包括源极和漏极，源极分别与多晶硅图案和非晶硅图案接触，漏极分别与多晶硅图案和非晶硅图案接触。本发明解决了薄膜晶体管的开态电流较小，充电率较低的问题，达到了增大薄膜晶体管的开态电流，提高充电率的效果。本发明用于阵列基板。

公开(公告)号：CN108447775A

公开(公告)日：2018-08-24

申请号：CN201810285306.4

申请日：2010-02-10

申请人： 株式会社半导体能源研究所

发明人： 今藤敏和 ,  岸田英幸

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/477 ,  H01L27/12 ,  H01L29/24 ,  H01L29/45 ,  H01L29/49 ,  H01L29/786

CPC分类号： H01L27/1225 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02614 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/477 ,  H01L27/1222 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/1255 ,  H01L27/1259 ,  H01L27/3248 ,  H01L27/3262 ,  H01L29/24 ,  H01L29/45 ,  H01L29/458 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/78663 ,  H01L29/78678 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78693

摘要： 本发明的目的之一在于防止薄膜晶体管的截止电流的增加或阈值电压的负向漂移。在薄膜晶体管中，在源电极层及漏电极层与氧化物半导体层之间设置有缓冲层。缓冲层在氧化物半导体层的中央部上具有作为绝缘体或半导体的金属氧化物层。金属氧化物层用作抑制杂质侵入到氧化物半导体层的保护层。因此，可以防止薄膜晶体管的截止电流的增加或阈值电压的负向偏移。

公开(公告)号：CN104538456B

公开(公告)日：2018-07-17

申请号：CN201410856640.2

申请日：2014-12-31

申请人： 深圳市华星光电技术有限公司

发明人： 陈秋权

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L29/423 ,  H01L27/12

CPC分类号： H01L29/78678 ,  G09G3/3614 ,  G09G3/3677 ,  G09G3/3696 ,  G09G2300/0417 ,  G09G2300/0876 ,  G09G2310/0205 ,  G09G2310/08 ,  G09G2320/0214 ,  H01L27/1222 ,  H01L27/124 ,  H01L29/42356 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/786 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/78633 ,  H01L29/78648 ,  H01L29/78672 ,  H01L29/78696

摘要： 本发明公开了一种低温多晶硅薄膜晶体管及薄膜晶体管基板，该低温多晶硅薄膜晶体管包括：基底；第一栅极，设置在基底上；多晶硅层，设置在基底上并覆盖第一栅极，其中，多晶硅层包括源极区域、漏极区域以及形成在源极区域与漏极区域之间的沟道区域；第二栅极，设置在多晶硅层上；其中，低温多晶硅薄膜晶体管在驱动时，第一栅极与第二栅极分别施加极性相反的第一电压和第二电压。通过上述方式，本发明能够降低回踢电压，提升TFT效能。

公开(公告)号：CN105355590B

公开(公告)日：2018-04-20

申请号：CN201510658689.1

申请日：2015-10-12

申请人： 武汉华星光电技术有限公司

发明人： 刘元甫

IPC分类号： H01L21/77 ,  H01L27/12 ,  H01L29/423

CPC分类号： H01L27/1222 ,  H01L27/127 ,  H01L27/323 ,  H01L27/3272 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78621 ,  H01L29/78633 ,  H01L29/78648 ,  H01L29/78678 ,  H01L29/78696 ,  H01L51/0023 ,  H01L51/102

摘要： 本发明公开一种阵列基板及其制作方法。阵列基板包含透明基板、缓冲层、第一/二栅极图案、透明绝缘层、第一/二多晶硅图案。缓冲层形成在透明基板的第一表面上且位在第一/二部分上。第一/二栅极图案形成在缓冲层上且分别位在第一/二部分上。透明绝缘层覆盖第一/第二栅极图案及缓冲层。第一/二多晶硅图案形成在透明绝缘层上，且具有相邻的第一/二区域及相邻的第三/四区域，其中第二区域为一第一轻掺杂多晶硅区域，及第四区域为第二轻掺杂多晶硅区域；第一区域与第一栅极图案具有相同的第一图案化形状；及第三区域与第二栅极图案具有相同的第二图案化形状。本发明阵列基板的工艺流程简单、低制作成本且具有高产品良率。

