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公开(公告)号：CN1754860A
公开(公告)日：2006-04-05
申请号：CN200410080409.5
申请日：2004-09-29
申请人： 中国科学院微电子研究所
IPC分类号： C04B35/622 , C04B35/58
摘要： 一种适用于纳米器件制造的硅化物工艺，其主要步骤是清洗、真空退火处理、溅射Ni薄膜、溅射TiN薄膜、快速热退火、选择腐蚀、玻璃淀积、接触孔形成和金属化。本发明在Ni膜上加一盖帽层氮化钛，形成TiN/Ni/Si结构，同时改进清洗方法，优化薄膜厚度和硅化反应的条件，获得了很好的结果。不但薄膜的薄层电阻明显减小，而且热稳定性有了明显的提高，即由低阻NiSi相向高阻NiSi2相转变的温度提高了，浅结漏电流得到改善。与常规Ti和Co硅化物工艺比较，该方法工艺步骤少，成本低，器件性能改善显著，因而极具吸引力。特别在亚50纳米技术中是常规Ti和Co硅化物工艺所不可替代的工艺。
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公开(公告)号：CN1778993A
公开(公告)日：2006-05-31
申请号：CN200410095295.1
申请日：2004-11-19
申请人： 中国科学院微电子研究所
摘要： 一种用于厚铝的高精度干法刻蚀方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：在表面覆盖有绝缘介质的硅片上，依次溅射一层金属铝层、淀积一层二氧化硅层和旋涂一层光刻胶层；步骤2：光刻铝版，显影露出待刻蚀区域的二氧化硅层；步骤3：反应离子刻蚀二氧化硅层；步骤4：反应离子刻蚀金属铝层；步骤5：去光刻胶层。
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公开(公告)号：CN101728257B
公开(公告)日：2011-02-16
申请号：CN200810224908.5
申请日：2008-10-24
申请人： 中国科学院微电子研究所
IPC分类号： H01L21/28 , H01L21/8238
摘要： 一种HfLaON栅介质/TaN金属栅集成结构的制备方法：1)在常规清洗后，在氢氟酸/异丙醇/水溶液中浸泡，以抑制颗粒和自然氧化物的生长；2)紧接着用RTA生长超薄界面氧化层SiOx或氮氧化层SiON；3)采用PVD方法利用磁控反应溅射工艺交替溅射Hf-La靶和Hf靶淀积HfLaON高K栅介质；4)淀积HfLaON后，快速热退火；5)采用PVD方法磁控反应溅射TaN金属薄膜；6)TaN金属电极和背面欧姆接触形成后，进行合金退火处理。本发明的TaN/HfLaON栅结构，其栅隧穿漏电流密度比具有同样等效氧化层厚度的poly-Si/SiO2栅结构的小5个数量级，满足了高性能纳米NMOS器件制造的需求。
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公开(公告)号：CN101447420A
公开(公告)日：2009-06-03
申请号：CN200710178280.5
申请日：2007-11-28
申请人： 中国科学院微电子研究所
IPC分类号： H01L21/28 , H01L21/336
摘要： 本发明公开了一种制备高介电常数栅介质薄膜HfSiON的方法，该方法包括：清洗硅片；对清洗后的硅片进行淀积前氧化；在氧化后的硅片上淀积高介电常数的HfSiON栅介质薄膜；对淀积了HfSiON栅介质薄膜的硅片进行超声清洗；对清洗后的硅片进行淀积后退火；在退火后的硅片上形成金属栅。利用本发明，解决了随着小尺寸器件栅介质厚度的减薄而带来栅介质漏电急剧上升和功耗严重增大的问题。
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公开(公告)号：CN101728257A
公开(公告)日：2010-06-09
申请号：CN200810224908.5
申请日：2008-10-24
申请人： 中国科学院微电子研究所
IPC分类号： H01L21/28 , H01L21/8238
摘要： 一种HfLaON栅介质/TaN金属栅集成结构的制备方法，步骤为：(1)在常规清洗后，在氢氟酸/异丙醇/水溶液中浸泡，以抑制颗粒和自然氧化物的生长；(2)紧接着用RTA生长超薄界面氧化层SiOx或氮氧化层SiON；(3)采用PVD方法，利用磁控反应溅射工艺交替溅射Hf-La靶和Hf靶淀积HfLaON高介电常数(K)栅介质；(4)淀积HfLaON后，快速热退火；(5)采用PVD方法，磁控反应溅射TaN金属薄膜；(6)TaN金属电极和背面欧姆接触形成后，进行合金退火处理。
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公开(公告)号：CN1296971C
公开(公告)日：2007-01-24
申请号：CN200410080409.5
申请日：2004-09-29
申请人： 中国科学院微电子研究所
IPC分类号： H01L21/203
摘要： 一种适用于纳米器件制造的硅化物工艺，其主要步骤是清洗、真空退火处理、溅射Ni薄膜、溅射TiN薄膜、快速热退火、选择腐蚀、玻璃淀积、接触孔形成和金属化。本发明在Ni膜上加一盖帽层氮化钛，形成TiN/Ni/Si结构，同时改进清洗方法，优化薄膜厚度和硅化反应的条件，获得了很好的结果。不但薄膜的薄层电阻明显减小，而且热稳定性有了明显的提高，即由低阻NiSi相向高阻NiSi2相转变的温度提高了，浅结漏电流得到改善。与常规Ti和Co硅化物工艺比较，该方法工艺步骤少，成本低，器件性能改善显著，因而极具吸引力。特别在亚50纳米技术中是常规Ti和Co硅化物工艺所不可替代的工艺。
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公开(公告)号：CN1691295A
公开(公告)日：2005-11-02
申请号：CN200410035088.7
申请日：2004-04-23
申请人： 中国科学院微电子研究所
IPC分类号： H01L21/336 , H01L21/8234
摘要： 一种用于射频横向扩散场效应晶体管的自对准硅化物方法，包括如下步骤：在硅片上，多晶栅刻蚀成形后进行无掩膜的漂移区注入；用正硅酸乙酯热分解法淀积一薄层二氧化硅；以光刻胶保护漂移区，回刻二氧化硅，在栅极靠近源测形成二氧化硅侧墙；源漏自对准注入并去胶；快速热退火，以消除注入损伤和激活杂质；分别以正硅酸乙酯热分解法淀积一薄层衬垫二氧化硅和低压化学气相淀积法淀积一层氮化硅；依次回刻氮化硅、二氧化硅，在二氧化硅一次侧墙基础上形成氮化硅二次侧墙；溅射一薄层钛；快速热退火，让钛与硅反应形成钛硅化物；选择性湿法腐蚀去除未反应的钛；快速热退火，让高阻态的钛硅化物转化为低阻态的钛硅化物。
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