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公开(公告)号：CN116826522A
公开(公告)日：2023-09-29
申请号：CN202311108520.X
申请日：2023-08-31
申请人： 潍坊先进光电芯片研究院 , 中国科学院半导体研究所
摘要： 本申请公开了一种带侧向光栅的超对称半导体激光器，包括：沿外延方向由下至上依次堆叠的N面电极、衬底、缓冲层、N型波导层、有源层、P型波导层和超对称结构；所述超对称结构包括P型盖层和上接触层，上接触层堆叠在P型盖层上，超对称结构的中间部分为主波导，主波导的两侧设有子波导；所述子波导和主波导之间纵向设有侧向光栅，侧向光栅用于实现纵向模式的选择；所述主波导上设有P面电极。具有以下优点：采用超对称结构，在中间主波导在基侧模不被损耗的情况下，实现了大功率基侧模输出，通过设计侧向光栅的占空比，来实现标准光刻的制造，使用侧向光栅结构，通过在脊波导两侧刻蚀，得到光栅结构，避免了二次外延生长。
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公开(公告)号：CN116247118A
公开(公告)日：2023-06-09
申请号：CN202310531231.4
申请日：2023-05-12
申请人： 潍坊先进光电芯片研究院 , 中国科学院半导体研究所
IPC分类号： H01L31/107 , H01L31/0352
摘要： 本申请公开了一种双载流子倍增的雪崩光电探测器，包括倍增层，倍增层为两层，一层倍增层用于空穴的雪崩倍增，另一层倍增层用于电子的雪崩倍增，两层倍增层之间设有两层电荷层和一层光吸收层，光吸收层两侧分别设有一层电荷层，电荷层用于调控倍增层和光吸收层电场。具有以下优点：解决了如何能够让吸收层的光生电子和空穴沿着不同方向进入两个倍增层问题，让光生电子和光生空穴同时进行倍增，较大的提高了光电流的输出，提高了器件增益值。
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公开(公告)号：CN107872005B
公开(公告)日：2019-07-05
申请号：CN201710998805.3
申请日：2017-10-20
申请人： 中国科学院半导体研究所
摘要： 一种硅基混合集成可调谐激光器及光子芯片，所述激光器包括依次设置的半导体光放大器、硅基模斑变换器、热调硅基环形谐振器及硅基相移器和双端口硅基多模干涉反射镜。所述双端口硅基多模干涉反射镜包括输入波导、输出波导、多模波导，以及分别将输入波导、输出波导与所述多模波导一端连接的锥形波导，所述输入波导连接到所述热调硅基双环谐振器的输出端，所述多模波导的另一端具有两个与波导轴向成45°的刻蚀面，两个刻蚀面垂直相交处位于所述多模干涉自成像波导的轴线上；所述激光器和其他硅基功能器件组成光子芯片。本发明的可调谐激光器及光子芯片具有尺寸小、成本低的优点，易于集成，在集成光电子领域和光通信领域有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN118311715A
公开(公告)日：2024-07-09
申请号：CN202410302220.3
申请日：2024-03-18
申请人： 潍坊先进光电芯片研究院 , 中国科学院半导体研究所
摘要： 本发明一种与标准单模光纤高效耦合的绝缘体上硅边缘耦合器，是基于悬臂结构的新型绝缘体上硅边缘耦合器，包括Si衬底层，悬臂结构，锥形波导，悬臂结构上包层，其中在悬臂结构上包层中交替生长四层二氧化硅层和三层氮化硅层，并刻蚀成脊波导。三层氮化硅层由下至上逐层缩短且折射率也做渐变处理。在光纤传输的光场进入绝缘体上硅边缘耦合器的情形下，经过第一级模块进行模场重叠、第二级模块进行模式转换，最终输出到波导中。本发明设计合理，减小了光场向硅衬底泄露，拓展了边耦合器端面处的模式面积，使得光高效转换到波导中有效提高了标准单模光纤与波导的耦合效率。
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公开(公告)号：CN118040464A
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202410093077.1
申请日：2024-01-23
申请人： 潍坊先进光电芯片研究院 , 中国科学院半导体研究所
摘要： 本发明公开了一种基于侧向模式调控的InP基单模半导体激光器，包括沿外延方向由下至上依次堆叠的N面电极、衬底、缓冲层、N型波导层、有源层、P型波导层、P型包层、P型欧姆接触层和P面电极；在InP基单模半导体激光器的侧向上，P型包层的一侧厚度由不完全刻蚀形成台阶波导或渐变波导，而P型包层另一侧的厚度完全刻蚀到P型波导层，从而控制InP基单模半导体激光器的侧向模式分布；在所述P型包层中设置有复合微结构，复合微结构沿所述InP基单模半导体激光器的纵向按一定周期平行排布，从而选择所述InP基单模半导体激光器的特定纵模。本发明可以解决传统脊波导激光器功率低、发散角差、成本高、生产效率低等问题。
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公开(公告)号：CN108169931B
公开(公告)日：2020-08-25
