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公开(公告)号:CN116334759A
公开(公告)日:2023-06-27
申请号:CN202310259350.9
申请日:2023-03-16
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明涉及一种基于THM生长碲锌镉晶体的籽晶溶接方法及装置,装置包括生长坩埚、用于放置所述生长坩埚的绝热托架、置于所述生长坩埚底部的SiC导热棒以及用于监测碲锌镉单晶籽晶温度的热电偶,籽晶溶接方法包括如下步骤:S1、预处理碲锌镉单晶籽晶和第一碲锌镉多晶(“假籽晶”),由下向上依次放置第一碲锌镉多晶、碲锌镉单晶籽晶、富碲溶剂区材料以及第三碲锌镉多晶,并抽真空、升温加热、保温;S2、向下移动加热器加热溶解碲锌镉单晶籽晶的部分组分;S3、向上移动加热器,使得碲锌镉晶体开始连续生长。与现有技术相比,本发明降低了对于碲锌镉单晶籽晶的尺寸要求,在溶接生长时增强了结晶潜热的释放,提高了碲锌镉晶体质量。
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公开(公告)号:CN116334601A
公开(公告)日:2023-06-27
申请号:CN202310262541.0
申请日:2023-03-17
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明涉及一种碲锌镉探测器化学沉积电极的方法与装置,该装置包括样品装载组件、调整所述样品装载组件位置的致动组件、置于所述样品装载组件下方的镀液容器组件以及置于外围的温控系统。化学沉积电极的方法,包括如下步骤:S1、将碲锌镉晶体样品表面进行研磨、抛光,配置化学镀液;S2、装载碲锌镉晶体样品装载;S3、调控并实时监测化学镀液温度,调整高度使得碲锌镉晶体样品接触化学镀液发生化学沉积反应,最终得到表面沉积金属电极薄膜的碲锌镉晶体样品。与现有技术相比,本发明精准地使碲锌镉晶体样品的单个表面与化学镀液贴合,避免碲锌镉晶体样品的侧面污染;也可实时调控并监测化学镀液的温度,从而控制化学沉积反应过程。
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