公开(公告)号：CN119685937A

公开(公告)日：2025-03-25

申请号：CN202411632614.1

申请日：2024-11-15

Applicant: 上海大学

Inventor： 梁小燕 ,  杨文轩 ,  祝玄 ,  张博 ,  张继军 ,  闵嘉华

IPC: C30B33/02 ,  C30B29/48 ,  C30B31/16 ,  C23C14/24 ,  C23C14/54 ,  C23C14/04

Abstract: 本发明涉及一种碲锌镉晶体的气相退火方法，包括以下步骤：S1：检测碲锌镉晶片内部的点缺陷种类及缺陷浓度；S2：根据点缺陷检测结果确定退火调控的对应气相源；S3：通过物理气相沉积在石英片上制备气相源薄膜；S4：确认退火的气相源气压；S5：将碲锌镉晶片和沉积有气相源薄膜的石英片分别封装在退火石英管的两端，随后置于退火炉中，分别对退火石英管的两端进行加热，最终得到经气相退火改性的CdZnTe晶体。与现有技术相比，本发明可以对气相源的种类和含量进行调控，最终得到内部缺陷显著减少、晶体电学性能显著提高的碲锌镉晶体。

公开(公告)号：CN111192822B

公开(公告)日：2023-10-20

申请号：CN202010024306.6

申请日：2020-01-10

Applicant: 上海大学

Inventor： 闵嘉华 ,  秦美琪 ,  陈军 ,  戴灵恩 ,  赵树浩 ,  梁小燕 ,  张继军 ,  沈悦 ,  王林军 ,  赵岳

IPC: H01L21/18 ,  H01L21/02 ,  H01L29/267

Abstract: 本发明公开了一种硅片和化合物半导体晶片的低温键合方法，使用新的物质石墨烯作为键合介质实现CdZnTe与硅的键合，包括如下步骤：准备硅片,对硅片进行标准湿式化学凊洗法(RCA清洗法)清洗；然后准备CdZnTe晶片，对CdZnTe晶体进行倒角，物理抛光和化学机械抛光等表面处理工艺；然后将石墨烯转移至Si表面，或者将石墨烯转移至CZT表面，或者将石墨烯转移至CZT和Si表面，对两个晶体进行低温退火键合，避免过高的键合的问题，键合质量高，性能优异。

公开(公告)号：CN116646377A

公开(公告)日：2023-08-25

申请号：CN202310407745.9

申请日：2023-04-17

Applicant: 上海大学

Inventor： 高啸天 ,  张继军 ,  梁小燕

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/10 ,  H01L29/778 ,  H01L21/335

Abstract: 本发明涉及一种使用等离子体处理凹槽栅的MIS结构增强型GaN p沟道器件及其制备，该沟道器件包括衬底、设置于衬底上的外延结构层，以及与所述外延结构层配合的源极、漏极、栅极与薄膜介质层，所述外延结构层包括依次设置于衬底上的第一半导体层和第二半导体层，所述第一半导体层与第二半导体层配合形成异质结，在第二半导体层上还刻蚀有栅凹槽结构，且所述栅凹槽结构底部区域还形成有介于薄膜介质层与第二半导体层之间的高阻材料层。与现有技术相比，本发明提供的方法能够有效减小干法刻蚀对所述第二半导体层带来的刻蚀损伤，制备工艺简单，耗时短，且制成的凹槽栅MIS结构增强型GaN p沟道器件关态漏电小、开关比大、阈值电压增强型效果明显。

公开(公告)号：CN116334759A

公开(公告)日：2023-06-27

申请号：CN202310259350.9

申请日：2023-03-16

Applicant: 上海大学

Inventor： 张继军 ,  卢伟 ,  徐哲人 ,  曹祥智 ,  刘昊 ,  祁永武

IPC: C30B29/48 ,  C30B11/14 ,  C30B11/00

Abstract: 本发明涉及一种基于THM生长碲锌镉晶体的籽晶溶接方法及装置，装置包括生长坩埚、用于放置所述生长坩埚的绝热托架、置于所述生长坩埚底部的SiC导热棒以及用于监测碲锌镉单晶籽晶温度的热电偶，籽晶溶接方法包括如下步骤：S1、预处理碲锌镉单晶籽晶和第一碲锌镉多晶(“假籽晶”)，由下向上依次放置第一碲锌镉多晶、碲锌镉单晶籽晶、富碲溶剂区材料以及第三碲锌镉多晶，并抽真空、升温加热、保温；S2、向下移动加热器加热溶解碲锌镉单晶籽晶的部分组分；S3、向上移动加热器，使得碲锌镉晶体开始连续生长。与现有技术相比，本发明降低了对于碲锌镉单晶籽晶的尺寸要求，在溶接生长时增强了结晶潜热的释放，提高了碲锌镉晶体质量。

公开(公告)号：CN111900213B

公开(公告)日：2022-06-14

申请号：CN202010771822.5

申请日：2020-08-04

Applicant: 上海大学 ,  中广核工程有限公司

Inventor： 张继军 ,  李磊 ,  黄健 ,  凌君 ,  王林军 ,  梁小燕 ,  王淑蕾

IPC: H01L31/0216 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/09 ,  H01L31/18 ,  C23C14/18 ,  H01L27/146 ,  C23C14/24 ,  C23C14/58

Abstract: 一种CdMnTe(简称CMT)成像探测器及其制备方法，其中所述的探测器由CMT晶体制备而成，并于晶体两端真空蒸镀Ti/Au复合电极构成平面探测器结构，并在此基础上设置了弗里希栅极结构，从而改变了权重势分布，使得收集性能得到提高的同时兼顾了漏电流的影响；其中所述的制备方法，在完成晶体制备的过程中建立了对诸如Cd空位等点缺陷补偿控制、对组分过冷造成的固液界面的不稳定的控制，并进一步通过设置的三步回溶步骤、形成对固液界面的形貌控制。本发明的一种CMT成像探测器及其制备方法，通过同时从晶体生长工艺与器件制备工艺两个方面作考量，形成对探测器性能的良好响应。

