-
公开(公告)号：CN118050917A
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN202211405193.X
申请日：2022-11-10
Applicant: 上海集成电路研发中心有限公司 , 张江国家实验室
Abstract: 本发明公开了一种行波电极结构、光调制器及实现方法，行波电极结构包括：屏蔽电极；信号电极，平行于所述屏蔽电极设置；辅助电极，并联设于所述信号电极的侧面；其中，通过调节所述辅助电极的宽度和形状及其与所述屏蔽电极之间距离，调整使行波电极的集总参数接近目标值。本发明通过在常规信号电极的单侧或两侧添设并联的辅助电极的方式，可增加行波电极的可调参数，从而有效提高了行波电极的参数设计自由度和匹配范围，能获得具有更佳折射率匹配和阻抗匹配效果的光调制器，并获得极大的优化设计空间。
-
公开(公告)号：CN113723037B
公开(公告)日：2024-06-28
申请号：CN202111040191.0
申请日：2021-09-06
Applicant: 上海集成电路研发中心有限公司
IPC: G06F30/367
Abstract: 本发明提供一种用于射频MOS器件建模的测试系统和射频MOS器件的建模方法。该测试系统中，从测试结构采用与主测试结构不同的电极设置，其中第二MOS器件的源极和漏极分别连接两个测试端口，而栅极单独接出以便于设置相应的偏压，如此从测试结构的S参数可以表征主测试结构忽略的寄生电容，有助于提高模型的准确度。所述建模方法中，利用上述测试系统的测试结果设置模型电路中每个寄生元件的初始值，并利用从测试结构的测试结果对至少部分寄生元件的初始值进行修正，最后得到各个寄生元件的寄生参数值。所述建模方法构建的模型电路中寄生元件较为全面，且该建模方法可以实现对各个寄生元件的寄生参数值的设置，相对于现有技术建模准确度高。
-
公开(公告)号：CN111914505B
公开(公告)日：2023-12-12
申请号：CN202010544333.6
申请日：2020-06-15
Applicant: 上海集成电路研发中心有限公司
Inventor： 刘林林
IPC: G06F30/36
Abstract: 本发明公开了一种MOS器件的建模方法，包括如下步骤：S01：构建MOS器件的模型电路，其中，模型电路中包括本征晶体管，衬底寄生电阻、寄生电容、寄生二极管、栅极寄生电阻电感网络、源极寄生电阻电感网络和漏极寄生电阻电感网络；S02：确定模型电路中的本征晶体管和寄生二极管的模型及尺寸参数；S03：采用电磁仿真方法分别确定源极寄生电阻电感网络和漏极寄生电阻电感网络的寄生元件值；S04：基于测试数据确定衬底寄生电阻、寄生电容和栅极寄生电阻电感网络的寄生元件值；S05：将计算出来的寄生元件值代入模型电路。本发明模型电路包括各连接通路的寄生电阻电感网络，该模型适用范围更广，可适用于毫米波等频段。
-
公开(公告)号：CN113723037A
公开(公告)日：2021-11-30
申请号：CN202111040191.0
申请日：2021-09-06
Applicant: 上海集成电路研发中心有限公司
IPC: G06F30/367
Abstract: 本发明提供一种用于射频MOS器件建模的测试系统和射频MOS器件的建模方法。该测试系统中，从测试结构采用与主测试结构不同的电极设置，其中第二MOS器件的源极和漏极分别连接两个测试端口，而栅极单独接出以便于设置相应的偏压，如此从测试结构的S参数可以表征主测试结构忽略的寄生电容，有助于提高模型的准确度。所述建模方法中，利用上述测试系统的测试结果设置模型电路中每个寄生元件的初始值，并利用从测试结构的测试结果对至少部分寄生元件的初始值进行修正，最后得到各个寄生元件的寄生参数值。所述建模方法构建的模型电路中寄生元件较为全面，且该建模方法可以实现对各个寄生元件的寄生参数值的设置，相对于现有技术建模准确度高。
-
公开(公告)号：CN106611782B
公开(公告)日：2020-10-02
申请号：CN201611230454.3
申请日：2016-12-27
Applicant: 上海集成电路研发中心有限公司 , 成都微光集电科技有限公司
IPC: H01L29/43 , H01L29/78 , H01L21/336 , B82Y30/00
Abstract: 一种降低FinFET寄生电阻的器件结构及其制备方法，该方法包括：制备常规FinFET器件结构，包括制备FinFET硅鳍结构、由栅电极和栅介质层组成的栅叠结构和定义FinFET器件的源漏区域的分步骤；其中，常规FinFET器件结构包括由金属栅电极和栅介质层组成的栅叠结构分别从侧面和表面包裹FinFET硅鳍结构，形成MOSFET的三维沟道；在源漏区域制备催化剂层；生长碳纳米管，形成条形接触孔层M0；其中，条形接触孔层M0的下端覆盖并连接FinFET器件的源漏区域；碳纳米管包括单壁和多壁碳纳米管材料；实现FinFET器件的源漏引出及后道工艺制备，即使条形接触孔层M0的上端与金属层M1相连。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110096729A
公开(公告)日：2019-08-06
申请号：CN201910183149.0
申请日：2019-03-12
Applicant: 上海集成电路研发中心有限公司
