一种生物医用β-钛合金的制备工艺

    公开(公告)号:CN101724764B

    公开(公告)日:2011-07-20

    申请号:CN200910311198.4

    申请日:2009-12-10

    申请人: 中南大学

    摘要: 本发明公开了一种生物医用β-钛合金的制备工艺,包括如下步骤:A)合金制备;B)表面涂覆;C)热锻开坯;D)热轧;E)冷轧成形;F)热处理。本发明的β-钛合金采用高真空电弧熔炼加多次搅拌、浇铸、测相变点、真空加氩气保护均匀化、涂覆、热锻、热轧、冷轧、固溶、水淬、人工时效、水冷后,将材料加工成2mm厚的板材,制备出具有优良综合性能的β钛合金生物医用材料。本发明是一种能提高材料强度、耐磨性和抗蚀性,降低材料弹性模量,保持材料良好加工成形性能的生物医用β-钛合金的制备工艺。

    高硅铝合金电子封装材料的制备工艺

    公开(公告)号:CN100411157C

    公开(公告)日:2008-08-13

    申请号:CN200610031906.5

    申请日:2006-06-30

    申请人: 中南大学

    IPC分类号: H01L23/29 B22F9/08

    摘要: 本发明公开了一种高硅铝合金电子封装材料的制备工艺,A)粉末制取:将工业纯铝及高纯硅按质量比6~8.8∶4~1.2制备成Al-Si合金粉末;B)粉末的球磨处理工艺:将Al-Si合金粉末进行球磨,球料质量比为5~15∶1,球磨时间为8~32小时;C)热挤压工艺:将氧化后的合金粉末装入纯铝包套内,在300~500吨液压机上采用正向挤压方式进行挤压,挤压前对Al-Si合金粉末采用400~520℃保温0.5~2小时,挤压比为10~21,挤压前各种挤压模具首先置入加热炉中,在200~400℃充分预热保温,挤压完后即为成品。本发明是一种能显著提高材料的热导率、气密性和抗拉强度,保持材料较低的热膨胀系数,大幅度改善材料加工成形性能的高硅铝合金电子封装材料的制备工艺。

    一种生物医用β-钛合金的制备工艺

    公开(公告)号:CN101724764A

    公开(公告)日:2010-06-09

    申请号:CN200910311198.4

    申请日:2009-12-10

    申请人: 中南大学

    摘要: 本发明公开了一种生物医用β-钛合金的制备工艺,包括如下步骤:A)合金制备;B)表面涂覆;C)热锻开坯;D)热轧;E)冷轧成形;F)热处理。本发明的β-钛合金采用高真空电弧熔炼加多次搅拌、浇铸、测相变点、真空加氩气保护均匀化、涂覆、热锻、热轧、冷轧、固溶、水淬、人工时效、水冷后,将材料加工成2mm厚的板材,制备出具有优良综合性能的β钛合金生物医用材料。本发明是一种能提高材料强度、耐磨性和抗蚀性,降低材料弹性模量,保持材料良好加工成形性能的生物医用β-钛合金的制备工艺。

    一种制备高硅铝合金电子封装材料的工艺

    公开(公告)号:CN1877822A

    公开(公告)日:2006-12-13

    申请号:CN200610031907.X

    申请日:2006-06-30

    申请人: 中南大学

    IPC分类号: H01L23/29 B22F9/08

    摘要: 本发明公开了一种制备高硅铝合金电子封装材料的工艺,A)粉末制取:将工业纯铝及高纯硅按质量百分比6~8.8∶4~1.2制备成Al-Si合金粉末;B)热挤压工艺:将Al-Si合金粉末初装、振实装入纯铝包套内,在300~500吨液压机上进行挤压,挤压前对Al-Si合金粉末采用400~520℃保温0.5~2小时,挤压比为10~21,挤压前各种挤压模具在200~400℃充分预热保温;C)高压氧化:将热挤压材料进行高温高压氧化,保温温度为300~500℃,时间为48~96小时,氧压为0.6~0.8MPa,高压氧化后即为成品。本发明是一种能显著提高材料的热导率、气密性和抗拉强度,保持材料较低的热膨胀系数,大幅度改善材料加工成形性能,减化材料的制备工 艺。

    一种镧掺杂羟基磷灰石复合涂层及其制备方法

    公开(公告)号:CN102631705A

    公开(公告)日:2012-08-15

    申请号:CN201210128816.3

    申请日:2012-04-27

    申请人: 中南大学

    IPC分类号: A61L27/32 C25D9/08

    摘要: 本发明涉及一种镧掺杂羟基磷灰石复合涂层及其制备方法,其目的是提供一种在模拟体液中稳定性高的活性涂层及其制备方法。配制出硝酸钙水溶液和磷酸二氢铵水溶液,控制pH值滴加混合后搅拌均匀得到电解液;以钛或钛合金基体作阳极,铂片为阳极,通过电化学沉积制备出羟基磷灰石涂层;将羟基磷灰石涂层浸泡于硝酸镧溶液中一段时间后,将样品取出干燥,得到镧掺杂羟基磷灰石复合涂层。本发明的特点在于通过浸泡处理对羟基磷灰石进行镧掺杂,提高了其在模拟体液中的稳定性,且不易被吸收,可用于各类骨的修复。

    一种高硅铝合金电子封装材料的制备工艺

    公开(公告)号:CN100435321C

    公开(公告)日:2008-11-19

    申请号:CN200610031908.4

    申请日:2006-06-30

    申请人: 中南大学

    IPC分类号: H01L23/29 B22F9/08

    摘要: 本发明公开了一种高硅铝合金电子封装材料的制备工艺,A)、粉末制取:将工业纯铝及高纯硅按质量比值6~8.8∶4~1.2制备成Al-Si合金粉末;B)、粉末的空气氧化处理工艺:将Al-Si合金粉末置于电阻炉内,升温至250~450℃,保温氧化8~32小时,取出后在空气中自然冷却;C)、热挤压工艺:将氧化后的合金粉末装入纯铝包套内,在300~500吨液压机上进行挤压,挤压前对Al-Si合金粉末采用400~520℃保温0.5~2小时,挤压比为10~21,挤压前各种挤压模具在200~400℃充分预热保温,挤压完后即为成品。本发明能显著提高材料的热导率、气密性和抗拉强度,保持材料较低的热膨胀系数,大幅度改善材料加工成形性能的高硅铝合金电子封装材料的制备工艺。

    一种高硅铝合金电子封装材料的制备工艺

    公开(公告)号:CN1877823A

    公开(公告)日:2006-12-13

    申请号:CN200610031908.4

    申请日:2006-06-30

    申请人: 中南大学

    IPC分类号: H01L23/29 B22F9/08

    摘要: 本发明公开了一种高硅铝合金电子封装材料的制备工艺,A)粉末制取:将工业纯铝及高纯硅按质量百分比6~8.8∶4~1.2制备成Al-Si合金粉末;B)粉末的空气氧化处理工艺:将Al-Si合金粉末置于电阻炉内,升温至250~450℃,保温氧化8~32小时,取出后在空气中自然冷却;C)热挤压工艺:将氧化后的合金粉末装入纯铝包套内,在300~500吨液压机上进行挤压,挤压前对Al-Si合金粉末采用400~520℃保温0.5~2小时,挤压比为10~21,挤压前各种挤压模具在200~400℃充分预热保温,挤压完后即为成品。本发明能显著提高材料的热导率、气密性和抗拉强度,保持材料较低的热膨胀系数,大幅度改善材料加工成形性能的高硅铝合金电子封装材料的制备工艺。