公开(公告)号：CN108615786A

公开(公告)日：2018-10-02

申请号：CN201810538191.5

申请日：2018-05-30

Applicant: 上海大学

Inventor： 王处泽 ,  张继军 ,  闵嘉华 ,  薛瑶 ,  王林军 ,  梁小燕 ,  师好智 ,  黄健 ,  唐可 ,  凌立文

IPC: H01L31/119 ,  H01L31/032 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明公开了一种碲锌镉辐射敏感场效应晶体管及其制备方法，在碲锌镉衬底上形成辐射敏感场效应晶体管，该器件的栅极绝缘层为高阻碲锌镉薄膜，加强了探测器对于高能射线的捕获能力和灵敏度。低阻碲锌镉衬底作为沟道层，与绝缘层晶格常数匹配，增加了器件的稳定性。对于低阻碲锌镉衬底进行离子注入工艺，引入高浓度的杂质陷阱，可以有效调节器件的阈值电压，减小源漏接触电阻，增加器件灵敏度。该RadFET结构探测器工艺简单，对于碲锌镉晶体要求较低，适用于辐射剂量的探测，具有广泛的应用前景。

公开(公告)号：CN105182855B

公开(公告)日：2018-04-06

申请号：CN201510610802.9

申请日：2015-09-23

Applicant: 上海大学

Inventor： 朴美兰 ,  闵嘉华 ,  梁小燕 ,  杨柳青 ,  凌云鹏 ,  张继军 ,  王林军

IPC: G05B19/042

Abstract: 本发明提供一种DSP芯片出现失效时保护的汽车控制器及其控制方法，该汽车控制器包括速度传感器等，微处理器模块与MOSFET驱动电路连接；电流电压温度检测电路、调速刹车信号控制器、速度检测电路、外看门狗电路、档位输入器都与微处理器模块连接；微处理器模块与接触器驱动电路连接；接触器驱动电路与档位输入器、外看门狗电路、MOSFET驱动电路连接；速度检测电路与速度传感器连接；速度传感器与直流电机连接。本发明实现对汽车控制进行实时监控，提高控制器的安全可靠性和稳定性。

公开(公告)号：CN107275440A

公开(公告)日：2017-10-20

申请号：CN201710438002.2

申请日：2017-06-12

Applicant: 上海大学

Inventor： 闵嘉华 ,  梁小燕 ,  张滢 ,  徐梦玥 ,  李明 ,  杨柳青 ,  张继军 ,  王林军

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0216

CPC classification number: Y02P70/521 ,  H01L31/1868 ,  H01L31/02167

Abstract: 本发明公开了一种核探测器碲锌镉晶片表面钝化的方法，该方法包括a.抛光；b.腐蚀；c.制备金电极；d.表面钝化四个步骤，其中最后表面钝化具体步骤是：将在真空腔内采用阳极层离子源对步骤c所得的金电极的CZT晶体表面沉积DLC薄膜，其具体步骤为：向真空腔内通入Ar气，真空腔内气压为10-3～10－4Pa，开启阳极层离子源对CZT表面清洗8～10min；然后通入C2H2气体，保持温度为20～25℃在金电极的CZT晶体表面沉积厚度为5～10nm左右的DLC薄膜，即得到表面钝化的碲锌镉晶片。该方法采用DLC薄膜钝化CZT表面进行钝化能够较好的降低表面漏电流，增加CZT晶片表面电阻率，降低碲锌镉（CdZnTe，CZT）探测器的表面漏电流，提高CZT探测器的电学性能。

公开(公告)号：CN105182855A

公开(公告)日：2015-12-23

申请号：CN201510610802.9

申请日：2015-09-23

Applicant: 上海大学

Inventor： 朴美兰 ,  闵嘉华 ,  梁小燕 ,  杨柳青 ,  凌云鹏 ,  张继军 ,  王林军

IPC: G05B19/042

CPC classification number: G05B19/042 ,  G05B2219/25338

Abstract: 本发明提供一种DSP芯片出现失效时保护的汽车控制器及其控制方法，该汽车控制器包括速度传感器等，微处理器模块与MOSFET驱动电路连接；电流电压温度检测电路、调速刹车信号控制器、速度检测电路、外看门狗电路、档位输入器都与微处理器模块连接；微处理器模块与接触器驱动电路连接；接触器驱动电路与档位输入器、外看门狗电路、MOSFET驱动电路连接；速度检测电路与速度传感器连接；速度传感器与直流电机连接。本发明实现对汽车控制进行实时监控，提高控制器的安全可靠性和稳定性。

公开(公告)号：CN104952972A

公开(公告)日：2015-09-30

申请号：CN201510174196.0

申请日：2015-04-14

Applicant: 上海大学

Inventor： 陶骏 ,  张月璐 ,  徐文强 ,  徐海涛 ,  徐闰 ,  张继军 ,  黄健 ,  王林军

IPC: H01L31/18

CPC classification number: H01L31/1832

Abstract: 本发明公开了一种自支撑CdZnTe薄膜的制备方法，采用近空间升华方法，通过对沉积后的薄膜进行后处理，来分离薄膜与衬底，获取连续平整的样品。本发明工艺以CdZnTe单晶切片为升华源，通过表面处理获得理想的欧姆电极接触。该方法具有工艺简单、成本更低、可重复性高等特点，可以制备不受衬底尺寸限制，灵活应用于大面积、低漏电流的辐射探测器的薄膜，有望使得辐射探测器的制造技术更加简便。