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明公开的一种确定端口寄生电感的方法，包括如下步骤：S01：确定待测器件中包含寄生电感的端口；S02：针对每一个含有寄生电感的端口，构建其对应的端口辅助结构；S03：分别建立各端口辅助结构的子电路模型，所述子电路模型中包括串联的寄生电阻和寄生电感；S04：获取各个端口辅助结构的S参数，并基于S参数提取对应子电路模型中的寄生电感值；即为所述待测器件中该端口对应的寄生电感值。本发明提供的一种确定端口寄生电感及可伸缩模型的方法，通过建立端口辅助结构及其子电路模型，确定待测器件的端口寄生电感，再通过端口寄生电感与器件版图尺寸之间的关系，建立可以确定端口寄生电感的可伸缩模型，从而准确确定各个待测器件的端口寄生电感。
-
公开(公告)号：CN108664717A
公开(公告)日：2018-10-16
申请号：CN201810391173.9
申请日：2018-04-27
Applicant: 上海集成电路研发中心有限公司 , 成都微光集电科技有限公司
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明公开了一种毫米波器件在片测试结构的去嵌方法，包括如下步骤：S01：在硅衬底上形成待测器件及其对应的开路去嵌结构和短路去嵌结构；S02：对上述待测器件、开路去嵌结构和短路去嵌结构进行S参数测试；S03：应用电磁场仿真模型仿真一个平板电容，该平板电容用于模拟上述开路去嵌结构中产生的寄生电容；并得出该电容的附加电容值；S04：将上述测试所得开路去嵌结构的S参数转换为Y参数，去除开路去嵌结构中的附加电容，并进一步去嵌计算，得出待测器件本身的S参数。本发明公开的一种毫米波器件在片测试结构的去嵌方法，可以去除PAD结构和附带连线之间引起的在片测试结构的寄生效应，在射频微波毫米波应用中有较好的前景。
-
公开(公告)号：CN108305901A
公开(公告)日：2018-07-20
申请号：CN201810144441.7
申请日：2018-02-12
Applicant: 上海集成电路研发中心有限公司 , 成都微光集电科技有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/45 , H01L21/336
Abstract: 本发明公开了一种制作FinFET器件的方法，包括以下步骤：S01：在衬底上制备鳍结构，在鳍结构中间位置形成栅介质和栅极；S02：在鳍结构两端分别定义出源极区域和漏极区域，并在源极区域和漏极区域中刻蚀出源极凹槽和漏极凹槽；S03：在源极凹槽和漏极凹槽中分别制备金属型源极和金属型漏极；S04：对源极和漏极进行金属引出及后道工艺制备。本发明提供的一种FinFET器件及其制备方法，通过直接制备金属型源极和金属型漏极可大幅降低FinFET器件的寄生电阻，同时形成的替换型金属源漏结构也改进了目前主流的提升源漏结构，可显著降低FinFET器件的边缘电容，从而达到降低寄生电容的目的。
-
公开(公告)号：CN107679261A
公开(公告)日：2018-02-09
申请号：CN201710685113.3
申请日：2017-08-11
Applicant: 上海集成电路研发中心有限公司 , 成都微光集电科技有限公司
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明公开了一种MOS器件源漏与衬底间寄生电阻的建模方法，包括以下步骤：S01：建立抽取MOS衬底寄生电阻的等效测试结构，其中，源极数量ns等于漏极数量nd，源漏极的宽度均为lsd，相邻两个源漏极之间间距为l，源极和漏极的长度均为w；S02：取一组w、lsd、ns，变化l的尺寸，生成一系列等效测试结构，分别测试对应的等效测试结构阻值，以确定Rsb、Rdb和Rdsb；S03：变换版图因子w、lsd、ns，对每一组w，lsd，ns都按照S02中方法求得对应的Rsb、Rdb及Rdsb，根据等效测试结构中不同版图因子及其对应的阻值变化规律，建立Rsb、Rdb、Rdsb的寄生电阻模型。本发明提供的一种MOS器件源漏与衬底间寄生电阻的建模方法，避免了传统MOS等效测试结构对该部分信息表征不充分的问题。
-
公开(公告)号：CN106815411A
公开(公告)日：2017-06-09
申请号：CN201611226062.X
申请日：2016-12-27
Applicant: 上海集成电路研发中心有限公司 , 成都微光集电科技有限公司
Abstract: 本发明提供了一种多叉指MOS器件版图邻近效应的建模方法，包括：设计测试结构，包括参考器件组和用于建立栅极间距版图邻近效应模型的对比器件组；基于参考器件测试数据建立多叉指器件不包含版图邻近效应的初始模型，采用多颗单栅MOS器件的并联进行建模，单栅器件的数量等于叉指数；基于每一个多叉指MOS器件的栅极间距版图邻近效应相关的版图因子构造特征尺寸，将特征尺寸作为初始模型中的单栅器件的版图因子，基于该版图因子，用所有并联的单栅器件引入的版图邻近效应的总和等效表示多叉指器件所有叉指引入的栅极间距版图邻近效应的总和；根据特征尺寸、单根叉指的宽度、长度和叉指数量来构造阈值电压和迁移率修正模型来修正初始模型。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
51
records
(took 0.059 seconds)
