公开(公告)号：CN109786510B

公开(公告)日：2020-11-10

申请号：CN201910180996.1

申请日：2019-03-11

申请人： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

发明人： 杨楠楠 ,  顾溢 ,  马英杰 ,  师艳辉 ,  何桂香 ,  龚谦 ,  张永刚

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/077

摘要： 本发明涉及一种四元探测器的制备方法，包括提供外延片；以光刻胶为掩膜对外延片进行光刻，获得台面；采用直流反应磁控溅射的方法在台面上淀积氮化铝绝缘接触层，采用电感耦合等离子体化学气相沉积的方法在氮化铝绝缘接触层上淀积氮化硅钝化加固层，从而得到氮化铝和氮化硅双层薄膜；在氮化铝和氮化硅双层薄膜和台面上开刻电极窗口；在电极窗口中制作P型金属电极和N型金属电极，从而得到铟镓砷铋四元探测器。本发明还提供由上述的制备方法得到的铟镓砷铋四元探测器。本发明的氮化铝和氮化硅双层薄膜有效覆盖凸台的侧表面，提升绝缘钝化性能，降低了过渡到凸台的台阶处的漏电流的产生，进而大大提升了探测器的响应率和可靠性。

公开(公告)号：CN109786510A

公开(公告)日：2019-05-21

申请号：CN201910180996.1

申请日：2019-03-11

申请人： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

发明人： 杨楠楠 ,  顾溢 ,  马英杰 ,  师艳辉 ,  何桂香 ,  龚谦 ,  张永刚

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/077

摘要： 本发明涉及一种四元探测器的制备方法，包括提供外延片；以光刻胶为掩膜对外延片进行光刻，获得台面；采用直流反应磁控溅射的方法在台面上淀积氮化铝绝缘接触层，采用电感耦合等离子体化学气相沉积的方法在氮化铝绝缘接触层上淀积氮化硅钝化加固层，从而得到氮化铝和氮化硅双层薄膜；在氮化铝和氮化硅双层薄膜和台面上开刻电极窗口；在电极窗口中制作P型金属电极和N型金属电极，从而得到铟镓砷铋四元探测器。本发明还提供由上述的制备方法得到的铟镓砷铋四元探测器。本发明的氮化铝和氮化硅双层薄膜有效覆盖凸台的侧表面，提升绝缘钝化性能，降低了过渡到凸台的台阶处的漏电流的产生，进而大大提升了探测器的响应率和可靠性。