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公开(公告)号：CN1298208A
公开(公告)日：2001-06-06
申请号：CN00130373.2
申请日：2000-11-02
Applicant: 三洋电机株式会社
CPC classification number: H01L31/022466 , H01L31/02164
Abstract: 一种光产生电力装置的制造方法,该装置是在具备绝缘表面的基板上设第一电极层、半导体光活性层及透明导电层,该制造方法依序包括如下步骤:(1)于基板形成第一电极层及半导体光活性层;(2)于绝缘表面形成透明导电膜;(3)将透光性保护膜配置在上述发电区域的之透明导电膜上;(4)照射紫外线激光,去除未以上述透光性保护膜遮罩部位的透明导电膜;(5)保留上述透光性保护膜。本发明可以使光产生电力装置的可靠性提高。
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公开(公告)号：CN102422434B
公开(公告)日：2015-09-02
申请号：CN201080018626.5
申请日：2010-02-26
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01L31/0224 , H01L31/0747 , H01L31/18 , H01L31/20
CPC classification number: H01L31/0747 , H01L31/022441 , H01L31/1804 , H01L31/202 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 一种太阳能电池(100)，具备插入p型非晶质半导体层(11p)与n型非晶质半导体层(12n)之间的复合层R。
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公开(公告)号：CN102349166A
公开(公告)日：2012-02-08
申请号：CN201080011200.7
申请日：2010-03-10
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01L31/075
CPC classification number: H01L31/022441 , H01L31/022433 , H01L31/0682 , H01L31/0745 , H01L31/0747 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及一种太阳能电池(100)的制造方法，包括：将抗蚀剂膜(50)除去并将n型非晶质半导体层(12n)的一部分除去的工序。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102334192A
公开(公告)日：2012-01-25
申请号：CN201080009223.4
申请日：2010-02-26
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01L31/04
CPC classification number: H01L31/0747 , H01L31/022441 , H01L31/0682 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 在太阳能电池(100)的制造方法中，在i型非晶质半导体层(11i)和p型非晶质半导体层(11p)的图像化工序之后，i型非晶质半导体层(12i)的形成工序之前，具备n型结晶硅基板(10n)的背面中露出区域(R2)的清洗工序。
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公开(公告)号：CN102725858B
公开(公告)日：2015-12-09
申请号：CN201180007219.9
申请日：2011-01-26
Applicant: 三洋电机株式会社
CPC classification number: H01L31/035281 , H01L31/022441 , H01L31/03529 , H01L31/0747 , H01L31/078 , H01L31/1804 , H01L31/1884 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供一种太阳能电池，在背面接合型太阳能电池中，能够减少电流密度并抑制随时间经过而产生的劣化。本发明的太阳能电池(1A)，包括：具有接收光的受光面(11)和设置在受光面(11)的相反侧的背面(12)的半导体基板(10n)；具有第一导电型的第一半导体层(20n)；和具有第二导电型的第二半导体层(30p)，第一半导体层(20n)和第二半导体层(30p)在背面(12)上形成，在背面(12)形成有槽(13)，在没有形成槽(13)的背面(12)形成有第一半导体层(20n)，在第一半导体层(20n)和第二半导体层(30p)交替排列的排列方向x上的槽(13)的侧面(17)和槽(13)的底面(19)形成有第二半导体层(30p)。
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公开(公告)号：CN102725858A
公开(公告)日：2012-10-10
申请号：CN201180007219.9
申请日：2011-01-26
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01L31/04
CPC classification number: H01L31/035281 , H01L31/022441 , H01L31/03529 , H01L31/0747 , H01L31/078 , H01L31/1804 , H01L31/1884 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供一种太阳能电池，在背面接合型太阳能电池中，能够减少电流密度并抑制随时间经过而产生的劣化。本发明的太阳能电池(1A)，包括：具有接收光的受光面(11)和设置在受光面(11)的相反侧的背面(12)的半导体基板(10n)；具有第一导电型的第一半导体层(20n)；和具有第二导电型的第二半导体层(30p)，第一半导体层(20n)和第二半导体层(30p)在背面(12)上形成，在背面(12)形成有槽(13)，在没有形成槽(13)的背面(12)形成有第一半导体层(20n)，在第一半导体层(20n)和第二半导体层(30p)交替排列的排列方向x上的槽(13)的侧面(17)和槽(13)的底面(19)形成有第二半导体层(30p)。
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公开(公告)号：CN102422434A
公开(公告)日：2012-04-18
申请号：CN201080018626.5
申请日：2010-02-26
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01L31/04
CPC classification number: H01L31/0747 , H01L31/022441 , H01L31/1804 , H01L31/202 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 一种太阳能电池(100)，具备插入p型非晶质半导体层(11p)与n型非晶质半导体层(12n)之间的复合层R。
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公开(公告)号：CN1182592C
公开(公告)日：2004-12-29
申请号：CN00130373.2
申请日：2000-11-02
Applicant: 三洋电机株式会社
CPC classification number: H01L31/022466 , H01L31/02164
Abstract: 一种光产生电力装置的制造方法，该装置是在具备绝缘表面的基板上设第一电极层、半导体光活性层及透明导电层，该制造方法依序包括如下步骤：(1)于基板形成第一电极层及半导体光活性层；(2)于绝缘表面形成透明导电膜；(3)将透光性保护膜配置在上述发电区域的之透明导电膜上；(4)照射紫外线激光，去除未以上述透光性保护膜遮罩部位的透明导电膜；(5)保留上述透光性保护膜。本发明可以使光产生电力装置的可靠性提高。
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