公开(公告)号：CN107887397A

公开(公告)日：2018-04-06

申请号：CN201710889328.7

申请日：2017-09-27

申请人： 乐金显示有限公司

发明人： 金昌垠 ,  白贞恩 ,  张勇均 ,  金成真

IPC分类号： H01L27/12 ,  H01L27/32

CPC分类号： H01L29/105 ,  G02F1/1368 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/283 ,  H01L27/3274 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/227 ,  H01L29/24 ,  H01L29/78669 ,  H01L29/78678 ,  H01L29/78681 ,  H01L29/78684 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696 ,  H01L51/0562 ,  H01L27/1222 ,  H01L27/3262

摘要： 公开了用于薄膜晶体管的阵列基板及其显示装置。薄膜晶体管阵列基板包括：基板；位于所述基板上的栅极；包括第一有源层和第二有源层的有源层，所述第一有源层与所述栅极相对并且与所述栅极相邻并包括半导体材料和多个碳的同素异形体，所述第二有源层与所述第一有源层接触并包括半导体材料；位于所述栅极和所述有源层之间的栅极绝缘膜；以及分别与所述有源层接触的源极和漏极。

公开(公告)号：CN105390451B

公开(公告)日：2018-03-30

申请号：CN201510885433.4

申请日：2015-12-03

申请人： 深圳市华星光电技术有限公司

发明人： 李松杉

IPC分类号： H01L21/84 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L27/1274 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02592 ,  H01L21/02675 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/266 ,  H01L21/3003 ,  H01L27/1222 ,  H01L27/1288 ,  H01L29/0607 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/458 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/78621 ,  H01L29/78645 ,  H01L29/78648 ,  H01L29/78675 ,  H01L29/78678

摘要： 本发明提供一种低温多晶硅TFT基板的制作方法，在多晶硅层两侧形成N型重掺杂区域后，依次形成第一栅极绝缘层、第一栅极、第二栅极绝缘层、第二栅极，且第二栅极的宽度大于第一栅极的宽度，以制作出多晶硅层中的低电场区域，从而起到减小漏电流的作用；或者先形成第一栅极、第一栅极绝缘层，在第一栅极绝缘层上形成多晶硅层及N型重掺杂区域，再形成第二栅极绝缘层、第二栅极，且第二栅极绝缘层的厚度大于第一栅极绝缘层的厚度，第二栅极的宽度大于第一栅极的宽度，以使得第二栅极超出第一栅极的部分和多晶硅层夹杂的第二栅极绝缘层的厚度较厚，产生的电场较小，从而起到减小漏电流的作用；简化了工艺流程，降低了生产成本。

公开(公告)号：CN107479125A

公开(公告)日：2017-12-15

申请号：CN201710431512.7

申请日：2017-06-06

申请人： 三星显示有限公司

发明人： 郭恩爱 ,  康珉赫 ,  赵国来

IPC分类号： G02B5/30 ,  G03F7/00

CPC分类号： B05D3/007 ,  B05D1/005 ,  B05D3/12 ,  G02B5/3058 ,  G02F1/133528 ,  G02F1/1368 ,  G02F2001/133548 ,  H01L27/1222 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78633 ,  H01L29/78678 ,  G03F7/0002

摘要： 提供了一种形成精细图案的方法，所述方法包括以下步骤：在基体部上形成导电层；在导电层上形成包括粘附材料的牺牲层，粘附材料包括邻苯二酚基；在牺牲层上形成抗蚀图案；以及通过使用抗蚀图案作为掩模使导电层图案化来形成精细图案。

