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公开(公告)号：CN104617186B
公开(公告)日：2017-09-19
申请号：CN201510062290.7
申请日：2015-02-06
Applicant: 中南大学
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种锌黄锡矿结构薄膜太阳能电池光吸收层的表面处理方法，该方法是将光吸收层(Cu1‑aAga)2(Zn1‑bCdb)(Sn1‑cGec)(S1‑dSed)4(其中，a、b、c、d各自独立地选自0～1)置于含金属离子的溶液中浸泡后，进行退火处理；该方法处理后的锌黄锡矿结构薄膜太阳能电池光吸收层能很好地改善吸光层的表面缺陷，能有效提高太阳能电池的开路电压、填充因子和光电转换效率，且该方法原料利用率高、环境友好、成本低廉，生产中可大规模推广应用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104617186A
公开(公告)日：2015-05-13
申请号：CN201510062290.7
申请日：2015-02-06
Applicant: 中南大学
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/1876 , H01L31/186 , H01L31/1864
Abstract: 本发明公开了一种锌黄锡矿结构薄膜太阳能电池光吸收层的表面处理方法，该方法是将光吸收层(Cu1-aAga)2(Zn1-bCdb)(Sn1-cGec)(S1-dSed)4(其中，a、b、c、d各自独立地选自0～1)置于含金属离子的溶液中浸泡后，进行退火处理；该方法处理后的锌黄锡矿结构薄膜太阳能电池光吸收层能很好地改善吸光层的表面缺陷，能有效提高太阳能电池的开路电压、填充因子和光电转换效率，且该方法原料利用率高、环境友好、成本低廉，生产中可大规模推广应用。
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公开(公告)号：CN104591265A
公开(公告)日：2015-05-06
申请号：CN201410830894.7
申请日：2014-12-26
Applicant: 中南大学
CPC classification number: C01G19/00 , B82Y30/00 , C01P2004/64
Abstract: 本发明公开了一种制备铜锌锡硫纳米粒子的方法，该方法是将铜盐、锌盐和锡盐在络合剂的存在下溶于水，得到混合金属盐溶液；将所得混合金属盐溶液和碱溶液同时加入到含分散剂的底液中搅拌反应，直到底液中沉淀完全，过滤分离，得到铜锌锡复合氢氧化物纳米颗粒；所得铜锌锡复合氢氧化物纳米颗粒经过煅烧后，进行硫化热处理，高产率得到纯度高，形貌好，结构疏松、无团聚现象的铜锌锡硫纳米粒子；该制备方法反应条件温和、成本低、流程和操作简单，满足工业化生产。
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公开(公告)号：CN104362222A
公开(公告)日：2015-02-18
申请号：CN201410709406.7
申请日：2014-11-28
Applicant: 中南大学
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/18 , C23C14/06
Abstract: 本发明公开了一种基于光化学沉积制备铜铟镓硒薄膜的方法，该方法是先在导电基体上镀一层Se或S薄膜，再将镀有Se或S薄膜的导电基体置于含有铟离子、镓离子、硒离子、铜离子中的至少两种和光电子释放剂的溶液体系中，进行光化学沉积，得到铜铟镓硒薄膜；该方法成功地将光化学沉积方法运用到铜铟镓硒薄膜制备过程中，可以有效控制光化学沉积铜铟镓硒薄膜的生长情况及形貌，制备的铜铟镓硒薄膜表面形貌好、致密度高、成分可控，有效解决传统光化学沉积中存在的沉积过程可控性差、成膜不均匀的问题，且该方法原料利用率高，成本低，可大规模推广生产。
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公开(公告)号：CN104591265B
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201410830894.7
申请日：2014-12-26
Applicant: 中南大学
Abstract: 本发明公开了一种制备铜锌锡硫纳米粒子的方法，该方法是将铜盐、锌盐和锡盐在络合剂的存在下溶于水，得到混合金属盐溶液；将所得混合金属盐溶液和碱溶液同时加入到含分散剂的底液中搅拌反应，直到底液中沉淀完全，过滤分离，得到铜锌锡复合氢氧化物纳米颗粒；所得铜锌锡复合氢氧化物纳米颗粒经过煅烧后，进行硫化热处理，高产率得到纯度高，形貌好，结构疏松、无团聚现象的铜锌锡硫纳米粒子；该制备方法反应条件温和、成本低、流程和操作简单，满足工业化生产。
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公开(公告)号：CN104362222B
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201410709406.7
申请日：2014-11-28
Applicant: 中南大学
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种基于光化学沉积制备铜铟镓硒薄膜的方法，该方法是先在导电基体上镀一层Se或S薄膜，再将镀有Se或S薄膜的导电基体置于含有铟离子、镓离子、硒离子、铜离子中的至少两种和光电子释放剂的溶液体系中，进行光化学沉积，得到铜铟镓硒薄膜；该方法成功地将光化学沉积方法运用到铜铟镓硒薄膜制备过程中，可以有效控制光化学沉积铜铟镓硒薄膜的生长情况及形貌，制备的铜铟镓硒薄膜表面形貌好、致密度高、成分可控，有效解决传统光化学沉积中存在的沉积过程可控性差、成膜不均匀的问题，且该方法原料利用率高，成本低，可大规模推广生产。
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