申请号：CN201810115958.3
申请日：2018-02-05
申请人： 中国科学院半导体研究所
摘要： 一种片上可调谐多模干涉反射镜，包括：衬底、所述衬底上的器件层和所述器件层上的保护层，其中所述器件层中形成有双端口多模干涉反射镜和电极，所述电极为微加热电极或电流注入电极，所述双端口多模干涉反射镜包括输入波导、第一锥形波导、多模波导、与所述多模波导连接的反射区域、第二锥形波导和输出波导，所述输入波导通过所述第一锥形波导与所述多模波导相连，所述输出波导通过所述第二锥形波导与所述多模波导相连，所述电极位于所述多模波导和/或所述反射区域中。本发明的片上可调谐多模干涉反射镜有尺寸小、损耗低、成本低、易于集成等优点，与传统半导体光电子工艺和CMOS工艺兼容，在光子集成芯片领域有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN117789140A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202410200053.1
申请日：2024-02-23
申请人： 潍坊先进光电芯片研究院 , 中国科学院半导体研究所
IPC分类号： G06V20/54 , G06V10/25 , G06V10/40 , G06V10/764 , G06V10/82 , G06N3/0464 , G06N3/0455 , G06N3/0985
摘要： 本申请公开了基于端到端网络的车流识别与计数方法，构建一个端到端的网络模型，可以实现更高的资源利用率和推理速度，提高了车流监测的实时性，使其可以实际应用于车流监测任务中，方法包括：采集车流图像数据并形成数据集，该数据集以真实道路上的摄像头角度进行拍摄，包含了雾天、晴天以及傍晚多种场景；构建端到端网络模型，该模型将原本需要串联执行的任务并行化，通过一次前向预测完成车流的识别与计数；使用车流数据集训练网络模型；车流识别与计数，输入车流视频，系统输出车流目标检测和数量信息。
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公开(公告)号：CN117111209B
公开(公告)日：2024-02-13
申请号：CN202311329676.0
申请日：2023-10-16
申请人： 潍坊先进光电芯片研究院 , 中国科学院半导体研究所
IPC分类号： G02B6/12
摘要： 本申请公开了一种具有PT对称调控的微盘与微环耦合复合腔，包括微环腔、微盘腔、直波导和二氧化硅绝缘衬底，微环腔、微盘腔以及直波导均设置在二氧化硅绝缘衬底上，直波导设置在微环腔和微盘腔上方，直波导靠近微环腔的一端设有直波导in端口，直波导靠近微盘腔的一端设有直波导through端口。具有以下优点：通过合理调节微环腔与微盘腔的折射率虚部，使之发生PT对称破缺，利于获得更高的灵敏度；并且简化了系统结构，使系统更加紧凑、利于片上集成，极大地提高了系统的稳定性。
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公开(公告)号：CN116365360A
公开(公告)日：2023-06-30
申请号：CN202310230592.5
申请日：2023-03-11
申请人： 潍坊先进光电芯片研究院 , 中国科学院半导体研究所
摘要： 本发明提供一种双波长半导体激光器及其制备方法，属于半导体激光器领域。所述双波长半导体激光器，在同一外延片衬底的长度方向上，依次设置有第一狭槽光栅、调相区、增益区、第二狭槽光栅；所述第一狭槽光栅、调相区、增益区、第二狭槽光栅呈脊条状依次排列；所述第一狭槽光栅与第二狭槽光栅的周期相差3%‑20%；所述调相区的长度为增益区长度的10‑40%；所述脊条包括脊波导结构。本发明的双波长半导体激光器能够在降低双波长激光器制备工艺的复杂性，保证激光器工作可靠性和稳定性的同时，实现双波长的激光输出，并实现对激光器内部选择的双波长相位进行调控，实现双波长激光在0.05‑1.2THz波长范围内的有效调谐。
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公开(公告)号：CN112003125B
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN202010937703.2
申请日：2020-09-08
申请人： 中国科学院半导体研究所
摘要： 本发明提供一种采用表面高阶光栅的直接调制半导体激光器及其制备方法，包括：三层平板波导(1000)，包括至上而下的上波导层(1100)、芯层(1200)及下波导层(1300)，其中，上波导层(1100)为脊形，其脊背或脊侧面上形成有表面高阶光栅(1111)；金属电极(2000)，包括上表面金属(2100)和下表面金属(2200)，上表面金属(2100)形成在上波导层(1100)的上表面，下表面金属(2200)形成在下波导层(1300)的下表面；电绝缘层(3000)，其形成在表面高阶光栅(1111)凹槽表面以及上表面金属(2100)和上波导层(1100)之间。本发明提供的采用表面高阶光栅的直接调制半导体激光器可以使用普通的接触式光刻制作，可以大幅度降低激光器的成本和提高激光器产量。
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