一种宇航级太赫兹隐身热控薄膜及其制备方法

    公开(公告)号:CN119764867A

    公开(公告)日:2025-04-04

    申请号:CN202411902850.0

    申请日:2024-12-23

    Abstract: 本发明公开了一种宇航级太赫兹隐身热控薄膜及其制备方法,涉及航天器功能材料领域,所述隐身热控薄膜包括从外至内设置的ITO谐振层、基材层和反射层,所述基材层为聚合物柔性薄膜(比如PI或P46),所述反射层为金属镀层(比如铝、银),所述ITO谐振层为具有镂空图案的ITO阵列。通过先在基材层的一面镀金属反射层,再在基材层另一面粘贴合适的掩模后进行谐振层镀膜处理,接着进行切割、揭除掩膜得到隐身热控薄膜。该薄膜的结构简单合理,厚度薄,吸波频带宽,柔性薄膜适合大面积制造、灵活包覆于卫星结构表面,并设置带孔的封边,具备优异的热控性能,同时能有效缩减表面雷达散射截面,可广泛应用于航天器太赫兹雷达隐身、电磁屏蔽、电磁防护等领域。

    用于地球中轨道质子辐射防护的卫星结构板及其制造方法

    公开(公告)号:CN117774360A

    公开(公告)日:2024-03-29

    申请号:CN202311845583.3

    申请日:2023-12-28

    Abstract: 本发明提供一种用于地球中轨道质子辐射防护的卫星结构板及其制造方法,包括蜂窝结构板、质子防护功能填料;蜂窝结构板包括上蒙皮、下蒙皮、蜂窝芯;上蒙皮和下蒙皮通过胶黏剂与蜂窝芯相连;质子防护功能填料,包括聚合物基体、碳纳米管、纳米碳粉或石墨烯粉末、抗氧化剂,并均匀填充于蜂窝芯中;解决了中地球轨道航天器采用重金属防护效率较低、采用防护涂层厚度过小无法对25MeV及以上能量的质子形成有效防护、采用纯聚合物防护力学和导热性能差等问题,实现了结构强度和抗辐射功能一体化,在不额外占用舱内空间的条件下形成对空间高能质子的有效防护,降低舱内质子总剂量水平,同时导热性能较原有铝合金结构板更优,利于空间应用。

    抗强电磁脉冲与抗带电粒子辐射的防护一体化结构

    公开(公告)号:CN118946124A

    公开(公告)日:2024-11-12

    申请号:CN202410999004.9

    申请日:2024-07-24

    Abstract: 本发明提供了一种抗强电磁脉冲与抗带电粒子辐射的防护一体化结构,包括吸波层、点阵夹层结构以及抗辐射工质,吸波层为网格状三维吸波超构材料结构,吸波层以点阵夹层结构的一侧表面为金属基底,点阵夹层结构为三维点阵增强的密封连通结构,点阵夹层结构内部空腔充装有抗辐射工质,抗辐射工质包括掺杂有辐射防护粒子的基体相变材料,辐射防护粒子包括金属纳米颗粒和非金属纳米颗粒。本发明具备强电磁脉冲与带电粒子辐射兼容防护能力,可以灵活应用于航天器敏感单机防护结构,减少强电磁脉冲与带电粒子辐射对敏感单机的损伤和破坏,满足航天器轻量化要求,显著提高了航天器在轨运行的可靠性。

    基于标准辐亮度计的卫星红外载荷定标系统及方法

    公开(公告)号:CN114264380B

    公开(公告)日:2024-02-13

    申请号:CN202111388365.2

    申请日:2021-11-22

    Abstract: 本发明提供了一种基于标准辐亮度计的卫星红外载荷定标系统及方法,直线移动平台用于承载液氮制冷低温黑体和可变温标准黑体在直线导轨上移动;可变温标准黑体发出的标准红外辐射光源经过离轴反射镜反射后再经平面反射镜反射透过真空窗口入射至红外标准辐亮度计;红外标准辐亮度计安装在第一高精度转台上,卫星红外载荷安装在第二高精度转台上;第一高精度转台和第二高精度转台安装在直线移动平台上;计算机通过运动机构控制器控制直线移动平台沿着导轨来回移动;计算机通过运动机构控制器控制直线移动平台、第一高精度转台以及第一高精度转台。本发明大大提升了卫星红外载荷定标精度和效率。

    基于FPGA的SRAM存储器单粒子和充放电效应测试系统及方法

    公开(公告)号:CN112071359B

    公开(公告)日:2022-08-02

    申请号:CN202010881163.0

    申请日:2020-08-27

    Abstract: 本发明提供了一种基于FPGA的SRAM存储器单粒子和充放电效应测试系统及方法,包括:测试单元;所述测试单元包括PC机、上位机、下位机、单粒子效应模拟源、充放电效应模拟源、电磁屏蔽单元;所述PC机通过串口与上位机相连;所述上位机通过屏蔽线与下位机相连;所述下位机安放于单粒子效应模拟源或充放电模拟源的环境中;所述PC机、上位机、电源单元安装于电磁屏蔽单元中。本发明能够在实验室模拟源辐照条件下获取SRAM存储器受单粒子效应和充放电效应综合影响下的特征参数,如翻转截面、翻转曲线、翻转阈值等信息参数,并比较器件受单粒子效应辐照后对充放电效应的影响和器件受充放电辐照后对单粒子效应的影响关系。

    基于FPGA的SRAM存储器单粒子和充放电效应测试系统及方法

    公开(公告)号:CN112071359A

    公开(公告)日:2020-12-11

    申请号:CN202010881163.0

    申请日:2020-08-27

    Abstract: 本发明提供了一种基于FPGA的SRAM存储器单粒子和充放电效应测试系统及方法,包括:测试单元;所述测试单元包括PC机、上位机、下位机、单粒子效应模拟源、充放电效应模拟源、电磁屏蔽单元;所述PC机通过串口与上位机相连;所述上位机通过屏蔽线与下位机相连;所述下位机安放于单粒子效应模拟源或充放电模拟源的环境中;所述PC机、上位机、电源单元安装于电磁屏蔽单元中。本发明能够在实验室模拟源辐照条件下获取SRAM存储器受单粒子效应和充放电效应综合影响下的特征参数,如翻转截面、翻转曲线、翻转阈值等信息参数,并比较器件受单粒子效应辐照后对充放电效应的影响和器件受充放电辐照后对单粒子效应的影响关系。

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