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公开(公告)号：CN119221089A
公开(公告)日：2024-12-31
申请号：CN202411130552.4
申请日：2024-08-16
Applicant: 中国科学院金属研究所
Abstract: 本发明涉及单晶高温合金领域，具体为一种控制单晶取向偏角投影到叶片特定象限的方法。该方法包括以下步骤：(1)制备同时控制一次取向及二次取向方向仅有小偏角的籽晶；(2)测试籽晶取向，获得衍射图及结果；(3)通过公式计算籽晶实际取向衍射图在屏幕上投影的偏角数据；(4)根据计算数据在籽晶的特定侧面进行具有唯一指示性标记；(5)按照标记指示，组装籽晶和铸件蜡模。本发明采用控制二次取向的籽晶制备方法及籽晶三维取向检测技术，可以明确具有小偏差角籽晶的三维取向与宏观取向的位相关系，进而通过特定的安装方案控制单晶取向的偏角投影到叶片特定象限。
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公开(公告)号：CN118910731A
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202410943738.5
申请日：2024-07-15
Applicant: 森一量子科技(厦门)有限公司
Abstract: 本发明公开了一种消除二氧化碲单晶生长中小角度晶界缺陷产生的方法，包括籽晶的加工、籽晶换向处理、坩埚下降法生长二氧化碲单晶。其中籽晶的换向处理操作，是指用(1‑10)晶面作为长晶面，而不是传统的(110)晶面。本发明采用籽晶换向处理生长单晶，取代多次迭代消除缺陷的方式，提升晶棒的整体利用率以及籽晶品质，从而进一步提升TeO2单晶成品率，降低品质波动。
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公开(公告)号：CN114214729B
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202111402223.7
申请日：2021-11-19
Applicant: 陕西师范大学
Abstract: 本发明将籽晶诱导的熔渗生长SIG和熔融生长法SMG两种块材生长方法结合来实现批量化生产的方法，包括如下步骤：步骤一、准备籽晶；步骤二、SIG制备先驱块：制备支撑块、SIG固相先驱块、SIG液相先驱块、SIG新液相先驱块；步骤三、SMG制备先驱块；步骤四、准备单晶块、垫片；步骤五、装配步骤二和步骤三制备的先驱块；步骤六：在晶体生长炉生长单畴钇钡铜氧块材；步骤七：渗氧处理。该方法既能实现同批次多个块材生长，又能提高籽晶利用率，同时又能极易实现单畴YBCO超导块材的生长；不仅提高了批量化的效率，也提高了籽晶的利用率，生长好的两个单畴YBCO超导块材也能很好的分离。
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公开(公告)号：CN114248355B
公开(公告)日：2024-07-09
申请号：CN202111526876.6
申请日：2021-12-15
Applicant: 江西新余新材料科技研究院 , 赛维LDK太阳能高科技(新余)有限公司
Abstract: 本发明公开一种判断单晶硅片侧面晶向偏转角度的方法，涉及晶体生长技术领域，包括：将单晶硅片按照其解理面破裂；选择破碎的单晶硅片的断裂面，断裂面包含至少一个直角的端面角度，且断裂面的一个边缘面为单晶硅片的边缘面；量测断裂面中单晶硅片的边缘面与其相邻端面之间的夹角α；判断单晶硅片的侧面晶向偏转角度θ。本发明还公开了一种判断籽晶的侧面晶向的加工偏差的方法，该籽晶为铸造单晶硅锭用籽晶。与现有技术相比，本发明采用简单的角度尺即可测量得到单晶硅片的侧面晶向偏转角度以及基础籽晶之间的侧面晶向的加工偏差，这两种方法都简单方便，准确度高，适合规模化生产中的应用。
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公开(公告)号：CN118087019A
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202410296310.6
申请日：2024-03-15
Applicant: 安徽光智科技有限公司
Abstract: 一种锑化铟晶体的生长方法包括步骤：将InSb多晶料破碎，清洗冲洗烘干备用；将Sb料破碎，腐蚀冲洗中烘干备用；将 向的InSb籽晶棒装入镀碳的石英坩埚的鼻部，之后，依次装入烘干备用的Sb料和烘干备用的InSb多晶料，装入的InSb多晶料和Sb料的重量比为InSb:Sb＝1:(0.05‑0.15)，连接法兰；装入移动加热法晶体生长设备的移动加热器内并定位在支撑件上；先抽真空之后再置换石英坩埚内的气体后再通入流动H2，H2的流量为0.1‑0.5L/min；维持 向的InSb籽晶附近温度梯度为5‑10℃/cm；移动加热器升高Sb料所处的区域的温度至510‑530℃，保温1‑3天后，使移动加热器向上移动，移动速率5‑15cm/d，直至晶体生长结束，移动加热器的功率为3000‑4000W；停止移动加热器及其加热，自然冷却，氮气置换H2，打开法兰，倒出晶体。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113981523B