公开(公告)号：CN107408759A

公开(公告)日：2017-11-28

申请号：CN201680012918.5

申请日：2016-10-25

申请人： 夏普株式会社

发明人： 中泽淳 ,  大类贵俊 ,  中村涉 ,  大竹忠 ,  中野文树 ,  箕浦洁

IPC分类号： H01Q3/34 ,  G02F1/13 ,  H01Q3/44 ,  H01Q13/22 ,  H01Q21/06

CPC分类号： H01Q1/243 ,  G02F1/1313 ,  G02F1/13394 ,  G02F1/1362 ,  G02F1/136213 ,  G02F1/292 ,  G02F2202/42 ,  G02F2203/62 ,  H01L23/66 ,  H01L27/1218 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1262 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78669 ,  H01L29/78678 ,  H01L29/7869 ,  H01L2223/6677 ,  H01Q1/125 ,  H01Q1/364 ,  H01Q3/242 ,  H01Q3/34 ,  H01Q3/44 ,  H01Q3/46 ,  H01Q13/10 ,  H01Q13/22 ,  H01Q21/06

摘要： 扫描天线(1000)排列有天线单位(U)，具有：TFT基板(101)，其具有第1电介质基板(1)、TFT、栅极总线、源极总线以及贴片电极(15)；缝隙基板(201)，其具有第2电介质基板(51)和缝隙电极(55)；液晶层(LC)，其设置于TFT基板与缝隙基板之间；以及反射导电板(65)。缝隙电极具有与贴片电极分别对应配置的缝隙(57)。在从第1电介质基板的法线方向观看时，若将离缝隙的边缘的距离为0.3mm处以内的区域设为第1区域(Rp1)，将离贴片电极的边缘的距离为0.3mm处以内的区域设为第2区域(Rp2)，则设置在TFT基板与缝隙基板之间的多个间隔物结构体(75)配置为不与第1区域和/或第2区域重叠。

公开(公告)号：CN107369718A

公开(公告)日：2017-11-21

申请号：CN201710669995.4

申请日：2017-08-07

申请人： 武汉华星光电半导体显示技术有限公司

发明人： 李松杉

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  G02F1/1368

CPC分类号： G02F1/1368 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78609 ,  H01L29/78678

摘要： 本发明公开一种薄膜晶体管、薄膜晶体管的制造方法及液晶显示面板，其中薄膜晶体管包括：基板；栅极层，设置在基板上；绝缘层，覆盖于栅极层；半导体层，设置在绝缘层上；导体层，设置在半导体层上；源漏极层，设置在导体层和绝缘层上，在源漏极层和半导体层之间设置有导体层或者导电间隔部；钝化层，设置在绝缘层、源漏极层和半导体层上。本发明薄膜晶体管中漏电流较小，薄膜晶体管质量较高。

公开(公告)号：CN104218019B

公开(公告)日：2017-10-27

申请号：CN201310714300.1

申请日：2013-12-20

申请人： 乐金显示有限公司

发明人： 徐铉植 ,  金种宇 ,  李政澔

IPC分类号： H01L27/12 ,  H01L29/45 ,  H01L29/786 ,  H01L21/77

CPC分类号： H01L27/3279 ,  G02F2001/13629 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1244 ,  H01L29/45 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78648 ,  H01L29/78669 ,  H01L29/78678 ,  H01L29/7869

摘要： 本发明涉及一种薄膜晶体管列基板（TFT）及其制造方法，所述TFT包括形成在基板上的栅线、从栅线分支出的第一栅极、栅绝缘膜；形成在栅绝缘膜上的有源层；形成为包括具有第一金属层和由铜形成的第二金属层的多个金属层的数据线；形成在栅绝缘膜上、包括在所述多个金属层中除了第二金属层以外的剩余金属层的源极；和形成在栅绝缘膜上、包括在所述多个金属层中除了第二金属层以外的剩余金属层的漏极。