公开(公告)日：2024-03-12
申请号：CN202111179012.1
申请日：2021-10-09
Applicant: 云南鑫耀半导体材料有限公司 , 云南中科鑫圆晶体材料有限公司 , 云南临沧鑫圆锗业股份有限公司
Abstract: 不同偏度砷化镓籽晶加工及砷化镓单晶的制备方法，涉及半导体晶体生长领域，尤其是一种砷化镓单晶的制备技术。本发明的方法包括了籽晶胚的加工和定向、籽晶抛光和清洗、单晶生长等步骤，其中，钻取种子胚大小适中，种子胚比种子小嘴内径小0.025mm‑0.76mm。抛光剂采用溴素和乙醇按体积比2：1‑1：4进行配置。本发明的优点是不同偏角度（100）到（111）偏0°、2°、6°、10°和15°的籽晶生长的砷化镓单晶体与国家标准（GB/T 30856‑2014）对位错的要求相比，其位错非常低、结晶度高。最主要的是晶圆抛光后进行外延，外延淀积速率高,外延层表面质量也较好,外延层的生长参数也易于控制。
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公开(公告)号：CN114369864B
公开(公告)日：2024-01-19
申请号：CN202111538129.4
申请日：2021-12-15
Applicant: 中国科学院金属研究所
Abstract: 本发明涉及单晶高温合金领域，具体为一种精确控制籽晶取向一致性的组装工具及方法。该组装工具滑轨底座的顶部相对设置固定支架、可移动支架，可移动支架向前推进将加热后的籽晶镶装在蜡模上；固定支架上安装固定端四爪夹头，可移动支架上安装可旋转四爪夹头，可旋转四爪夹头与可移动支架通过轴承连接，固定端四爪夹头与可旋转四爪夹头相对应且同轴；水平的籽晶一端安装于可旋转四爪夹头，籽晶的另一端外侧安装加热环；水平的蜡模一端安装于固定端四爪夹头上，籽晶的另一端与蜡模的另一端相对应。本发明可以消除人工组装引入的取向误差，通过机械的手法精确控制籽晶取向，优化籽晶法制备控制二次取向的单晶高温合金铸件的过程。
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公开(公告)号：CN117385466A
公开(公告)日：2024-01-12
申请号：CN202311319555.8
申请日：2023-10-12
Applicant: 长春市泰元氟金云母有限公司
Inventor： 李爽
Abstract: 本发明涉及氟晶云母单晶体制备技术领域，具体公开了锅炉气包水位计用大尺寸氟晶云母单晶体的熔制方法，包括以下步骤：原材料制备：将高纯度氟金云母粉、正4目氟金云母片、高纯度镁砂、氟硅酸钾，进行破碎搅拌，再经高压旋流器破碎去杂质，烘干后待用，得到混合料。本发明采用双晶种下降法进行制备大尺寸氟晶云母单晶体，可以实现大尺寸氟晶云母高产量以及生长稳定的技术难题，同时制备的产品具有击穿强度、抗压、抗拉的力学强度性能的协调改进。
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公开(公告)号：CN113825577B
公开(公告)日：2024-01-09
申请号：CN202080036046.2
申请日：2020-04-03
Applicant: 赛峰飞机发动机公司
Abstract: 本发明涉及一种用于通过金属铸造和外延生长制造单晶部件的模具(1)，该模具包括腔体该壳体(12)具有在其中设置有单晶籽晶(2)的椭圆形横截面，该籽晶具有由副轴线和主轴线限定的椭圆形横截面，壳体经由圆形横截面的开口(13)与腔体流体连通，熔融金属将流过该开口，单晶籽晶与开口以同一垂直轴线(Z)为中心，其中籽晶的横截面的副轴线和主轴线被定向成单晶体的二次结晶定向的函数，该单晶体形成单晶(10)和壳体(12)，将在该腔体(10)中形成部件，(56)对比文件CN 1691281 A,2005.11.02CN 2225916 Y,1996.05.01EP 0171343 A1,1986.02.12EP 1894647 A1,2008.03.05EP 2092999 A1,2009.08.26施尔畏,路治平,仲维卓.人工烟水晶X射线形貌.无机材料学报.1988,(第03期),第203-212页.
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公开(公告)号：CN116837236A
公开(公告)日：2023-10-03
申请号：CN202310662976.4
申请日：2023-06-06
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明公开了一种提高Ni‑Mn‑Ga合金强塑性的方法，涉及合金技术领域。本发明是将Ni和Ga金属进行熔炼得到Ni‑Ga合金；然后再加入Mn和碳进行熔炼处理，得到Ni‑Mn‑Ga‑C合金棒；最后对Ni‑Mn‑Ga‑C合金棒进行切割以及籽晶法定向凝固处理，得到强塑性Ni‑Mn‑Ga‑C合金。本发明是通过掺杂碳处理以及采用取向为奥氏体 A方向的籽晶进行籽晶定向凝固处理，从而显著提高了Ni‑Mn‑Ga合金强塑性。
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